Полупроводниковая подложка из фосфида индия P-типа

Полупроводниковая подложка из фосфида индия P-типа

Фосфид индия (InP) является одним из соединений полупроводников III-V. Это новое поколение электронных функциональных материалов после кремния и арсенида галлия. Полупроводниковый материал на основе фосфида индия обладает многими превосходными свойствами: структура зоны с прямым переходом, высокая эффективность фотоэлектрического преобразования, высокая подвижность электронов, легко изготавливаемые полуизоляционные материалы, подходящие для изготовления высокочастотных микроволновых устройств и схем, высокая рабочая температура (400-500 ℃) и так далее. Эти преимущества делают пластины фосфида индия широко используемыми в твердотельной люминесценции, микроволновой связи, оптической связи, спутниках и других областях. PAM-XIAMEN может предложить проводящие полупроводниковые пластины из фосфида индия. Более подробную информацию о пластинах, пожалуйста, просмотрите:https://www.powerwaywafer.com/compound-semiconductor/inp-wafer.html.

Подложки из фосфида индия P-типа, которые в основном изготавливаются легированием цинком, перечислены ниже для справки:

Полупроводниковая пластина из фосфида индия

1. Параметры полупроводниковой подложки из фосфида индия

№ 1 50,5 мм подложка InP

Пункт параметр UOM
Материал InP
Тип проводимости/легирующая добавка SCP/Zn
класс простое число
Диаметр 50,5±0,4 мм
Ориентация (100) ± 0,5 °
Угол ориентации /
Плоский вариант EJ
Первичная плоская Ориентация (0-1-1)±0,02°
Первичная плоская Длина 16±1
Secondary Квартира Ориентация (0-11)
Вторичная плоская Длина 7±1 мм
Концентрация носителей Мин 0.6E18 Максимум 6Э18 см-3
удельное сопротивление Мин / Максимум / Ом*см
Мобильность Мин / Максимум / см2/В*сек
EPD пр. <1000 Максимум / см-2
Лазерная Марка Задняя сторона большая квартира
Закругление кромок 0,25 (соответствует стандартам SEMI) MMR
Толщина Мин 325 Максимум 375 мкм
TTV Максимум 10 мкм
МДП Максимум 10 мкм
ЛУК Максимум 10 мкм
деформироваться Максимум 15 мкм
Поверхность Сторона 1 Полированные Сторона 2 Травленый
Количество частиц /
Пакет Индивидуальный контейнер, наполненный N2
Эпи-готовый Да
Замечание Специальные характеристики обсуждаются отдельно

 

№ 2 76,2 мм пластина InP

Пункт параметр UOM
Материал InP
Тип проводимости/легирующая добавка SCP/Zn
класс простое число
Диаметр 76,2±0,4 мм
Ориентация (100) ± 0,5 °
Угол ориентации /
Плоский вариант EJ
Первичная плоская Ориентация (0-1-1)
Первичная плоская Длина 22±1
Secondary Квартира Ориентация (0-11)
Вторичная плоская Длина 12±1 мм
Концентрация носителей Мин 0.6E18 Максимум 6Э18 см-3
удельное сопротивление Мин / Максимум / Ом*см
Мобильность Мин / Максимум / см2/В*сек
EPD пр. <1000 Максимум / см-2
Лазерная Марка Задняя сторона большая квартира
Закругление кромок 0,25 (соответствует стандартам SEMI) MMR
Толщина Мин 600 Максимум 650 мкм
TTV Максимум 10 мкм
МДП Максимум 10 мкм
ЛУК Максимум 10 мкм
деформироваться Максимум 15 мкм
Поверхность Сторона 1 Полированные Сторона 2 Травленый
Количество частиц /
Пакет Индивидуальный контейнер, наполненный N2
Эпи-готовый Да
Замечание Специальные характеристики обсуждаются отдельно

 

Полупроводниковая пластина InP № 3 100 мм

Пункт параметр UOM
Материал InP
Тип проводимости/легирующая добавка SCP/Zn
класс простое число
Диаметр 100±0,4 мм
Ориентация (100) ± 0,5 °
Угол ориентации /
Плоский вариант EJ
Первичная плоская Ориентация (0-1-1)
Первичная плоская Длина 32,5±1
Secondary Квартира Ориентация (0-11)
Вторичная плоская Длина 18 ± 1 мм
Концентрация носителей Мин 0.6E18 Максимум 6Э18 см-3
удельное сопротивление Мин / Максимум / Ом*см
Мобильность Мин / Максимум / см2/В*сек
EPD пр. <5000 Максимум / см-2
Лазерная Марка Задняя сторона большая квартира
Закругление кромок 0,25 (соответствует стандартам SEMI) MMR
Толщина Мин 600 Максимум 650 мкм
TTV Максимум 15 мкм
МДП Максимум 15 мкм
ЛУК Максимум 15 мкм
деформироваться Максимум 15 мкм
Поверхность Сторона 1 Полированные Сторона 2 Травленый
Количество частиц /
Пакет Индивидуальный контейнер, наполненный N2
Эпи-готовый Да
Замечание Специальные характеристики обсуждаются отдельно

 

2. Каковы сходства и различия между InP типа N, InP типа P и полуизолирующими InP?

Монокристаллы InP можно разделить на n-тип, p-тип и полуизолирующий тип. По электрическим свойствам монокристаллы фосфида индия можно разделить на N-тип, P-тип и полуизолирующий тип. Сходства и различия в основном проанализированы в таблице ниже по примесям, концентрации носителей, плотности дислокаций и применениям фосфида индия:

Сходства и различия между InP типа N, InP типа P и полуизолирующими InP
Пункт добавка Концентрация носителя (см-3) Плотность дислокации (см-2) Приложения
Тип N InP нелегированный ≤3,0 х 1016 ≤5,0 х 102 LD, LED, PIN PD и PIN APD
S (1~8)х 1018 ≤5,0 х 102
Sn (1~8)х 1018 ≤5,0 х 102
P Тип InP Zn (1~8)х 1018 ≤5,0 х 102 high-efficiency radiation resistant solar cells, etc
Semi-insulating InP Fe

 

N / A ≤5,0 х 102 low noise and broadband microwave devices, terminal guidance and anti-interference millimeter wave devices, photoelectric integrated circuits, etc

 

3. About P Type Indium Phosphide Single Crystal Grown By VGF

At present, indium phosphide single crystals are mainly prepared by VGF (vertical gradient solidification) method in indium phosphide foundry. However, hydroxyl (OH) impurities exist in quartz tubes and boron nitride crucibles used in the preparation of indium phosphide crystals through VGF, and water exists in boron oxide as a covering agent. Hydroxyl (OH) impurities and water are the main sources of VInH4 donor defects and vacancy donor defects in indium phosphide semiconductor crystal, while VInH4 donor defects and vacancy donor defects are the key factors affecting the electrical properties of low concentration P-type InP single crystal materials.

The electrical parameters and growth thermal field of the InP polycrystals used for preparing indium phosphide single crystals can affect the doping activation efficiency of zinc, and then affect the zinc doping concentration of P-type indium phosphide single crystals.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу[email protected] и [email protected].

Поделиться этой записью