Полупроводниковое соединение антимонида индия (InSb), как полупроводниковый материал с прямой запрещенной зоной, имеет низкую эффективную массу электронов, высокую подвижность и узкую ширину запрещенной зоны. При низких температурах соединение InSb имеет высокий коэффициент поглощения инфракрасного света с квантовой эффективностью, превышающей или равной 80%. С точки зрения обнаружения в среднем инфракрасном диапазоне в диапазоне длин волн 3–5 мкм детекторы на основе материалов InSb выделяются среди многих устройств из материалов благодаря отработанной технологии изготовления материалов, высокой чувствительности и хорошей стабильности. Полупроводниковое соединение InSb стало предпочтительным материалом для изготовления средневолновых инфракрасных детекторов. PAM-XIAMEN может поставлять InSbСоединение III-V полупроводникадля изготовления устройств и научных исследований, взяв, например, следующую спецификацию:
1. Спецификация подложки InSb
| Пункт | Подложка InSb |
| Толщина | 525±25ум |
| Ориентация | [111А]±0,5° |
| Тип/Допация | Н/Те |
| Удельное сопротивление | 0,02~0,028 Ом·см |
| НК | (4-8)E14см-3/cc |
| EPD | <100/см2 |
| Мобильность | >1E4 cm2/Против |
| Поверхность закончена | ССП, ДСП |
2. Анализ производительности хранения подложки соединения InSb
Вообще говоря, полупроводниковые материалы на основе соединений InSb можно хранить в течение определенного периода времени после обработки, прежде чем использовать их для изготовления детекторов. Таким образом, стабильность рабочих характеристик пластин InSb при хранении и использовании является одним из важных факторов, влияющих на работу изготовленных детекторов.
Чтобы изучить изменения характеристик пластины соединения InSb при длительном хранении, исследователи провели испытания на ускоренное хранение при высоких температурах на подложке InSb (111). В ходе испытаний были отслежены и обнаружены несколько важных свойств соединения InSb, таких как геометрия пластины, шероховатость поверхности, электрические параметры и дислокационные дефекты. Результаты показывают, что в условиях испытаний на ускорение при высоких температурах шероховатость поверхности остается практически неизменной. В условиях эксперимента не происходило присоединения или перемещения дислокаций внутри подложки, а электрические параметры, такие как концентрация носителей, оставались неизменными. При хранении при нормальной атмосферной температуре характеристики соединения InSb остаются неизменными в течение как минимум 2 лет.
Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресуvictorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.