AlGaInP Epi Wafer

AlGaInP Epi Wafer

AlGaInP wird bei der Herstellung von lichtemittierenden Dioden mit hoher Helligkeit in Rot, Orange, Grün und Gelb verwendet, um die Heterostruktur zu bilden, die Licht emittiert. Es wird auch zur Herstellung von Diodenlasern verwendet.
Die AlGaInP-Schicht wird häufig durch Heteroepitaxie auf Galliumarsenid oder Galliumphosphid gezüchtet, um eine Quantentopfstruktur zu bilden.

1.Spezifikationen von AlGaInP-Wafern auf Chips

AlGaInP LED Wafer für Chip
Artikel-Nr.: PAM-CAYG1101
Abmessungen:
Wachstumstechnik - MOCVD
Substratmaterial: Galliumarsenid
Substratleitung: Typ n
Durchmesser: 2 "
● Chipabmessungen:
1) Chipgröße: Frontgröße: 8 mil (± 1 mil) × 8 mil (± 1 mil)
Rückseite: 9 mil (± 1 mil) × 9 mil (± 1 mil)
2) Spanstärke: 7 mil (± 1 mil)
3) Padgröße: 4 mil (± 0,5 mil)
4) Struktur: siehe 1-1
 
● Photoelektrische Eigenschaften
Parameter Voraussetzung Minute Typ. Max. Einheit
Durchlassspannung （Vf1） Wenn = 10μA 1.35 ﹎ ﹎ V
Durchlassspannung （Vf2） Wenn = 20mA ﹎ ﹎ 2.2 V
Sperrspannung （Lr） Vr = 10 V. ﹎ ﹎ 2 μA
Dominante Wellenlänge （λｄ） Wenn = 20mA 565 ﹎ 575 nm
FWHM （Δλ） Wenn = 20mA ﹎ 10 ﹎ nm
 
● Lichtstärke:
Code LC LD LE LF LG LH LI
IV (mcd) 20-30 25-35 30-35 35-50 40-60 50-70 60-80

2. Bandabstand von verspanntem AlGaInP auf GaAs-Substrat

In diesem Tutorial wollen wir die Bandlücken von verspannten untersuchenAlxGayIn1-xyP auf einem GaAs-Substrat.
Die Materialparameter werden entnommen
Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys
I. Vurgaftman, J.R. Meyer, L.R. Ram-Mohan
J. Appl. Phys. 89 (11), 5815 (2001)
 
Um die Auswirkung der Belastung der Bandlücke auf die einzelnen Komponenten dieses Quartärs zu verstehen, untersuchen wir zunächst die Auswirkungen auf
 
1) AlP angespannt in Bezug auf GaAs
2) GaP angespannt in Bezug auf GaAs
3) InP unter Druck gesetzt in Bezug auf GaAs
4)AlxGa1-xP angespannt in Bezug auf GaAs
5)GaxIn1-xP angespannt in Bezug auf GaAs
6)AlxIn1-xP angespannt in Bezug auf GaAs
7)Al0.4Ga0.6P angespannt in Bezug auf GaAs
8)Ga0.4In0.6P unter Druck gesetzt in Bezug auf GaAs
9)Al0.4In0.6P unter Druck gesetzt in Bezug auf GaAs
Jede Materialschicht hat in der Simulation eine Länge von 10 nm.
Die Materialschichten 4), 5) und 6) variieren ihren Legierungsgehalt linear:
4)AlxGa1-xP             from 10 nm to 20 nm from x=0.0 to x=1.0
5)GaxIn1-xP             from 30 nm to 40 nm from x=0.0 to x=1.0
6)AlxIn1-xP              from 50 nm to 60 nm from x=1.0 to x=0.0

3. About AlGaInP/InGaP Structure

Since InGaAlP quaternary materials can have a wide direct band gap, by adjusting the composition of In, Al and Ga, they can be lattice-matched with high-quality and low-cost GaAs thin films. The light-emitting range of the epitaxial structure can cover red, orange, yellow, yellow-green band. Thus in the visible light emitting diode, 650nm red laser has a wide range of applications.

Quartäre AlGaInP-Verbindungsmaterialien werden verwendet, um epitaxiale GaAs-Wafer zu züchten, die in großem Umfang in Rotlicht emittierenden Dioden mit hoher Helligkeit und Halbleiterlasern verwendet werden und zum Mainstream-Material für Rotlicht emittierende Vorrichtungen geworden sind. Die Leitungsbandordnung von AlGaInP/GaInP-Heteroübergängen ist sehr klein, mit einem Maximalwert von etwa 270 meV, was kleiner ist als der von 350-meV-AlGaAs-Materialien. Die elektronische Barriere ist relativ niedrig und der Leckstrom wird gebildet. Der Schwellenstrom des GaAs-Epitaxiewafers auf Laserbasis wird erhöht, was bei Hochtemperatur- und Hochstrombetrieb offensichtlicher ist. Die AlGaInP-Schicht streut in der Legierung, und der thermische Widerstand ist viel höher als der von AlGaAs. Die überschüssige Wärme verursacht die Sperrschichttemperatur und die Hohlraumoberflächentemperatur. Daher ist die charakteristische Temperatur des AlGaInP-Lasers niedriger und die elektrooptische Umwandlungseffizienz wird während des kontinuierlichen Betriebs niedriger und es wird mehr Wärme erzeugt.

4. Brechungsindex von AlGaInP

 

Quelle: PAM-XIAMEN

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2014-02-19

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