Детектор на основе антимонида индия (InSb) чувствителен к средневолновому инфракрасному (MWIR) диапазону. С точки зрения обнаружения среднего инфракрасного диапазона в диапазоне 3-5 мкм, благодаря преимуществам технологии зрелых материалов, высокой чувствительности и хорошей стабильности, детекторы InSb выгодно отличаются от детекторов на основе других материалов. При низкой температуре,InSb материалимеет высокий коэффициент поглощения инфракрасного света (~10¹⁴см^-1), квантовой эффективностью больше или равной 80% и высокой подвижностью носителей (un ~ 10⁵см²∙В^-1∙с^-1). Инфракрасный детектор InSb обладает очень заметными техническими преимуществами, а области его применения охватывают точное наведение, портативную визуализацию, транспортные, корабельные, воздушные, аэрокосмические и т. д. Массив детекторов InSb, предлагаемый PAM-XIAMEN, составляет 128 x 128 пикселей, а диапазон спектрального отклика детектора составляет 3,7 мкм~4,8 мкм. Технические характеристики см. в таблице ниже:

1. Технические параметры детектора MWIR InSb

Наименование	Основная спецификация
МВт128×128 (ДжТ) Инфракрасный детектор InSb	Количество пикселей	128×128
	Pixel Pitch	15 мкм × 15 мкм
	Пиксельная работоспособность	99%
	Отзывчивость Неравномерность	≤6%
	NETD	≤15 мК
	FOV	2
	Время перезарядки	≤30 с
	Вес	≤250г

 

2. Процесс инфракрасных детекторов InSb

С непрерывным развитием технологии инфракрасного обнаружения светочувствительные чипы на основе материалов InSb прошли путь от единичных чипов до многоэлементных, линейных и площадных чипов. После процесса соединения флип-чипов фоточувствительный чип и схема обработки сигналов объединяются и размещаются в фокальной плоскости оптической системы, которая представляет собой основной компонент обнаружения инфракрасного сигнала. При реализации фотоэлектрического преобразования производительность фоточувствительного чипа является одним из ключевых факторов, определяющих уровень обнаружения охлаждаемого InSb-детектора. При подготовке светочувствительного чипа с площадной матрицей качество PN-перехода и эффективная изоляция светочувствительных блоков пикселей являются основными ключами к подготовке чипа с площадной матрицей. Процесс подготовки PN-перехода делится на процесс диффузии, процесс ионной имплантации и процесс эпитаксии. Для различных методов изготовления PN-перехода соответствующие методы изготовления структуры поверхностных решеток также различаются.

Схематическая диаграмма технологического маршрута детектора фокальной плоскости InSb

Технический уровень инфракрасного детектора InSb в диапазоне средних волн постоянно совершенствуется. Размер массива областей продолжает увеличиваться, квантовая эффективность детектора InSb продолжает улучшаться, а высокотемпературная работа и двойные многоцветные детекторы полностью разработаны.

Для получения дополнительной информации, пожалуйста, свяжитесь с нами по электронной почте по адресу victorchan@powerwaywafer.com и powerwaymaterial@gmail.com.