열 산화물 20nm를 사용한 2″ 단결정 실리콘 웨이퍼

  • 홈
  • 뉴스
  • 열 산화물 20nm를 사용한 2″ 단결정 실리콘 웨이퍼

열 산화물 20nm를 사용한 2″ 단결정 실리콘 웨이퍼

PAM XIAMEN은 열산화막 20nm를 사용한 2인치 단결정 실리콘 웨이퍼를 제공합니다.

절연 산화물이 포함된 단결정 실리콘으로 제작된 2인치 직경의 웨이퍼
직경 50.8mm
연마: 마이크로전자공학용 단면
전도성 및 합금 유형: 지정되지 않음
표면 방향: 지정되지 않음
기본 및 보조 평면 방향: 지정되지 않음
두께: 675 미크론±20 미크론
웨지(TTV): 15미크론 미만
TTV<15μm
왜곡: 35미크론 미만(값은 변경되지 않음)
절연 산화물의 두께: 최소 20 nm
앞면: 광택
뒷면: 랩 에칭

더 많은 정보를 원하시면 다음 주소로 이메일을 보내주세요.sales@powerwaywafer.com및powerwaymaterial@gmail.com

2021-03-17

이 게시물 공유

관련 게시물

Lextar lights up 6-inch LED wafer

LED manufacturer Lextar Electronics claims to be the first LED maker in Taiwan to demonstrate blue-light emission from a processed 6-inch-diameter LED wafer. (more…)

2012-05-21메타 작성자
Analytical model for event reconstruction in coplanar grid CdZnTe detectors

Analytical model for event reconstruction in coplanar grid CdZnTe detectors Coplanar-grid (CPG) particle detectors were designed for materials such as CdZnTe (CZT) in which charge carriers of only one sign have acceptable transport properties. The presence of two independent anode signals allows for a reconstruction [...]

2014-03-10메타 작성자 ,
Gaussian Acoustics를 통해 탄화규소의 스핀 포논 상호 작용 연구

PAM-XIAMEN can offer SiC substrate for various researches, additional information can be found in https://www.powerwaywafer.com/sic-wafer/sic-wafer-substrate.html. Hybrid quantum systems can utilize quantum information for various forms of practice, such as quantum photons for long-distance transmission, spin behavior for information storage, and microwave superconducting circuits for computation. [...]

2024-05-09메타 작성자
4″ FZ Prime Silicon Wafer-6

PAM XIAMEN offers4″ FZ Prime Silicon Wafer-6 Substrate Monocrystalline Silicon Diameter 100 ±0.3mm Growth method Fz Lifetime>1000µsec Thickness 600± 25µm Type/Dopant N/Phosphorus Orientation[110]±0.5° Resistivity>5,000 Ωcm TTV<10µm Bow/Warp<40µm Primary Flat Location@[111]±<0.25° Primary Flat Length 32.5± 2.5mm Secondary Flat Location@[111]70.5° CW from primary flat Front side finish [...]

2019-09-20메타 작성자
FZ 실리콘 웨이퍼의 불순물-전위 상호작용에 대한 LBIC 조사

본 연구에서는 서로 다른 파장의 LBIC(광빔 유도 전류) 매핑 기술과 DLTS(심부 수준 과도 분광학)를 통해 플로트 존(FZ) 성장 실리콘 웨이퍼에서 전위 배열을 조사했습니다. LBIC 기술은 인식하고 [...]

2015-06-21메타 작성자 , ,
SiC BJT Wafer *S

SiC 웨이퍼는 낮은 전도 저항과 최대 수십 킬로볼트의 높은 차단 전압을 갖춘 BJT(바이폴라 접합 트랜지스터) 장치를 제조하는 데 사용할 수 있습니다. 차단 전압이 4.5kV 이상인 애플리케이션의 경우 바이폴라 SiC 전력 소자가 유니폴라 SiC 전력보다 더 실용적인 응용 가치를 갖게 될 것입니다. [...]

2023-11-28메타 작성자