2″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal Oxide 20nm

2″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal Oxide 20nm

PAM XIAMEN offers 2″ Monocrystalline Silicon Wafer with Thermal Oxide 20nm

2inch diameter wafer made of monocrystalline silicon with isolation oxide
Diameter 50.8mm
Polishing: one-sided for microelectronics 
Type of conductivity and alloying: not specified 
Surface orientation:  not specified 
Primary and secondary flat orientation: not specified
Thickness: 675 microns±20 microns 
Wedge (TTV): less than 15 microns
TTV<15μm 
Distortion: less than 35 microns (the value is unchanged)
Thickness of the isolation oxide: at least 20 nm
Front side: polished 
Back side: lapped-etched 

For more information, send us email at [email protected] and powerwaymate[email protected]

Share this post