25.4 (1 인치) 실리콘 웨이퍼

25.4 (1 인치) 실리콘 웨이퍼

25.4 (1 인치) 실리콘 웨이퍼

PAM XIAMEN은 1 ″ 실리콘 웨이퍼를 제공합니다.
필요한 것이 보이지 않으면 사양과 수량을 이메일로 보내주십시오.

디아 두께 (음) 정위 유형 도펀트 저항
(옴 cm)
폴란드어
PAM1901 25.4mm 20000um <111> P B >1000 DSP FZ
PAM1902 25.4mm 400um <100> P B 어떤 SSP 두께 : 400 +/- 100um.
PAM1903 25.4mm 500㎛가 알맞다 <100> 어떤 SSP 웨이퍼에는 입자가 있습니다. 웨이퍼는 "있는 그대로"판매됩니다.
PAM1904 25.4mm 280um <111> 도핑 도핑 >2000 SSP 고유 FZ
PAM1905 25.4mm 73.5um <100> 도핑 도핑 >5000 DSP FZ, 플로트 존
PAM1906 25.4mm 500㎛가 알맞다 <100> P B .01-.05 DSP 아파트가없고 완전히 둥글다. 최소 주문 수량 5 웨이퍼.

 

자료 동양. DIAM
(mm)
Thck
(μm의)
서핑. 저항
Ωcm
논평
PAM1907 p 형의 Si : B [100] 1 " 280um 체육 0 ~ 100 옴 cm SEMI, 1Flat, 소프트 CST
PAM1908 고유 Si :- [111] 1 " 280um 체육 FZ> 2000 옴 -cm 시험 등급
PAM1909 p 형의 Si : B [100] 1 " 체육 어떤 시험 등급
PAM1910 n 형 Si : P [100] 1 " 475 ± 10 E / E FZ> 500 {1,900–2,400} 플랫 없음, 소프트 cst
PAM1911 n 형 Si : P [111], 0.5 °, ± 1 " 280 P / P FZ 2,000 ~ 10,000 플랫 없음, TTV <5μm, 소프트 cst
PAM1912 고유 Si :- [100] 1 " 500 체육 FZ> 20,000 SEMI Prime, 1Flat, 하드 cst
PAM1913 고유 Si :- [100] 1 " 160 P / P FZ> 10,000 프라임, 플랫 없음, 하드 cst, TTV <8μm
PAM1914 고유 Si :- [100] 1 " 160 P / P FZ> 10,000 프라임, 플랫 없음, 하드 cst, TTV <8μm
PAM1915 고유 Si :- [111], 0.5 °, ± 1 " 500 P / P FZ> 17,500 SEMI Prime, 1Flat, 하드 cst
PAM1916 고유 Si :- [111], 0.5 °, ± 1 " 500 P / P FZ> 15,000 SEMI Prime, 1Flat, 하드 cst
PAM1917 고유 Si :- [111], 0.5 °, ± 1 " 1000 체육 FZ 14,000–30,000 NO Flats, Soft cst, Cassettes of 7, 6, 6 웨이퍼
PAM1918 고유 Si :- ± 2 ° 1 " 27870 C / C FZ> 10,000 단결정 실리콘로드, 0.39 ″ 직경 × 27.87 ± 0.1mm
PAM1919 p 형의 Si : B [510] 1 " 1000 체육 1 ~ 100 {7.4 ~ 7.4} 플랫 없음, 소프트 cst
PAM1920 p 형의 Si : B [100] 1 " 100 ± 15 P / P 1 ~ 10 Prime, NO Flats, 5 개의 웨이퍼 봉지에 담겨 있습니다.
PAM1921 p 형의 Si : B [100] 24mm 300 체육 1-100 프라임, 플랫 없음, 하드 cst
PAM1922 p 형의 Si : B [100] 24.3mm 300 체육 1 ~ 10 프라임, 플랫 없음, 하드 cst
PAM1923 p 형의 Si : B [100] 1 " 300 체육 1 ~ 10 {2.8 ~ 2.9} SEMI 총리, 1Flat, 소프트 CST
PAM1924 p 형의 Si : B [100] 1 " 300 체육 1 ~ 10 프라임, 플랫 없음, 소프트 cst
PAM1925 p 형의 Si : B [100] 24.3mm 300 체육 1 ~ 10 {1.5 ~ 1.7} 프라임, 플랫 없음, 하드 cst
PAM1926 p 형의 Si : B [100] 1 " 525 ± 10 체육 1-30 Prime, NO Flats, Soft cst, TTV <5μm, 카세트 20 개 및 8 개 웨이퍼
PAM1927 p 형의 Si : B [100] 1 " 1000 체육 1-30 SEMI Prime, 1Flat, 하드 cst
PAM1928 p 형의 Si : B [100] 1 " 3000 체육 1 ~ 50 Prime, NO Flats, 개별 cst, 그룹 13 개 웨이퍼
PAM1929 p 형의 Si : B [100] 1 " 275 P / P 0.015 ~ 0.020 SEMI Prime, 1Flat, 하드 cst
PAM1930 p 형의 Si : B [100] 1 " 275 체육 0.015 ~ 0.020 SEMI 총리, 1Flat, 소프트 CST
PAM1931 p 형의 Si : B [111], 0.5 °, ± 1 " 50 ± 10 P / P 1-100 플랫 없음, 소프트 cst
PAM1932 n 형 Si : P [100] 1 " 50 ± 10 P / P >20 SEMI Prime, 1Flat, TTV <5μm, 클린 룸 시트 사이의 단일 웨이퍼 트레이, MOQ 4 웨이퍼
PAM1933 n 형 Si : P [100] 1 " 280 체육 1-5 SEMI, 1Flat, 하드 cst
PAM1934 n 형 Si : P [100] 1 " 1500 체육 1-20 프라임, 플랫 없음, 소프트 cst
PAM1935 n 형 Si : P [111] 1 " 330 체육 FZ> 90 프라임, 플랫 없음, 하드 cst
PAM1936 p 형의 Si : B [100] 1 " 775 체육 8 ~ 12 SEMI 총리, 1Flat, 소프트 CST
PAM1937 p 형의 Si : B [100] 1 " 300 P / P 4 ~ 6 SEMI Prime, 1Flat, 하드 cst
PAM1938 p 형의 Si : B [100] 24mm 300 체육 1-100 프라임, 플랫 없음, 소프트 cst
PAM1939 p 형의 Si : B [100] 1 " 300 체육 1 ~ 10 프라임, 플랫 없음, 소프트 cst
PAM1940 p 형의 Si : B [100] 1 " 500 체육 1 ~ 10
PAM1941 p 형의 Si : B [100] 1 " 380 체육 0.003 ~ 0.005 SEMI Prime, 1Flat, 하드 cst
PAM1942 p 형의 Si : B [100] 1 " 275 체육 0.002 ~ 0.005 프라임, 플랫 없음, 하드 cst
PAM1943 n 형 Si : P [100] 1 " 50 ± 10 P / P >20 SEMI Prime, 1Flat, TTV <5μm, 클린 룸 시트 사이의 단일 웨이퍼 트레이, MOQ 5 웨이퍼
PAM1944 n 형 Si : P [100] 1 " 3500 체육 1.2 ~ 3.0 SEMI Prime, 2Flats, 개별 cst
PAM1945 n 형 Si : P [100] 1 " 300 체육 1-20 SEMI Prime, 1Flat, 하드 cst
PAM1946 n 형 Si : As [100] 1 " 300 P / P 0.001-0.005 프라임, 플랫 없음, 하드 cst
PAM1947 n 형 Si : As [111] 1 " 380 체육 0.002 ~ 0.007 SEMI Prime, 1Flat, 하드 cst

자세한 내용은 다음 웹 사이트를 방문하십시오. https://www.powerwaywafer.com,
에서 우리에게 이메일을 보내 sales@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com

1990 년에 설립 된 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN)는 중국의 주요 반도체 재료 제조업체이며, PAM-XIAMEN은 고급 결정 성장 및 에피 택시 기술, 제조 공정, 엔지니어링 기판 및 반도체 장치를 개발합니다. 기술은 반도체 웨이퍼의 고성능 및 저가 제조를 가능하게합니다.

Google의 목표는 소액 주문 및 어려운 질문에 관계없이 모든 요구 사항을 충족시키는 것입니다.
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