3″ CZ Si 랩핑 웨이퍼

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Single Crystal Germanium Wafer with Orientation (110) toward

Single crystal germanium wafer with orientation (110) miscut toward <111> with 4 deg. or 12 deg. is provided without dopant. Due to the similar chemical properties with silicon, single crystal germanium has similar applications. While hall effect germanium wafer has higher sensitivity to gamma [...]

2021-10-25메타 저자
6″ FZ 프라임 실리콘 웨이퍼

PAM XIAMEN은 6인치 FZ 프라임 실리콘 웨이퍼를 제공합니다. 실리콘 웨이퍼, SEMI Prime 기준, P/P 6″ {150.0±0.3mm}Ø×625±15μm, FZ 고유 비도핑 Si:-[100]±0.5°, Ro > 20,000 Ohmcm, 양면 광택, One SEMI 플랫(57.5mm), Empak 또는 동급 카세트에 밀봉됨. 자세한 내용은 당사 웹사이트(https://www.powerwaywafer.com)를 방문하여 [...]를 보내주세요.

2019-07-02메타 저자
형태 제어, 나노구조 GaN 템플릿에서 성장한 모놀리식 InGaN/GaN의 백색광 방출

형태가 제어된 나노구조 GaN 템플릿에서 성장한 모놀리식 InGaN/GaN의 백색 발광 우리는 다면체에 형성된 형태가 제어된 활성층을 사용하여 인광체가 없는 InGaN/GaN 기반의 모놀리식 백색 발광 다이오드(LED)를 시연했습니다. 극성 및 반극성 표면을 포함하는 GaN 템플릿입니다. 나노 구조의 표면 형태는 [...]에 의해 제어되었습니다.

2018-07-12메타 저자
Tailoring the structural and optical characteristics of InGaN/GaN multilayer thin films by 12 MeV Si ions irradiations

We are an expert of semiconductor wafers in semiconductor industry, and we offer technology support and wafers selling for thousands    of univerisities and industrial customers by our decades experience, including Cornell University, Stanford Univeristy,Peking University,      Shandong Univerity, university of south carolina,Caltech Faraon lab (USA）,University of California, Irvine (USA),Singapore MIT Alliance    for Research and Technology Centre (SMART),West Virginia University,Purdue Univerity, University of California, Los Angeles,King Abdullah University of Science & Technology,Massachusetts Institute of Technology,University of Houston,University of Wisconsin,University of    Science and Technology of China etc. And now we show one article example as follows, who bought our wafers or service: Article title: Tailoring the structural and optical characteristics of InGaN/GaN multilayer thin films by 12 MeV Si ions [...]

2019-12-02메타 저자
(Al,In)GaN laser diodes with optimized ridge structures

최적화된 리지 구조를 갖는 (Al,In)GaN 레이저 다이오드 우리는 보라-청색 스펙트럼 영역에서 (Al, In)GaN 리지 도파관 레이저 다이오드를 개발합니다. InGaN 양자 우물의 인듐 함량을 변경하여 우리는 390°C 범위에서 특정 응용 분야에 맞게 장치의 방출 파장을 조정합니다. [...]

2013-03-27메타 저자
InGaN/GaN 다중양자 우물의 V자형 결함

V-shaped defects in InGaN/GaN multiquantum wells InGaN/GaN multiquantum well (MQW) structures have been grown on (0001) sapphire substrate by metalorganic chemical vapor deposition. From cross-sectional transmission electron microscopy (TEM), a number of V-shaped defects has been observed on the surface which are associated with mixed [...]

2014-01-24메타 작성자