PAM-XIAMEN can offer 2” InGaN/GaN quantum well blue laser diode wafer on sapphire or silicon substrate as follows. The blue GaN LD wafer for commercial applications illustrates the great potential of III-V epitaxial wafers.
1. Specification of 440-460nm Blue GaN LD wafer
PAM190909-GAN-LD
설명 | 재료 | 기판 | |
블루 레이저 | 440 ~ 460nm | InGaN으로 | 2 인치 사파이어 기판 *** |
GaN Blue LD EPI 웨이퍼 사양 | |||
투기 | |||
LD Epitaxial Wafer Size | |||
성장 | MOCVD | ||
직경 | 50.8 ± 0.2mm | ||
두께 | 430 ± 30um | ||
EPI 두께 | 음 | ||
EPI 웨이퍼 구조 | |||
접촉 층 | p 유형 GaN | ||
초 격자 클래딩 레이어 | p 유형 GaN | ||
전자 차단 층 | p 유형 AlGaN | ||
도파관 레이어 | 실행 취소 된 InGaN | ||
QW 및 QB 레이어 | InGaN 및 GaN | ||
도파관 레이어 | n 유형 InGaN | ||
클래딩 레이어 | n 유형 AlGaN | ||
기판 | 규소 |
2. Structure of Blue Laser Diode Epitaxial Wafer
PAM-190130-LD
substrates | t (nm) | Composition | Doping | |||
Al% | ln% | [Si] | [Mg] | |||
uGaN | 2000-3000 | – | – | – | ||
nGaN | – | – | – | – | – | |
AlGaN | – | 6-10 | – | – | – | |
lnGaN | – | – | – | – | – | |
MQW (2pairs) |
lnGaN-QW | ~2.5 | – | – | – | – |
GaN-QB | – | – | – | – | – | |
lnGaN | – | – | 1-2 | – | – | |
AlGaN | – | – | 1.OE+19 | |||
pGaN | – | – | – | – | – | |
접촉 층 | 5 | – | – | – | – |
3. GaN based Laser Diode Epitaxial Wafer, Blue Emission
PAM-191206–LD
Epitaxial Blue LD Structure with Emission Wavelength of 440~460nm |
||
Layer Name | 자료 | 두께 |
Contact Layer | p-type GaN | 30nm |
Superlattice Cladding Layer (80~150 pairs) | p-type GaN | – |
p-type AlxxGaxxN | – | |
Electron Blocking Layer (EBL) | p-type Al0.2Ga0.8N | – |
도파관 레이어 | undoped In0.035Ga0.965N | – |
MQW (xx pairs) | undoped GaN QB | – |
InxxGaxxN QW | – | |
도파관 레이어 | n-type InxxGaxxN | – |
클래딩 레이어 | n-type Al0.6Ga0.94N | 1.4um |
기판 | 규소 |
4. Other Parameters
내부 손실 : 알 수 없음
IQE : 알 수 없음
Lifetime:xx seconds@CW, >10 hours@pulse mode
Peak Optical Power:xx mW@pulse mode.
The laser diode wafer process on silicon substrate is mainly by MOCVD method.
Please contact our technology dept to discuss blue GaN LD wafer specifications,including other wavelength, dimension, layer thickness and epitaxial design.
For more information, please contact us email at victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com.