Blue GaN LD 웨이퍼

Blue GaN LD 웨이퍼

PAM-XIAMEN can offer 2” InGaN/GaN quantum well blue laser diode wafer on sapphire or silicon substrate as follows. The blue GaN LD wafer for commercial applications illustrates the great potential of III-V epitaxial wafers.

1. Specification of 440-460nm Blue GaN LD wafer 

PAM190909-GAN-LD

설명 재료 기판
블루 레이저 440 ~ 460nm InGaN으로 2 인치 사파이어 기판 ***
GaN Blue LD EPI 웨이퍼 사양
투기
LD Epitaxial Wafer Size
성장 MOCVD
직경 50.8 ± 0.2mm
두께 430 ± 30um
EPI 두께
EPI 웨이퍼 구조
접촉 층 p 유형 GaN
초 격자 클래딩 레이어 p 유형 GaN
전자 차단 층 p 유형 AlGaN
도파관 레이어 실행 취소 된 InGaN
QW 및 QB 레이어 InGaN 및 GaN
도파관 레이어 n 유형 InGaN
클래딩 레이어 n 유형 AlGaN
기판 규소

 

2. Structure of Blue Laser Diode Epitaxial Wafer

PAM-190130-LD

substrates t (nm) Composition Doping
Al% ln% [Si] [Mg]
uGaN 2000-3000
nGaN
AlGaN 6-10
lnGaN
MQW
(2pairs)
lnGaN-QW ~2.5
GaN-QB
lnGaN 1-2
AlGaN 1.OE+19
pGaN
접촉 층 5

 

3. GaN based Laser Diode Epitaxial Wafer, Blue Emission

PAM-191206–LD

Epitaxial Blue LD Structure with Emission Wavelength of 440~460nm

Layer Name 자료 두께
Contact Layer p-type GaN 30nm
Superlattice Cladding Layer (80~150 pairs) p-type GaN
p-type AlxxGaxxN
Electron Blocking Layer (EBL) p-type Al0.2Ga0.8N
도파관 레이어 undoped In0.035Ga0.965N
MQW (xx pairs) undoped GaN QB
InxxGaxxN QW
도파관 레이어 n-type InxxGaxxN  –
클래딩 레이어 n-type Al0.6Ga0.94N 1.4um
기판 규소  

4. Other Parameters

내부 손실 : 알 수 없음
IQE : 알 수 없음
Lifetime:xx seconds@CW, >10 hours@pulse mode
Peak Optical Power:xx mW@pulse mode.

The laser diode wafer process on silicon substrate is mainly by MOCVD method.

 

 

 

 

 

Please contact our technology dept to discuss blue GaN LD wafer specifications,including other wavelength, dimension, layer thickness and epitaxial design.

파워웨이웨이퍼

For more information, please contact us email at victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com.

 

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