갈륨 반도체 웨이퍼

갈륨 반도체 웨이퍼

PAM-XIAMEN에서 제공하는 인듐 반도체 웨이퍼 : GaSb, GaAs, GaP

GaSb 웨이퍼 기판 – 갈륨 안티 모나 이드
자료
정위.
직경
두께
폴란드어
저항
형 도펀트
체크 안함
유동성
EPD
PCS
(mm)
(μm의)
Ω · cm
a / cm3
cm2 / Vs
/ cm2
1-100
GaSb 및
(100) ± 0.5
50.8
500 ± 25
SSP
N / A
1E17 – 5E18
N / A
1000 미만
1-100
GaSb 및
(111) A ± 0.5
50.8
500 ± 25
SSP
N / A
1E17 – 5E18
N / A
1000 미만
1-100
GaSb 및
(111) B
50.8
N / A
N / A
N / A
(5-8) E17
N / A
N / A
1-100
GaSb 및
(111) B
50.8
N / A
N / A
N / A
도핑
없음
N / A
N / A
1-100
GaSb 및
(100) ± 0.5
50.8
500
SSP
N / A
피/
(1-5) E17cm-3
N / A
N / A
1-100
GaSb 및
(100) ± 0.5
50.8
500
SSP
N / A
엔/
(1-5) E17cm-3
N / A
N / A
1-100
GaSb 및
(100) ± 0.5
50.8
500
SSP
N / A
N / Te
(1-8) E17 / (2-7) E16
N / A
1000 미만
1-100
GaSb 및
(100)
50.8
450 ± 25
SSP
N / A
N / A
(1-1.2) E17
N / A
N / A
1-100
GaSb 및
(100)
50.8
350 ± 25
SSP
N / A
N / A
N / A
N / A
N / A
1-100
GaSb 및
(100)
76.8
500-600
N / A
N / A
도핑
없음
N / A
N / A
1-100
GaSb 및
(100)
100
800 ± 25
DSP
N / A
P / Zn
N / A
N / A
N / A
1-100
GaSb 및
(100)
100
250 ± 25
N / A
N / A
P / ZnO
N / A
N / A
N / A

GaSb 웨이퍼 공급 업체로서 GaSb 반도체 목록을 참조 용으로 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요하면 영업 팀에 문의하십시오.

1) 2 ", 3"GaSb 웨이퍼
Orientation:(100)±0.5°
Thickness(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:P/undoped;P/Si;P/Zn
Nc(cm-3):(1~2)E17
Mobility(cm2/V ·s):600~700
Growth Method:CZ
Polish:SSP

2) 2 ″ GaSb 웨이퍼
Orientation:(100)±0.5°
Thickness(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:N/undoped;P/Te
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

참고 :
*** As manufacturer, we also accept small quantity for researcher or foundry.
***Delivery time: it depends on stock we have, if we have stock, we can ship to you soon.

GaAs 웨이퍼 기판 – 갈륨 비소  
자료
정위.
직경
두께
폴란드어
저항
형 도펀트
체크 안함
유동성
EPD
PCS
(mm)
(μm의)
Ω · cm
a / cm3
cm2 / Vs
/ cm2
1-100
갈륨 비소
(100)
25.4
4000 ± 50
DSP
> 1E7
도핑
N / A
N / A
<1E5
1-100
갈륨 비소
(100)
50.7
350-370
SSP
> 1E7
도핑
N / A
>3500
<10000
1-100
갈륨 비소
(100) (011)쪽으로 2 ° ± 0.50 떨어져
50.7
350 ± 10
SSP
(0.8-9) E-3
N / Si
(8) E17
2000-3000
<5000
1-100
갈륨 비소
(100) (011)쪽으로 6 ° ± 0.50 떨어져
50.7
350 ± 20
SSP
(0.8-9) × 10-3
N / Si
(0.2-4) E18
≥1000
≤5000
1-100
갈륨 비소
(100)
50.8
350
SSP
N / A
P / Zn
(1-5) E19
N / A
<5000
1-100
갈륨 비소
(100)
50.8
5000 ± 50
SSP
> 1E8
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100)
50.8
4000 ± 50
SSP
> 1E7
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100)
50.8
8000 ± 10
컷으로
> 1E7
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100)
50.8
8000 ± 10
DSP
> 1E7
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100) 2 °
50.8
3000
SSP
> 1E7
N / Si
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100)
50.8
350 ± 25
SSP
> 1E7
N / A
(1-5) E19
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100)
50.8
350 ± 25
SSP
N / A
N / A
(0.4-3.5) E18
≥1400
≤100
1-100
갈륨 비소
(100) 0 ° 또는 2 °
76.2
130 ± 20
DSP
N / A
도핑
N / A
N / A
<10000
1-100
갈륨 비소
(100) 2 ° ± 0.50
76.2
350 ± 25
SSP
N / A
N / Si
(0.4-2.5) E18
N / A
≤5000
1-100
갈륨 비소
(100)
76.2
350 ± 25
SSP
N / A
N / A
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100)
76.2
350 ± 25
SSP
> 1E7
도핑
N / A
N / A
≤8E4 또는 1E4
1-100
갈륨 비소
(100)
76.2
625 ± 25
DSP
> 1E7
도핑
N / A
≥4500
≤8E4 또는 1E4
1-100
갈륨 비소
(100) (110)쪽으로 2 ° ± 0.10 떨어져
76.2
500
SSP
> 1E7
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100) 2 °
100
625
DSP
> 1E7
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100) 2 °
100
625 ± 25
DSP
N / A
N / A
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100) (011)쪽으로 2 ° ± 0.50 떨어져
100
350 ± 25
SSP
N / A
N / Si
(0.4-3.5) E18
N / A
≤5000
1-100
갈륨 비소
(100) (110)쪽으로 2 ° ± 0.10 꺼짐
100
625 ± 25
DSP
(1-4) E18
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100) (011)쪽으로 2 ° ± 0.50 떨어져
100
625 ± 25
DSP
(1.0-4.0) 1E8
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100) (011)쪽으로 2 ° ± 0.50 떨어져
100
625 ± 25
DSP
(1-4) E8
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100) (011)쪽으로 2 ° ± 0.50 떨어져
100
350 ± 25
SSP
N / A
N / Si
(0.4-4) E18
N / A
≤5000
1-100
갈륨 비소
(100) (011)쪽으로 15 ° ± 0.50 오프
100
350 ± 25
SSP
N / A
N / Si
(0.4-4) E18
N / A
≤5000
1-100
갈륨 비소
(100) 2 ° ± 0.50
100
350 ± 25
DSP
N / A
N / Si
(0.4-4) E18
N / A
≤5000
1-100
갈륨 비소
(100) 2 ° ± 0.50
100
625 ± 25
SSP
(1-4) E18
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100) 2 ° ± 0.50
150
675 ± 25
DSP
> 1E7
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(100) 0 ° ± 3.0 °
150
675 ± 25
DSP
> 1.0 × 107
도핑
N / A
N / A
N / A
1-100
갈륨 비소
(310)
50.8 / 76.2
N / A
N / A
N / A
N / A
N / A
N / A
N / A

GaAs 웨이퍼 공급 업체로서 GaAs 반도체 목록을 참조 용으로 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요하면 영업 팀에 문의하십시오.

참고 :
*** As manufacturer, we also accept small quantity for researcher or foundry.
***Delivery time: it depends on stock we have, if we have stock, we can ship to you soon.*** We offer GaAs epitaxy service by MBE and MOCVD, please contact with our sales team.

GaP 웨이퍼 기판-갈륨 Posphide
자료
정위.
직경
두께
폴란드어
저항
형 도펀트
체크 안함
유동성
EPD
PCS
(mm)
(μm의)
Ω · cm
a / cm3
cm2 / Vs
/ cm2
1-100
(111)
50
5000 ± 20
SSP
N / A
N
N / A
N / A
N / A
1-100
(111) ± 0.5 °
50 ± 0.5
300 ± 20
N / A
N / A
S
(2 ~ 7) × 1E17
≥100
<3 × 1E5
1-100
(111) ± 0.5 °
50 ± 0.5
300 ± 20
N / A
N / A
(1 ~ 2) × 1E17
≥100
<3 × 1E5

GaP 웨이퍼 공급 업체로서 GaP 반도체 목록을 참조 용으로 제공합니다. 가격 세부 사항이 필요하면 영업 팀에 문의하십시오.

참고 :
*** As manufacturer, we also accept small quantity for researcher or foundry.
***Delivery time: it depends on stock we have, if we have stock, we can ship to you soon.

GAAS GALLIUM ARSENIDE CRYSTAL SUBSTRATES

SAPPHIRE 0001 N-TYPE P-TYPE SI의 질화 갈륨 GAN 템플릿

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