Total Thickness Variation (TTV): The maximum variation in the wafer thickness. Total Thickness Variation is generally determined by measuring the wafer in 5 locations of a cross pattern (not too close to the wafer edge) and calculating the maximum measured difference in thickness. The TTV (Total Thickness Variation) value is used to determine the surface quality parameters of the thinned wafer, which will directly affects the subsequent packaging process and the final quality of the chip. Generally, the smaller the TTV, the better the intra-chip uniformity. The wafer TTV from PAM-XIAMEN can meet your process requirements.
1. Warum variiert die Gesamtdicke eines Wafers?
Die Gesamtdicke eines Wafers kann während des Schleifprozesses aufgrund einer Reihe von Faktoren variieren, die speziell in Tabelle 1 gezeigt werden:
| Tabelle 1 Faktoren, die TTV beeinflussen | |
| Nein. | Faktoren |
| 1. | Der Winkel zwischen Schleifscheibenspindel und Auflagetisch entspricht nicht den technologischen Anforderungen |
| 2 | Ebenheit der Tischoberfläche |
| 3 | Die Achsen der Auflagetische sind nicht parallel |
| 4 | Die Sauberkeit des Auflagetisches und ob Rückstände vorhanden sind |
| 5 | Radqualität |
| 6 | Schleifprozessparameter |
| 7 | Steifigkeit des Schleifvorschubsystems |
| 8 | Systemsteifigkeit des Auflagetisches |
Unter allen Faktoren ist der grundlegende Faktor, dass der Winkel zwischen der Spindel und dem Auflagetisch den Prozessanforderungen entspricht. Es gibt einen bestimmten Winkel zwischen der Schleifscheibe und dem Auflagetisch, was der Schlüsselprozess ist, um eine bessere Oberflächenqualität der Waferausdünnung zu erhalten, den TTV zu kontrollieren, die Lebensdauer der Schleifscheibe zu verlängern und die innere Spannung der Ausdünnung zu reduzieren.
2. Wie steuert man TTV, um die Anforderungen der Benutzerprozesse zu erfüllen?
Wie in Fig. 1 gezeigt, wird die Gewährleistung des Winkelwertes Δβ zwischen der Hauptwelle der Schleifscheibe und dem Stütztisch hauptsächlich durch Einstellen des Winkels der Hauptwelle oder des Lagertisches verwirklicht. Durch Anpassung kann der △β-Winkel zwischen der Hauptwelle und dem Lagertisch die Prozessanforderungen erfüllen.
Abb. 1 Winkel zwischen Hauptwelle und Stütztisch
Am Ende wird der in Abbildung 2 gezeigte Schleifzustand der Schleifscheibe erreicht, d. h. während des Schleifvorgangs der Schleifscheibe ist nur der 0B-Abschnitt der Schleifscheibe der Hauptschleifbereich, der auch der Schlüsselbereich ist, der sichergestellt werden muss das TTV im Wafer. Vor dem Schneiden betragen die Winkel der Achse relativ zu den drei Punkten B0A des Wafers 0, 0 bzw. –20°. Der Schlüsselpunkt, der sich auf TTV auswirkt, besteht darin, sicherzustellen, dass der relative Winkel zwischen Punkt 0 und Punkt B 0 ist.
Abb. 2 Schleifen
Der Schlüssel zur Lösung dieses Problems besteht darin, die Abweichung online entsprechend der Schleifgenauigkeit des Wafers anzupassen. Sein Einstellprinzip besteht darin, dass nach Abschluss der anfänglichen manuellen Einstellung der Ausrüstung der Wafer geschliffen und von einem berührungslosen Online-Messgerät gescannt wird, um den TTV-Wert des Wafers und die spezifische Position der Waferdicke zu erhalten. Gemäß den spezifischen Dickenparametern wird die Korrelationsfunktion berechnet und der Winkel durch die automatische Steuervorrichtung eingestellt.
Dieser Anpassungsprozess ist: Schleifen gemäß dem manuell angepassten Wafer, Messen des TTV-Werts des ersten Wafers online, Anpassen des Winkels gemäß dem Messergebnis und dann Schleifen des Wafers. Der Wert wird schrittweise reduziert, bis die Anforderungen des Benutzerprozesses erfüllt sind.
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