関連リンク_化合物半導体ウェーハ

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1。ガリウムヒ素

https://www.powerwaywafer.com/GaAs-Wafer.html

2.2。エピウェーハ

https://www.powerwaywafer.com/GaAs-Epiwafer.html

3。窒化ガリウム

https://www.powerwaywafer.com/GaN-Wafer.html

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フロートゾーン単結晶シリコン


PAM-XIAMENでは、フロートゾーン法により得られるフロートゾーンシリコンウェーハを提供できます。単結晶シリコンロッドはフロートゾーン成長によって得られ、その後、単結晶シリコンロッドをフロートゾーンシリコンウェーハと呼ばれるシリコンウェーハに加工します。フローティングゾーンシリコンプロセス中、ゾーンメルトシリコンウェーハは石英るつぼと接触していないため、シリコン材料は浮遊状態にあります。これにより、シリコンのフローティングゾーン溶解プロセス中の汚染が少なくなります。炭素含有量と酸素含有量が低く、不純物が少なく、抵抗率が高くなります。パワーデバイスや特定の高電圧電子デバイスの製造に適しています。
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テストウェーハモニターウェーハダミーウェーハ


PAM-XIAMENはダミーウェーハメーカーとして、生産装置に使用され、生産工程初期の安全性向上や納期確認、工程形状の評価に使用されるシリコンダミーウェーハ/テストウェーハ/モニターウェーハを提供しています。ダミーシリコンウェーハは実験やテストに使用されることが多いため、そのサイズと厚さが重要な要素となることが多い。 100mm、150mm、200mm、300mmのダミーウエハをご用意しております。
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ナノファブリケーションフォトレジスト


PAM-XIAMEN フォトレジスト付きフォトレジストプレートを提供
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フォトマスク


PAM-厦門オファーフォトマスク

フォトマスクは、厚い基板に支えられたマスキング材の薄いコーティングであり、マスキング材はさまざまな程度で光を吸収し、カスタムデザインでパターン化できます。パターンは、光を変調し、フォトリソグラフィのプロセスを通じてパターンを転写するために使用されます。フォトリソグラフィは、今日のほとんどすべてのデジタルデバイスを構築するために使用される基本的なプロセスです。
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CdZnTeの（CZT）ウェハー


テルル化カドミウム亜鉛 (CdZnTe または CZT) は、放射線を効果的に電子に変換できる新しい半導体で、主に赤外薄膜エピタキシー基板、X 線検出器、ガンマ線 CdZnTe 検出器に使用されます。
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Ge（ゲルマニウム）単結晶およびウェーハ


PAM-XIAMEN は、2 インチ、3 インチ、4 インチ、および 6 インチのゲルマニウムウェーハを提供しています。これは、VGF / LEC によって成長させた Ge ウェーハの略です。低濃度ドープの P 型および N 型ゲルマニウムウェーハは、ホール効果の実験にも使用できます。結晶ゲルマニウムは室温では脆く、可塑性がほとんどありません。ゲルマニウムは半導体の性質を持っています。高純度ゲルマニウムに三価元素（インジウム、ガリウム、ホウ素など）をドープすると、P 型ゲルマニウム半導体が得られます。 5価元素（アンチモン、ヒ素、リンなど）をドープしてN型ゲルマニウム半導体を得る。ゲルマニウムは、高い電子移動度や高い正孔移動度など、優れた半導体特性を備えています。

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