ハイライト • ウェハレベルでの異種 Si-to-InP 回路の製造スキームについて説明します。 ●接合後は4～8μm以上のウェハ間アライメント精度が得られます。 •最大 220 GHz の優れたパフォーマンスを備えた相互接続が実証されました。 •Alベースの技術と金ベースの技術を組み合わせる場合に必要なパラジウムバリア。 要約 InP-HBT と SiGe-BiCMOS テクノロジーの両方の材料特性を活用するために [...]
InP(311)B基板上に成長させた1550nm帯多層QD-SOAの利得特性とフェムト秒光パルス応答 本稿では、ひずみ補償法により成長させた155nm帯多層QD-SOAを実証しました。 InP(311)B 基板上で技術を開発し、超高速応用に向けて基本利得特性とフェムト秒光パルス応答を評価しました。
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