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MM波回路用のベンゾシクロブテンベースのウェーハボンディングによるSiGe-BiCMOS集積上の3次元InP-DHBT

Highlights •Fabrication scheme for heterogenous Si-to-InP circuits on wafer level is described. •Wafer-to-wafer alignment accuracy better than 4–8 μm after bonding obtained. •Interconnects with excellent performance up to 220 GHz demonstrated. •Palladium barrier necessary when combining Al-based technology with gold based one. Abstract In order to benefit from the material properties of both InP-HBT and SiGe-BiCMOS technologies [...]

InP(311)B基板上に成長させた1550nm帯マルチスタックQD-SOAの利得特性とフェムト秒光パルス応答

InP(311)B基板上に成長させた1550nm帯マルチスタックQD-SOAの利得特性とフェムト秒光パルス応答 本論文では、歪み補償法により成長させた155nm帯マルチスタックQD-SOAを実証しました。 InP(311)B基板上での技術を開発し、超高速への応用のための基本的な利得特性とフェムト秒光パルス応答を評価した[...]