従来とは製造プロセスが異なるため、単結晶SiC材料上にSiCパワーデバイスを直接作製することはできません。 エピタキシャル層上にさまざまなデバイスを製造するには、導電性単結晶基板上に高品質のエピタキシャル材料を成長させることが必須です。 SiC は通常、PVT 法を採用しています。
2021-02-25メタ著者
PAM XIAMEN offers (100) orientation Silicon Substrates.
Below is just a small selection. Let us know if you can use or if we can quote you on another spec.
Item
Material
Orient.
Diam
(mm)
Thck
(μm)
Surf.
Resistivity
Ωcm
Comment
PAM2929
n-type Si:P
[100]
4″
525
P/E
43657
SEMI Prime, 2Flats, Empak cst
PAM2930
n-type Si:P
[100]
4″
525
P/E
43657
SEMI Prime, 2Flats, Empak cst
PAM2931
n-type Si:P
[100]
4″
224
P/E
5–10
SEMI Flats (two), Empak cst, Cassette of [...]
2019-02-22メタ著者
PAM XIAMEN は 4 インチ CZ プライムシリコンウェーハを提供しています。 シリコンウェハ、SEMI Prime 準拠、P/P 4 インチØ×525±25µm、p 型 Si:B[100]±0.5°、Ro=(0.001-0.005)Ohmcm、TTV<5µm、Bow<30µm、Warp< 30µm、両面研磨、SEMI フラット (1 個)、Empak または同等のカセットに封入。 詳細については、弊社 Web サイト https://www.powerwaywafer.com をご覧いただくか、sales@powerwaywafer.com まで電子メールをお送りください。[...]
2019-07-05メタ著者
PAM-XIAMEN offers (20-21) Plane U-GaN Freestanding GaN Substrate
Item
PAM-FS-GAN(20-21)-U
Dimension
5 x 10 mm2 or 5 x 20 mm2
Thickness
380+/-50um
Orientation
(20-21)/(20-2-1) plane off angle toward A-axis 0 ±0.5°
(20-21)/(20-2-1) plane off angle toward C-axis -1 ±0.2°
Conduction Type
N-type / Undoped
Resistivity (300K)
< 0.1 Ω·cm
TTV
≤ 10 µm
BOW
BOW ≤ 10 µm
Surface Roughness:
Front side: Ra<0.2nm, epi-ready;
Back side: Fine Ground or polished.
Dislocation Density
≤5 x 106 cm-2
Macro Defect Density
0 cm-2
Useable Area
> 90% (edge exclusion)
Package
each in single wafer container, under nitrogen atmosphere, packed in class 100 clean room
For more information, please contact us email at victorchan@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com
2020-08-20メタ著者
Helium implantation-induced layer splitting of InP in combination with direct wafer bonding was utilized to achieve low temperature layer transfer of InP onto Si(1 0 0) substrates. InP(1 0 0) wafers with 4 inch diameter were implanted by 100 keV helium ions with a dose of 5 × 1016 cm−2. Then [...]
2019-12-09メタ著者
PAM XIAMEN offers SiO2 (single crystal quartz).
Single crystal quartz wafer is an excellent substrate for microwave filters for wireless communication industries.
Conversion from the three-index system to the four as [u ‘ v ‘ w ‘ ] —> [u v t w] is [...]
2019-05-15メタ著者
