2-4.웨이퍼 표면 방향성
격자 구조 내의 결정학적 평면에 대한 웨이퍼 표면의 방향을 나타냅니다.
의도적으로 "오프 방향"으로 절단된 웨이퍼에서 절단 방향은 2차 at에서 멀어지고 1차 at과 평행합니다.
웨이퍼 중앙에 있는 잉곳당 하나의 웨이퍼 샘플에 대해 X선 각도계로 측정됩니다.
2-4.웨이퍼 표면 방향성
격자 구조 내의 결정학적 평면에 대한 웨이퍼 표면의 방향을 나타냅니다.
의도적으로 "오프 방향"으로 절단된 웨이퍼에서 절단 방향은 2차 at에서 멀어지고 1차 at과 평행합니다.
웨이퍼 중앙에 있는 잉곳당 하나의 웨이퍼 샘플에 대해 X선 각도계로 측정됩니다.
5-5-2 SiC-Selective Doping: Ion Implantation The fact that diffusion coefficients of most SiC dopants are negligibly small (at 1800°C) is excellent for maintaining device junction stability, because dopants do not undesirably diffuse as the device is operated long term at high temperatures. Unfortunately, this characteristic also largely [...]
2-29.Resistivity The resistance to current flow and movement of electron and hole carries in the silicon carbide. Resistivity is related to the ratio of voltage across the silicon to the current flowing through the silicon carbide per unit volume of silicon carbide. The units for [...]
2-13.Hex Plate Hexagonal shaped platelets on the surface of the wafer which appear silver in color to the unaided eye, under diffuse illumination.
2-11.Edge Chips Any edge anomalies (including wafer saw exit marks) in excess of 1.0 mm in either radial depth or width. As viewed under diffuse illumination, edge chips are determined as unintentionally missing material from the edge of the wafer.
2-24.Wafer Orientation Wafers are grown from crystal having a regular crystal structure, with silicon having a diamond cubic structure with a lattice spacing of 5.430710 Å (0.5430710 nm).When cut into wafers, the surface is aligned in one of several relative directions known as crystal orientations. [...]
Most SiC electronic devices are not fabricated directly in sublimation-grown wafers, but are instead fabricated in much higher quality epitaxial SiC layers that are grown on top of the initial sublimation grown wafer. Well-grown SiC epilayers have superior electrical properties and are more controllable [...]
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