1.2Gallium Nitride(GaN)-Definition Despite the fact that GaN has been studied far more extensively than the other group III nitrides, further investigations are still needed to approach the level of understanding of technologically important materials such as Si and GaAs. GaN growth often suffers from large background n-type carrier concentrations because of native defects and, [...]
1.2.1 Chemical Properties of GaN Since Johnson et al. [139] first synthesized GaN in 1932, a large body of information has repeatedly indicated that GaN is an exceedingly stable compound exhibiting significant hardness. It is this chemical stability at elevated temperatures combined with its hardness that has made GaN an attractive material for [...]
1.2.2 Mechanical Properties of GaN GaNhas a molecular weight of 83.7267 g mol1 in the hexagonalwurtzite structure.The lattice constant of early samples of GaN showed a dependence on growth conditions, impurity concentration, and film stoichiometry [151]. These observations were attributed to a high concentration of interstitial and bulk extended defects. A case in point [...]
1.2.3Thermal Properties of GaN In a similar vein,GaN and other allied group III nitride semiconductors are grown at high temperatures and also subjected to increased junction temperatures during operation of devices such as amplifiers and light emitting devices. As such, the structures are subjected to thermal variations as well. In this context, it [...]
1.1 질화물 그룹 III 질화물의 결정 구조는 결정 구조 일 수 있습니다 : wurtzite (Wz), 아연 혼합 (ZB) 및 암염. 주변 조건에서 열역학적으로 안정적인 구조는 벌크 AlN, GaN 및 InN의 경우 wurtzite입니다. GaN과 InN의 아연 혼합 구조는 박막의 에피 택셜 성장에 의해 안정화되었습니다 ...]
소개 이진 사촌 InN과 AlN을 대표하는 GaN과 사분원과 함께 삼원은 Si 다음으로 가장 중요한 반도체 중 하나로 간주됩니다. 모든 종류의 조명 및 디스플레이, 레이저, 검출기 및 고출력 증폭기에서 풍부한 응용 분야를 찾는 것은 놀라운 일이 아닙니다. 이러한 응용 프로그램은 [...]
5-1 소개 실리콘 카바이드 (SiC) 기반 반도체 전자 장치 및 회로는 현재 기존 반도체가 적절하게 수행 할 수없는 고온, 고전력 및 고 방사선 조건에서 사용하기 위해 개발되고 있습니다. 이러한 극한 조건에서 기능 할 수있는 실리콘 카바이드의 능력은 광범위한 애플리케이션 및 시스템에 상당한 개선을 가능하게 할 것으로 예상됩니다. 이 범위 [...]
실리콘 카바이드 (SiC) 재료는 현재 연구 개발에서 시장 주도형 제조 제품으로 변모하고 있습니다. SiC 기판은 현재 세계의 녹색, 청색 및 자외선 발광 다이오드 (LED) 생산의 상당 부분을위한 기반으로 사용되고 있습니다. SiC homoepitaxy의 신흥 시장에는 고전력 스위칭이 포함됩니다. [...]
5-2-1-1 SiC 결정학 실리콘 카바이드는 다형이라고 불리는 다양한 결정 구조에서 발생합니다. 모든 SiC 폴리 타입은 화학적으로 50 % 실리콘 원자와 공유 결합 된 50 % 탄소 원자로 구성되어 있지만, 각 SiC 폴리 타입은 고유 한 전기 반도체 특성 세트를 가지고 있습니다. 알려진 100 개가 넘는 동안 [...]
5-2-1-2 전기적 특성 SiC 결정 격자 내에서 Si와 C 원자의 배열이 다르기 때문에 각 SiC 다형은 고유 한 기본 전기적 및 광학적 특성을 나타냅니다. 3C, 4H 및 6H SiC 폴리 타입의보다 중요한 반도체 전기적 특성 중 일부는 표 5.1에 나와 있습니다. 훨씬 더 자세한 전기 [...]
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