시험 급 실리콘 웨이퍼 -6-

시험 급 실리콘 웨이퍼 -6-

PAM XIAMEN은 테스트 등급 실리콘 웨이퍼를 제공합니다.

아래는 테스트 등급 실리콘 기판의 간단한 목록입니다!

신장 고객 클래스 도펀트 유형 정위 PFL 길이 PFL 방향 SFL 오프 방향 저항 직경 두께 활 TTV 경사
6 SSP 붕소 P+ 100 57,5 ± 2,5 100 ± 1 0.0 ± 5.0 ° 0.001 – 100옴cm 150 ± 0.5mm 675 ± 200μm 100 20 100
6 SSP 붕소 P 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0.0 ± 0.5 ° > 0.3옴cm 150 ± 0.5mm 400 ± 50μm 60 30 60
6 SSP 붕소 P+ 100 47,5 ± 2,5 110 ± 1 0.0 ± 1° 0.010 – 0.020옴cm 150 ± 0.5mm 508 ± 15μm 60
6 SSP 인 N 111 57,5 ± 2,5 110 ± 1 4.0 ± 1.0 ° 4 – 8옴cm 150 ± 0.2mm 650 ± 50μm 60 10 60
6 SSP 인 N 111 57,5 ± 2,5 110 ± 1 4.0 ± 1.0 ° 0.75 – 5.00옴cm 150 ± 0.2mm 675 ± 25μm 10 50
6 SSP 인 N 111 57,5 ± 2,5 110 ± 1 4.0 ± 1.0 ° 0.75 – 5.00옴cm 150 ± 0.2mm 675 ± 25μm
6 SSP 안티몬 N+ 100 47,5 ± 2,5 011 ± 1 0.0 ± 1.0° 0.008 – 0.016옴cm 150 ± 0.5mm 550 ± 15μm
6 SSP 안티몬 N+ 100 47,5 ± 2,5 011 ± 1 0.0 ± 1.0° 0.008 – 0.016옴cm 150 ± 0.5mm 400 ± 15μm
6 SSP 안티몬 N+ 100 0,0 ± 0,0 110 ± 1 [110] 쪽으로 4° ± 0.5° 0.005-0.030옴cm 150 ± 0.2mm 1000 ± 20μm 50 50
6 SSP 안티몬 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,50 0.0 ± 0.5 ° 0.01 – 0.025옴cm 150 ± 0.5mm 1000 ± 30μm 8
6 SSP 안티몬 N+ 111 57,5 ± 2,5 110 ± 1 4.0 ± 0.5 ° 0.01 – 0.02옴cm 150 ± 0.5mm 625 ± 15μm 30
6 SSP 안티몬 N+ 100 47,5 ± 2,5 110 ± 1 0.0 ± 1.0° 0.01 – 0.020옴cm 150 ± 0.5mm의 625 ± 10μm 40 5 40
6 SSP 안티몬 N+ 111 57,5 ± 2,5 011 ± 1 3.0 ± 0.5° < 0.016옴cm 150 ± 0.3mm 300 ± 15μm 25 10 60
6 SSP 안티몬 N+ 100 0,0 ± 0,0 110 ± 1 [110] 쪽으로 1° ± 0.25° 0.005-0.030옴cm 150 ± 0.2mm 750 ± 10μm 50 50
6 SSP 안티몬 N+ 100 0,0 ± 0,0 110 ± 1 [110] ± 0.25° 방향으로 4° 0.005-0.030옴cm 150 ± 0.2mm 750 ± 10μm 50 50
6 SSP 안티몬 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0.0 ± 1.0 ° 0.005 – 0.020옴cm 150 ± 0.2mm 625 ± 15μm
6 SSP 안티몬 N+ 111 57,5 ± 2,5 110 ± 1 3.0 ± 0.5 ° 8 – 17mOhmcm 150.0 ± 0.2mm 625 ± 15μm 40 10 40
6 SSP 안티몬 N+ 100 0,0 ± 0,0 110 ± 1 [110] 쪽으로 2° ± 0.5° 0.005-0.030옴cm 150 ± 0.2mm 1000 ± 10μm 50 50
6 SSP 안티몬 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,30 0.0 ± 0.5° 0.005 – 0.020옴cm 150.0 ± 0.2mm 675 ± 15μm 20 5 35
6 SSP 안티몬 N+ 111 57,5 ± 2,5 011 ± 1 3.0 ± 0.5° < 0.016옴cm 150 ± 0.3mm 300 ± 15μm 25 10 60
6 SSP 안티몬 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 135 ± 5° °, 20 ± 2.5mm 0.0 ± 0.5° 0.005 – 0.020옴cm 150 ± 0.5mm 525 ± 25μm 50 5 50
6 SSP 안티몬 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0.0 ± 1.0° 0.005 – 0.020옴cm 150 ± 0.2mm 625 ± 15μm 40 10 25
6 SSP 안티몬 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0.0 ± 1.0 ° < 0.020옴cm 150 ± 0.2mm 625 ± 15μm 6 55
6 SSP 안티몬 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 135 ± 5.0 °, 20.00 ± 2.5mm 0.0 ± 0.5° 0.005 – 0.020옴cm 150 ± 0.5mm 525 ± 25μm 38 12 38
6 SSP 안티몬 N+ 100 47,5 ± 2,5 110 ± 1 0.0 ± 1.0° 0.01 – 0.020옴cm 150 ± 0.5mm의 625 ± 10μm
6 SSP 안티몬 N+ 100 0,0 ± 0,0 110 ± 1 [110] 쪽으로 1° ± 0.25° 0.005-0.030옴cm 150 ± 0.2mm 1000 ± 10μm
6 SSP 안티몬 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 0,30 0.0 ± 0.5° 0.005-0.020옴cm 150.0 ± 0.2mm 665-685 µm
6 SSP 안티몬 N+ 100 47,5 ± 2,5 011 ± 1 0.0 ± 0.5° 0.008 – 0.020옴cm 150 ± 0.5mm 625 ± 15μm 4,5 50
6 SSP 안티몬 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0.0 ± 1.0 ° < 0.020옴cm 150 ± 0.2mm 625 ± 15μm
6 SSP 비소 N+ 111 47,5 ± 2,5 110 ± 1 2.5 ± 0.5 ° <0.003옴cm 150 ± 0.5mm 625 ± 25μm 60 15 60
6 SSP 비소 N+ 111 47,5 ± 2,5 110 ± 1 2.5 ± 0.5 ° <0.004옴cm 150 ± 0.5mm 625 ± 25μm 60 8 60
6 SSP 비소 N+ 111 57,5 ± 2,5 011 ± 1 3.0 ± 0.5 ° 1 – 4mOhmcm 150 ± 0.2mm 625 ± 15μm 10 40
6 SSP 비소 N+ 100 47,5 ± 1,0 110 ± 0,50 0.0 ± 0.5° 0.003 – 0.004옴cm 150.0 ± 0.2mm 625 ± 15μm 30 10 30
6 SSP 비소 N+ 111 47,5 ± 2,5 110 ± 1 2.5 ± 0.5 ° 0.002 – 0.004옴cm 150 ± 0.2mm 625 ± 15μm 30 5 45
6 SSP 비소 N+ 111 57,5 ± 2,5 011 ± 1 3.0 ± 0.5 ° 1 – 4mOhmcm 150 ± 0.2mm 625 ± 15μm 10 40
6 SSP 비소 N+ 111 57,5 ± 2,5 011 ± 1 3.0 ± 0.5 ° 1 – 4mOhmcm 150 ± 0.2mm 625 ± 15μm 10 40
6 SSP 비소 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0.0 ± 1.0 ° 0.003 – 0.005옴cm 150.0 ± 0.2mm 625 ± 15μm 15 60
6 SSP 비소 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0.0 ± 1.0 ° 0.003 – 0.005옴cm 150 ± 0.2mm 625 ± 15μm 15 60
6 SSP 비소 N+ 111 57,5 ± 2,5 110 ± 1 4.0 ± 1.0° 0.0020-0.0026옴cm 150 ± 0.25mm 508 ± 15μm 15 40
6 SSP 비소 N+ 111 57,5 ± 2,5 110 ± 1 4.0 ± 0.5 ° < 0.0035옴cm 150 ± 0.7mm 440 ± 20μm 90 17 90
6 SSP 비소 N+ 111 57,5 ± 2,5 110 ± 1 4.0 ± 1.0° 0.0020-0.0026옴cm 150 ± 0.25mm 508 ± 15μm 15 40
6 SSP 비소 N+ 111 0,0 ± 0,0 110 ± 1 2.5 ± 0.5 ° <0.006옴cm 150 ± 0.5mm 675 ± 25μm 60 15 60
6 SSP 비소 N+ 111 57,5 ± 2,5 110 ± 1 4.0 ± 0.5 ° < 0.0035옴cm 150 ± 0.7mm 440 ± 20μm 90 17 90
6 SSP 비소 N+ 111 57,5 ± 2,5 011 ± 1 3.0 ± 0.5 ° 1 – 4mOhmcm 150 ± 0.2mm 625 ± 15μm 10 40
6 SSP 비소 N+ 100 47,5 ± 1,0 110 ± 0,50 0.0 ± 0.5° 0.002 – 0.003옴cm 150.0 ± 0.2mm 625 ± 15μm 30 10 30
6 SSP 비소 N+ 100 47,5 ± 1,0 110 ± 0,50 0.0 ± 0.5° 0.003 – 0.004옴cm 150.0 ± 0.2mm 625 ± 15μm 30 10 30
6 SSP 비소 N+ 100 57,5 ± 2,5 110 ± 1 0.0 ± 1.0° 0.003 – 0.008옴cm 150 ± 0.5mm 380 ± 15μm 45 5 45
6 SSP 비소 N+ 111 0,0 ± 0,0 110 ± 1 2.5 ± 0.5 ° <0.006옴cm 150 ± 0.5mm 675 ± 25μm 60 15 60
6 SSP 비소 N+ 111 57,5 ± 2,5 110 ± 1 4.0 ± 1.0° 0.0020-0.003옴cm 150 ± 0.25mm 508 ± 15μm 15 40
6 SSP 비소 N+ 100 47,5 ± 2,5 0TT ± 1 0.0 ± 1.0 ° < 0.0035옴cm 150.0 ± 0.2mm 625 ± 25μm 6 40
6 SSP 비소 N+ 111 57,5 ± 2,5 110 ± 1 4.0 ± 1.0° 0.0020-0.0026옴cm 150 ± 0.25mm 508 ± 15μm 15 40

자세한 내용은 다음 웹 사이트를 방문하십시오. https://www.powerwaywafer.com,
에서 우리에게 이메일을 보내 sales@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com
1990년에 설립된 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd(PAM-XIAMEN)는 중국의 주요 반도체 재료 제조업체입니다. PAM-XIAMEN은 고급 결정 성장 및 에피택시 기술, 제조 공정, 엔지니어링 기판 및 반도체 장치를 개발합니다.PAM-XIAMEN's 기술은 반도체 웨이퍼의 고성능 및 저비용 제조를 가능하게 합니다.

25개 이상의 반도체 라인 경험을 바탕으로 문의부터 A/S까지 무상 기술 서비스를 받으실 수 있습니다.

2019-02-25

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