2.5インチPBNヒーター

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(111) シリコンウェーハ

PAM XIAMEN は (111 枚) のシリコン ウェーハを提供しています。 必要なものが見つからない場合は、仕様を電子メールでお送りください。 直径 (mm) 材料ドーパントの方向。 厚さ (μm) 表面。 抵抗率 Ωcm コメント 6 インチ n 型 Si:P [111] ±0.5° 300 ±15 P/P FZ >6,000 SEMI Prime、1Flat (57.5mm)、寿命 >1,000μs、Empak cst 7 インチ n 型 Si:P [111] ±0.5° 300 ±15 P/P FZ >6,000 SEMI Prime、1Flat (57.5mm)、寿命 > 1,000μs、Empak cst 8 インチ真性 Si:- [111] ±0.5° 750 E/E FZ >10,000 SEMIノッチ、TEST（欠陥、[...]

2019-02-22メタ著者
LD Bare Bar for 976nm@cavity 4mm

PAM XIAMEN offers LD Bare Bar for 976nm@cavity 4mm. Brand: PAM-XIAMEN Wavelength: 976nm Filling Factor: 10% Output Power: 35W Cavity Length:4mm For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com Found in 1990, Xiamen Powerway Advanced Material Co., [...]

2019-05-09メタ著者
5″ FZ Silicon wafers

PAM XIAMEN offers 5″ FZ Silicon wafers Silicon wafers, per SEMI Prime, P/P 5″Ø×240±10µm, FZ p-type Si:B[100]±0.5°, Ro=(240-280)Ohmcm, TTV<5µm, Bow<25µm, Warp<25µm, Both-sides-polished, SEMI Flat (one), Sealed in Empak or equivalent cassette, MCC Lifetime>1000µs. For more information, send us email at sales@powerwaywafer.com and powerwaymaterial@gmail.com

2021-03-19メタ著者
3インチシリコンEPIウェーハ-2

PAM XIAMEN offers 3″ Silicon EPI Wafers. Substrate EPI Comment Size Type Res Ωcm Surf. Thick μm Type Res Ωcm 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 28.5 n- Si:P 4±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 28.5 n- Si:P 20±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 30 n- Si:P 4.5±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 34 n- Si:P 9.5±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 34 n- Si:P 12±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 34 n- Si:P 11±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 36 n- Si:P 4±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 41 n- Si:P 25±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 42 n- Si:P 20.5±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 42.5 n- Si:P 17±10% n/n+ 3″Øx355μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 52.5 n- Si:P 12.5±10% n/n+ 3″Øx381μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 56 n- Si:P 12±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 70 n- Si:P 73±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 72 n- Si:P 12.5±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 73 n- Si:P 84±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 75 n- Si:P 13±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 75 n- Si:P 11±10% n/n+ 3″Øx508μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 80 n- Si:P 12±10% n/n+ 3″Øx375μm n- Si:As[111] 0.001-0.005 P/E 85 n- [...]

2019-03-08メタ著者
光学グレードのダイヤモンド ウィンドウ ブランク

IR用途向けの光透過性を備えた工業用ダイヤモンドウィンドウブランクが市販されています。 現在のダイヤモンド光学窓部品の適用波長は基本的にX線、深紫外からマイクロ波までの全波長を網羅しています。 したがって、使用される光学窓/フェアリングの開発には大きな意味があります。

2021-10-19メタ著者
GaAs HEMT epi wafer

PAM-XIAMEN can offer 4” GaAs HEMT epi wafer with 2D electron gas (2DEG) and very high electron mobility of 5-7E5 cm2/V.s, please see below typical wafers of gallium arsenide with HEMT structure: 1. GaAs HEMT Epitaxial Wafer Structures Structure 1: 4″ AlGaAs / GaAs HEMT epi wafer (PAM200416-HEMT): HEMT [...]

2013-11-19メタ著者