PAM XIAMEN はシリコンインゴットを提供しています。 材料の説明 3 インチØ×174mm p 型 Si:Ga[100] (1.77-2.13)Ωcm、インゴット「アズグロウン」、(82-85)mmØ、RRV=8%、酸素=6.2E17/cc 4 インチØ×(504+504+523+147+144)mm、p型Si:B[111]、As-Grown、Crysteco製 (5ing 6c、10b(Gnd 1F)、14a(Gnd 1F)、21Aa 、30d(Gnd 1F)) 3"Ø インゴット p 型 Si:B[111] ±0.5°、Ro: 1-10 Ohmcm、アズグロウン、(3 つのインゴット: 217mm、32mm、169mm) 3"Ø×36mmインゴット、p 型 Si:B[211]±2°、[...]
2019-03-08メタ著者
According to data published by WSTSabout worldwide semiconductor market, all product categories and regions are forecasted to grow steadily but moderately in the next two years, under the assumption of a further macro economy recovery throughout the entire forecast period and maturing historically strong [...]
2016-03-15メタ著者
炭化珪素の結晶型は世界に200種類以上ありますが、その中で現在の炭化珪素ウェーハ生産の主流となっている結晶型は4H-SiCです。 PAM-XIAMEN の 100mm 炭化ケイ素の以下の仕様が利用可能です: 1. 100mm 炭化ケイ素 4H N タイプの仕様 炭化ケイ素 N タイプの仕様 直径 100mm – ポリタイプ 4H-SiC A タイプ N タイプ SiC 基板 抵抗 0.015 [... 】
2020-03-06メタ著者
Highlights
•Elaboration of a smooth 3C–SiC membrane on a SiC substrate.
•Faceted surface for the (110) orientation but smoother for the (111) orientation.
•Roughness of the 3C–SiC membrane limited to 9 nm for the (111) orientation.
•New MEMS devices feasible.
•The huge SiC properties could be entirely exploited.
The cubic [...]
PAM-XIAMEN can offer 4” GaAs HEMT epi wafer with 2D electron gas (2DEG) and very high electron mobility of 5-7E5 cm2/V.s, please see below typical wafers of gallium arsenide with HEMT structure:
1. GaAs HEMT Epitaxial Wafer Structures
Structure 1: 4″ AlGaAs / GaAs HEMT epi wafer (PAM200416-HEMT):
HEMT [...]
PAM XIAMEN offers Silicon Wafer Thickness:275+- 25µm.
Silicon Wafer ,2in Si Wafer,P/Boron <111> ON +-1°,
0.01-0.02 Ohm-cm ,275+- 25µm Thickness,SSP,
PRIME -Si Wafers,Single SidePolished/Etched Back,
Primary Semi Std Flat,
Surface Roughness <1nm
For more information, please visit our website: https://www.powerwaywafer.com,
send us email at [...]
2019-08-22メタ著者