シリコンウェーハ | |||||||||||
Siウェーハ基板-シリコン | |||||||||||
数量 | 材料 | オリエンテーション。 | 直径 | 厚さ | ポーランド語 | 抵抗率 | タイプドーパント | NC | モビリティ | EPD | |
PCS | (MM) | (ミクロン) | Ω・cmで | a / cm3 | cm2/ Vs | /CM2 | |||||
1-100 | シ | N / A | 25.4 | 280 | SSP | 1-100 | P / b | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | N / A | 25.4 | 280 | SSP | 1-100 | P / b | (1-200)E16 | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 25.4 | 525 | N / A | <0.005 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 25.4 | 525±25 | SSP | <0.005 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | 酸化物層を含むSi | (100) | 25.4 | 525±25 | SSP | <0.005 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 25.4 | 350-500 | SSP | 1〜10 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 25.4 | 400±25 | P / E | <0.05 | P/ | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 50.4 | 400±25 | P / E | <0.05 | P/ | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | 90nmのSiO2を含むp-Si | (100) | 50.4 | 500±25 | P / E | <0.05 | P/ | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | 90nmのSiO2を含むn-Si | (100) | 50.4 | 500±25 | P / E | <0.05 | N / | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | 285nmSiO2を含むp-Si | (100) | 50.4 | 500±25 | P / E | <0.05 | N / | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | 285nmSiO2を含むn-Si | (100) | 50.4 | 500±25 | P / E | <0.05 | N / | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | 電極付きSi | (100) | 50.8 | 400 | N / A | <0.05 | N / p | 1E14-1E15 | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 50.8 | 275 | SSP | 1〜10 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 50.8 | 275±25 | SSP | 1〜10 | N / p | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (111) | 50.8 | 350±15 | SSP | >10000 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 50.8 | 430±15 | SSP | 5000-8000 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (111) | 50.8 | 410±15 | SSP | 1〜20 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (111) | 50.8 | 400-500 | SSP | >5000 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 50.8 | 525±25 | SSP | 1〜50 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 50.8 | 500±25 | SSP | 1〜10 | N P | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 50.8 | 500±25 | P / P | >700 | P/ | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 76.2 | 400±25 | P / E | <0.05 | P/ | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | 90nmのSiO2を含むp-Si | (100) | 76.2 | 500±25 | P / E | <0.05 | P/ | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | 90nmのSiO2を含むn-Si | (100) | 76.2 | 500±25 | P / E | <0.05 | N / | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | 285nmSiO2を含むp-Si | (100) | 76.2 | 500±25 | P / E | <0.05 | N / | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | 285nmSiO2を含むn-Si | (100) | 76.2 | 500±25 | P / E | <0.05 | N / | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 625 | SSP | >10000 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 525 | SSP | N / A | N / P | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 320 | SSP | > 2500ohm・cm | P / b | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | N / A | SSP | 10〜30 | N / p | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 505±25 | SSP | 0.005-0.20 | N/Pドープ | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 381 | SSP | 0.005-0.20 | N/Pドープ | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 525 | DSP | 1-100 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 525 | DSP | 1-100 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 625±25 | SSP | 0.001-0.004 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | 酸化物層3000Aを含むSi | (100) | 100 | 675±25 | SSP | 0.001-0.004 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 625±25 | SSP | 0.001-0.004 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | N / A | SSP | N / A | P / b | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 500±25 | SSP | 1〜25 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 500 | SSP | 1〜10 | P/ | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 500±25 | P / E | 1-10 | N / | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 500/525±25 | P / P | 1-10 | N / | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 500/525±25 | N / A | N / A | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 100 | 500±25 | P / P | >700 | P/ | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 150 | 675±25 | N / A | 0.001-0.004 | P / b | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 150 | 675±25 | N / A | 0.001-0.004 | P / b | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100)/(111) | 150 | 550〜650 | DSP | N / A | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100)/(111) | 150 | 600-700 | SSP | <0.5 | N / A | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (111) | 150 | 400±25 | DSP | <50 | N / | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 150 | 545 | P / E | 1-3 | N / | N / A | N / A | N / A | |
1-100 | シ | (100) | 200 | 725±25 | SSP | 1〜25 | P/ | N / A | N / A | N / A |
シリコンウェーハサプライヤーとして、参考のために炭化ケイ素リストを提供しています。価格の詳細が必要な場合は、営業チームにお問い合わせください。
注:
- メーカーとして、研究者や鋳造所向けの少量も受け付けています。
- 納期:在庫状況によりますが、在庫があればすぐに発送いたします。