テストグレードシリコンウェーハ-8

テストグレードシリコンウェーハ-8

PAM XIAMENはテストグレードのシリコンウェーハを提供

以下は、テストグレードのシリコン基板の短いリストです。

インチ カストクラス ドーパント タイプ 方向付け PFLの長さ PFLの方向 SFL オフ方向 抵抗率 直径 厚さ 弓 TTV ワープ
6 SSP ボロン P 100 57,5±2,5 110±0、20 0.0±0.2° 1〜10オームcm 150.0±0.2 mm 600±5 µm 3
6 SSP ボロン P 111 0,0±0,0 110±1 0.0±0.2° 25〜75オームcm 150±0.2mm 1000±15µm
6 SSP ボロン P+ 100 57,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 0.007 –0.020オームcm 150±0.2mm 625±15 µm 15 60
6 SSP ボロン P+ 100 57,5±2,5 110±1 0.0±0.5° 0.01 –0.02オームcm 150±0.5 mm 380±15 µm 45 6 45
6 SSP ボロン P 100 47,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 1〜100オームcm 150±0.5 mm 1000±25 µm 10
6 SSP ボロン P 100 57,5±2,5 110±0、50 0.0±0.5° 1〜5オームcm 150±0.2mm 500±10 µm
6 SSP ボロン P+ 100 47,5±1,5 110±1 0.0±1.0° <5ミリオームcm 150±0.15 mm 625±15 µm 20 10
6 SSP ボロン P+ 111 57,5±2,5 011±0,50 0.0±0.2° 0.005 –0.020オームcm 150±0.2mm 675±25 µm 20 4 40
6 SSP ボロン P 100 47,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 1〜100オームcm 150±0.5 mm 1000±25 µm 10
6 SSP ボロン P 100 47,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 1〜100オームcm 150±0.5 mm 1000±25 µm 10
6 SSP ボロン P+ 111 57,5±2,5 011±0,50 0.0±0.2° 0.005 –0.020オームcm 150±0.2mm 675±25 µm 20 4 50
6 SSP ボロン P+ 100 57,5±2,5 110±1 0.0±0.5° > 0.01オームcm 150±0.2mm 1300±25µm
6 SSP ボロン P 100 57,5±2,5 110±1 90±5.0°、20.00±2.50 mm 2.0±1.0° 5.0 –7.0オームcm 150±0.5 mm 635±25µm 38 12
6 SSP ボロン P+ 100 57,5±1,0 100±1 0.0±1.0° 0.001 –0.004オームcm 150.0±0.2 mm 675±15 µm 10 60
6 SSP ボロン P 100 47,5±2,5 110±0、50 {0TT} 4.0±0.5° 3.5 – 7.0オームcm 150±0.2mm 625±15 µm
6 SSP ボロン P 100 57,5±2,5 110±1 90±5.0°、20.00±2.50 mm 2.0±1.0° 5.0 –7.0オームcm 150±0.5 mm 635±25µm 38 12
6 SSP ボロン P+ 100 57,5±2,5 110±0、50 0.0±0.5° 0.01 –0.02オームcm 150±0.2mm 675±15 µm
6 SSP ボロン P+ 100 47,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 0.007 – 0.025 Ohmcm 150±0.5 mm 625±15 µm
6 SSP ボロン P+ 100 47,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 0.010 –0.020オームcm 150±0.5 mm 508±15 µm 60
6 SSP ボロン P 100 57,5±2,5 110±1 0±0.5° 80 – 120Ωcm 150±0.5 mm 675±25 µm 60 10 60
6 SSP ボロン P 100 57,5±2,5 110±1 0.0±0.5° 40 – 60Ωcm 150.0±0.5 mm 675±25 µm
6 SSP ボロン P 100 57,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 1〜10オームcm 150±0.2mm 675±15 µm 5
6 SSP ボロン P 111 57,5±2,5 110±1 0.0±0.3° 10 – 50 Ohmcm 150±0.5 mm 1000±25 µm
6 SSP ボロン P 111 57,5±2,5 110±1 0±0.3° 10 – 50 Ohmcm 150±0.2mm 675±25 µm
6 SSP リン N 100 57,5±2,0 110±0、50 0±1° 31.5 –38.5オームcm 150.0±0.5mm 625±15 µm 40 5 40
6 SSP リン N 111 57,5±2,5 011±1 3.0±0.5° 2〜7Ωcm 150±0.3mm 380±15 µm 40 10 40
6 SSP リン N 100 57,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 1.7 –2.3オームcm 150±0.2mm 675±15 µm 6 50
6 SSP リン N 111 57,5±2,5 011±1 0.0±0.5° 3〜5オームcm 150±0.5 mm 380±15 µm 40 10 40
6 SSP リン N 100 57,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 0.45 – 0.75 Ohmcm 150±1.0mm 675±15 µm 10 40
6 SSP リン N 111 57,5±2,5 110±1 45±5.0°、20.00±2.50 mm 0.0±1.5° 5.5 – 30.0 Ohmcm 150±0.5 mm 635±25µm 38 12
6 SSP リン N 100 57,5±2,5 011±0,50 0.0±0.5° 9 – 13Ωcm 150±0.2mm 625±15 µm 35 5 35
6 SSP リン N 111 57,5±2,5 110±1 45±5.0°、37.50±2.50 mm 0.5±0.5° 77 –97オームcm 150±0.25 mm 380±10 µm 15 40
6 SSP リン N 100 57,5±2,5 110±0、50 0.0±0.5° 5±2オームcm 150±0.2mm 625±20µm 5
6 SSP リン N 100 57,5±2,5 110±1 0.0±0.5° 10.5 – 19.5 Ohmcm 150±0.5 mm 1300±25µm
6 SSP リン N 100 47,5±1,0 100±1 0.0±0.5° 55オームcm±8％ 150±0.2mm 625±15 µm 4,5 70
6 SSP リン N 100 57,5±2,5 110±0、20 0.0±0.2° 1〜10オームcm 150±0.5 mm 575〜600 µm
6 SSP リン N 100 57,5±2,5 110±0、50 0.0±0.5° 5±2オームcm 150±0.2mm 625±20µm
6 SSP リン N 100 0,0±0,0 110±1 0.0±1.0° 1-5オームcm 150±0.2mm 625±25 µm 50 10 50
6 SSP リン N 100 57,5±2,5 110±1 0.0±0.6° 10.5 – 19.5 Ohmcm 150±0.2mm 1300±25µm 10
6 SSP リン N 100 57,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 1.7 –2.3オームcm 150±0.2mm 675±15 µm
6 SSP リン N 100 57,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 3.0-9.0オームcm 150.0±0.2 mm 675±20 µm 60 10 60
6 SSP レッドフォス。 N+ 100 57,5±2,5 110±1 0.0±1.0° 1.5ミリオームcm未満 150.0±0.2mm 675±10µm 60 10 60
6 SSP レッドフォス。 N+ 100 47,5±2,5 01T±0,50 0.0±0.5° 0.015〜0.035 Ohmcm 150±0.5 mm 400±15 µm 40 5 40
6 SSP レッドフォス。 N+ 100 47,5±2,5 01T±0,50 0.0±0.5° 0.015〜0.035 Ohmcm 150±0.5 mm 380±15 µm 40 5 40
6 SSP レッドフォス。 N+ 100 47,5±2,5 110±0、50 0.0±1.0° 0.015 –0.020オームcm 150±0.2mm 400±15 µm
6 SSP レッドフォス。 N+ 100 47,5±2,5 110±0、50 0.0±1.0° 0.015 –0.020オームcm 150±0.2mm 400±15 µm
6 SSP レッドフォス。 N+ 100 47,5±2,5 01T±0,50 0.0±0.5° 0.015〜0.035 Ohmcm 150±0.5 mm 350±15 µm 40 5 40
6 SSP レッドフォス。 N+ 100 47,5±2,5 01T±0,50 0.0±0.5° 0.015〜0.035 Ohmcm 150±0.5 mm 350±15 µm 40 5 40
6 SSP レッドフォス。 N+ 100 47,5±2,5 01T±0,50 0.0±0.5° 0.015〜0.035 Ohmcm 150±0.5 mm 234.5±12.5µm 40 5 60
6 SSP レッドフォス。 N+ 100 47,5±2,5 01T±0,50 0.0±0.5° 0.015〜0.035 Ohmcm 150±0.5 mm 234.5±12.5µm 5 60
6 SSP レッドフォス。 N+ 111 57,5±2,5 011±1 3.0±0.5° 0.0011-0.0015 Ohmcm 150±0.3mm 260±15 µm 60 10 60

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。 https://www.powerwaywafer.com,
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com

アモイパワーウェイアドバンスドマテリアルカンパニー（PAM-XIAMEN）は、1990年に設立された中国の半導体材料のリーディングカンパニーです。PAM-XIAMENは、高度な結晶成長とエピタキシー技術、製造プロセス、設計された基板と半導体デバイスを開発しています。PAM-XIAMENのテクノロジーにより、半導体ウェーハの高性能化と低コスト化が可能になります。

半導体ラインでの25以上の経験に基づいて、問い合わせからアフターサービスまで無料のテクノロジーサービスを利用できます。

2019-02-25

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