PAM 하문 4 "직경 웨이퍼를 제공합니다.

4 "직경 웨이퍼

GE N 형 4 ", 도핑

게르마늄 웨이퍼 (111) 4 "직경 X 0.5 mm, 1SP, N 형 (도핑 명사에 붙여서의 뜻을 나타냄)
게르마늄 웨이퍼 (100). 도핑, 4 "직경 0.5 mm, X를 1SP
게르마늄 웨이퍼 (100). 도핑, 4 '디아 X 0.5 mm, 2SP, R> 50 Ω · cm
게르마늄 웨이퍼 (110). 도핑, 4 '디아 X 0.5 mm, 1SP, R :> 50 ohm.cm
게르마늄 웨이퍼 (110). 도핑, 4 '디아 X 0.5 mm, 2SP, R :> 50 ohm.cm
게르마늄 웨이퍼 (111) 4 "직경 X 0.5 mm, 2SP, N 형 (도핑 명사에 붙여서의 뜻을 나타냄)

게르마늄 P 형 4 "의 Ga 도핑

게르마늄 웨이퍼 (100) 직경 100 X 0.5 mm, 1SP P 형 (조지아 도핑) R : 1-5 ohm.cm
게르마늄 웨이퍼 (100). X 100mm 직경 0.5 mm, 2SP, P 형 (GA 도핑) R : 0.004-0.01ohm.cm
게르마늄 웨이퍼 (100). X 100mm 직경 0.5 mm, 2SP, P 형 (GA 도핑) R : 1.4-1.7 ohm.cm
VGF - 게르마늄 웨이퍼 (100) <111>, (100) mmdia X가 0.5 mm가 1SP은 P 타입 (GA 도핑) R쪽으로도 6과 잘려진 : 0.296-0.326 Ohm.cm
VGF - 게르마늄 웨이퍼가 0.5 mm, 2SP은 P 타입 (GA 도핑) X (100) 100mm 직경 R : 0.128-0.303 Ohm.cm
VGF - 게르마늄 웨이퍼 (100). 100mm 0.4 mm가 2SP은 P 타입 (GA 도핑) 디아 X R : 0.0038-0.0158 Ohm.cm
VGF - 게르마늄 웨이퍼 (100). 0.279-0.324 Ohm.cm 100 mmdia X 0.175 mm, 1SP는 P 타입 R을 (GA 도핑)
VGF - 게르마늄 웨이퍼 (100). 100 mmdia X 0.175 mm, 2SP, P 형 (GA 도핑) R : 0.1-0.182 ohm.cm
VGF - 게르마늄 웨이퍼 X 0.5 mm가 1SP은 P 타입 (GA가 도핑 된) (100) (100) mmdia R : 0.128-0.303 Ohm.cm

게르마늄, N 형, 4 "및 Sb로 도핑 된 바와

게르마늄 웨이퍼 (100) X 100mm 직경 0.5 mm, 2SP, N 형 (안티몬 도핑) R : 2.5-2.7 ohm.cm
0.1-0.5 ohm.cm : 주요 평탄 <110> X 100mm 직경 0.5 mm, 1SP, N 형 (안티몬 도핑) R과 게르마늄 웨이퍼 (100)
게르마늄 웨이퍼 (110) 4 "직경 X 0.5 mm, 2SP, N 형 (안티몬 도핑) R : 0.1-0.5ohm.cm
게르마늄 웨이퍼 (110) 4 "직경 X 0.5 mm, 2SP, N 형 (안티몬 도핑) R : 1-5 ohm.cm
게르마늄 웨이퍼 (110) 4 "직경 X 0.5 mm, 1SP, N 형 (안티몬 도핑) R : 1-5 ohm.cm
VGF - 게르마늄 웨이퍼 (100) X 100mm 직경 0.5 mm, 1SP, N 형 (용접선 도핑), R : 0.214-0.250 ohm.cm
VGF - 게르마늄 웨이퍼 (100) X 100mm 직경 0.5 mm, 2SP, N 형 (용접선 도핑), R : 0.173-0.25 ohm.cm
게르마늄 웨이퍼 (111)의 비저항과 X 0.5 mm가 1SP는 N 타입 (SB- 도핑) 4 "직경 : 0.014-0.022 오옴 cm-
게르마늄 웨이퍼 (111)의 비저항과 X 0.5 mm가 2SP는 N 타입 (SB- 도핑) 4 "직경 : 0.014-0.022 오옴 cm-
평면 (100) 4 "직경 X 0.5 mm, 1SP, N 형 (안티몬 도핑) 저항률과 게르마늄 웨이퍼 (100) : 0.1 ~ 0.5 Ω · cm

자세한 내용은 저희 웹 사이트를 방문하십시오 : https://www.powerwaywafer.com,
에서 우리에게 이메일을 보내 sales@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com

1990 년에 발견 하문 Powerway 고급 재료 유한 공사 (PAM-하문)는 중국에서 반도체 재료의 선도적 인 제조 업체입니다.PAM-XIAMEN 고급 크리스탈 성장 에피 택시 기술, 제조 공정 설계의 기판 및 반도체 장치를 개발하고있다.PAM-XIAMEN의 기술은 높은 성능 및 반도체 웨이퍼의 제조 비용 절감을 가능하게한다.

PAM-XIAMEN 고급 크리스탈 성장 에피 택시 기술 일세 게르마늄 웨이퍼의 Ga, 알에서, A와 P에 기초하여 III-V 실리콘 도핑 된 n 형 반도체 재료의 기판 성장 에피 택시와, 2 세대 갈륨 비소의 범위를 개발 제 3 세대로, MBE 또는 MOCVD에 의해 성장 : 실리콘 카바이드 갈륨 질화물 LED 전원 장치 애플리케이션.