PAM XIAMEN은 Si+SiO2+Ti(TiO2)+Pt(다결정 또는 단결정) 박막을 제공하며 사양은 다음과 같습니다.

1. Coated Silicon Wafer 사양

Si+SiO2 +Ti( or TiO2)+Pt (111) 고배향성 다결정

Si 기판 위의 SiO2+Ti+Pt(111) 박막, 5x5x0.525mm, 1sp, P형, B 도핑, (SiO2=300nm, Ti=10nm, Pt(111)=150nm)
Si 기판 위의 SiO2+Ti+Pt(111) 박막, 10x10x0.525mm,1sp P-type B-doped,( SiO2=300nm,Ti=10nm ,Pt(111)=150nm)
Si 기판 위의 SiO2+Ti+Pt(111) 박막 ,2″x0.279mm,1sp P-type — SI-SO-Ti-Pt (111) 50D0279C1
Si 기판 위의 SiO2+Ti+Pt(111) 박막, 4″x0.525mm,1sp P-type B-doped,( SiO2=300nm,Ti=10nm ,Pt(111)=150nm)
Si 기판 위의 SiO2+Ti+Pt(111) 박막, 4″x0.525mm,1sp P-type B-doped,( SiO2=300nm,Ti=3nm ,Pt(111)=60nm)
Si 기판 상의 SiO2+TiO2+Pt(111) 박막, 4″x0.525mm,1sp N-type un-doped, (SiO2=300nm,TiO2=20nm ,Pt(111)=150nm)
Si 기판 위의 SiO2+TiO2+Pt(111) 박막, 4″x0.525mm,1sp P-type B-doped, (SiO2=300nm,TiO2=20nm ,Pt(111)=150nm)
ZnO/Pt/Ti 코팅 Si 웨이퍼, 4″x0.525mm,1sp P형 B 도핑,(ZnO=150nm ,Pt=150nm Ti=20-40nm)

Si+SiO2 +Ti+Pt 다결정

(Pt/Ti/SiO2/Si) 상의 BiFeO3 필름(400nm), 10x10x0.5mm – BiFeO3-Pt-101005S1
Si (B-doped) 기판 위의 SiO2+Pt 박막, 10x10x0.5mm,1sp (SiO2=500nm, Pt=60nm)

2. 코팅된 실리콘 웨이퍼에 대한 FAQ

질문 1:귀사의 Si+SiO2 +Ti( or TiO2)+Pt 박막은 어떤 분야에 사용될 계획입니까?

:Si+SiO2 +Ti(또는 TiO2)+Pt 박막이 전극으로 사용된다.

질문 2:SiO2는 실리온 기판에서 어떻게 성장합니까?

:우리의 SiO2 박막은 열 산화에 의해 Si 웨이퍼에 증착됩니다.

질문 3:Si 웨이퍼에서 Ti+Pt 필름이 어떻게 침전됩니까?

:우리는 Si 웨이퍼에 Ti 및 Pt 박막을 에피택시하기 위해 스퍼터링을 사용합니다.

질문 4:TiO2는 SiO2 웨이퍼에서 어떻게 성장합니까?

:TiO2 필름은 스퍼터링에 의해 증착됩니다.

질문 5:실리콘에 스퍼터링한 백금의 순도는?

:실리콘에 스퍼터링한 Pt 순도는 99.99%입니다.

자세한 내용은 이메일로 문의하십시오.victorchan@powerwaywafer.com 과 powerwaymaterial@gmail.com.

1990년에 설립된 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd(PAM-XIAMEN)는 중국의 선도적인 반도체 재료 제조업체입니다.PAM-XIAMEN은 고급 결정 성장 및 에피택시 기술, 제조 공정, 가공 기판 및 반도체 장치를 개발합니다.PAM-XIAMEN의 기술은 반도체 웨이퍼의 고성능 및 저비용 제조를 가능하게 합니다.

1990년 이전에 우리는 응집물질 물리학 연구 센터를 소유하고 있다고 명시되어 있습니다. 1990년에 센터는 Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd(PAM-XIAMEN)를 출범시켰고 현재는 중국에서 화합물 반도체 재료의 선두 제조업체입니다.