Si + SiO2 + Ti（またはTiO2）+Pt薄膜

Si + SiO2 + Ti（またはTiO2）+Pt薄膜

PAM XIAMEN offers Si+SiO2+Ti(TiO2)+Pt (Poly or single crystalline)Thin Film, specifications are as follows:

1. Specifications of Coated Silicon Wafer

Si + SiO2 + Ti（またはTiO2）+ Pt（111）高配向性多結晶

Si基板上のSiO2+Ti + Pt（111）薄膜、5x5x0.525mm、1sp、Pタイプ、Bドープ、（SiO2 = 300nm、Ti = 10nm、Pt（111）= 150nm）
Si基板上のSiO2+Ti + Pt（111）薄膜、10x10x0.525mm、1sp P型Bドープ、（SiO2 = 300nm、Ti = 10nm、Pt（111）= 150nm）
Si基板上のSiO2+Ti + Pt（111）薄膜、2″ x0.279mm、1sp Pタイプ— SI-SO-Ti-Pt（111）50D0279C1
Si基板上のSiO2+Ti + Pt（111）薄膜、4″ x0.525mm、1sp P型Bドープ、（SiO2 = 300nm、Ti = 10nm、Pt（111）= 150nm）
Si基板上のSiO2+Ti + Pt（111）薄膜、4″ x0.525mm、1sp P型Bドープ、（SiO2 = 300nm、Ti = 3nm、Pt（111）= 60nm）
Si基板上のSiO2+TiO2 + Pt（111）薄膜、4″ x0.525mm、1sp N型アンドープ、（SiO2 = 300nm、TiO2 = 20nm、Pt（111）= 150nm）
Si基板上のSiO2+TiO2 + Pt（111）薄膜、4″ x0.525mm、1sp P型Bドープ、（SiO2 = 300nm、TiO2 = 20nm、Pt（111）= 150nm）
ZnO / Pt / TiコーティングされたSiウェーハ、4″ x0.525mm、1sp PタイプBドープ、（ZnO = 150nm、Pt = 150nm Ti = 20-40nm）

Si + SiO2 + Ti+Pt多結晶

BiFeO3フィルム（400nm）on（Pt / Ti / SiO2 / Si）、10x10x0.5mm – BiFeO3-Pt-101005S1
SiO2+Pt thin film on Si (B-doped)substrate ,10x10x0.5mm,1sp (SiO2=500nm, Pt=60nm)

2. FAQ about Coated Silicon Wafers

Q1: What field is your Si+SiO2 +Ti( or TiO2)+Pt Thin film planned to be used in?

A: The Si+SiO2 +Ti( or TiO2)+Pt thin film is used as electrode.

Q2: How does SiO2 grow on silion substrate?

A: Our SiO2 thin film is deposited on Si wafer by thermal oxidation.

Q3: How does Ti+Pt film precipitate on Si wafer?

A: We use sputtering to epitaxial Ti and Pt thin film on Si wafer.

Q4: How does TiO2 grow on SiO2 wafer?

A: TiO2 film is deposited by sputtering.

Q5: What is the purity of platinum that you sputtered on silicon?

A: The Pt purity we sputtered on silicon is 99.99%.

詳細については、メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com.

1990年に設立されたXiamenPowerwayAdvanced Material Co.、Ltd（PAM-XIAMEN）は、中国の半導体材料の大手メーカーです。PAM-XIAMENは、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、工学的基板、および半導体デバイスを開発しています。PAM-XIAMENの技術は、半導体ウェーハのより高い性能とより低コストの製造を可能にします。

1990年以前は、私たちは物性物理学研究センターを所有していると言われていました。 1990年にセンターはXiamenPowerwayAdvanced Material Co.、Ltd（PAM-XIAMEN）を立ち上げ、現在は中国の化合物半導体材料の大手メーカーです。

2019-04-29

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