PAM-XIAMEN은 통신 전자공학 또는 광전자공학 분야의 고급 제품을 위한 양면 연마된 초박형 GaAs 웨이퍼를 제공합니다. 기존 GaAs 웨이퍼의 일반적인 두께는 350μm 이상이며, 초박형 연삭 디스크의 목표 두께는 100μm입니다. n 유형이 있고 다음과 같이 도핑되지 않은 PAM190709-GAAS:
1. 초박형 GaAs 웨이퍼 사양
1.1N형 초박형 GaAs 웨이퍼
| 매개 변수 | 투기 | 샘플 데이터 | 단위 | |
| 1 | 성장 방법 | VGF | VGF | — |
| 2 | 직경 | 50.6土0.2 | 50.6±0.2 | MM |
| 3 | 유형-도펀트 | N / Si | N/SI | — |
| 4 | 비저항 | (0.8-9.0)E-3 | (1.78-5.69)E-3 | Ohm.cm |
| 5 | 유동성 | >1500 | >1500 | cm2 / vs |
| 6 | 캐리어 농도 | (0.4-4.0)E18 | (0.47-4.00)E18 | / cm3 |
| 7 | EPD | ≦5000 | ≦5000 | / cm2 |
| 8 | 크리스탈 방향 | (100)2°+/-0.5°오프 | (100).2°+/-0.5°오프 | 정도 |
| -<111>Aa≒0° 방향 | Aa=0° 방향으로<111> | |||
| 9 | 1차 평면 방향 | EJ(0-1-1)+/-0.5° | EJ(0-1-1)+0.5° | 정도 |
| 길이 | 17+/-1.0 | 17+/-1.0 | MM | |
| 10 | 2차 평면 방향 | EJ(0-11)0.5° | EJ(0-11)+0.5° | 정도 |
| 길이 | 7+/-1.0 | 7+/-1.0 | MM | |
| 11 | 두께 | 110+/-15 | 110+/-15 | 음 |
| 12 | 앞면 | 우아한 | 우아한 | — |
| 13 | 뒷면 표면 | 우아한 | 우아한 | — |
| 14 | TV | N / A | N / A | 음 |
| 15 | 활 | N / A | N / A | 음 |
| 16 | 경사 | N / A | N / A | 음 |
초박형 GaAs 웨이퍼
1.2 C doped Ultra Thin Gallium Arsenide Wafer
| 매개 변수 | 투기 | 샘플 데이터 | 단위 | |
| 1 | 성장 방법 | VGF | VGF | — |
| 2 | 직경 | 50.6土0.2 | 50.6±0.2 | MM |
| 3 | 유형-도펀트 | N/c doped | N/c doped | — |
| 4 | 비저항 | >=1E7 | >=1E7 | Ohm.cm |
| 5 | 유동성 | >3000 | >3000 | cm2 / vs |
| 6 | 캐리어 농도 | – | – | / cm3 |
| 7 | EPD | <5000 | <5000 | / cm2 |
| 8 | 크리스탈 방향 | (100)+/-0.5 | (100)+/-0.5 | 정도 |
| 9 | 1차 평면 방향 | EJ(0-1-1)+/-0.5° | EJ(0-1-1)+0.5° | 정도 |
| 길이 | 17+/-1.0 | 17+/-1.0 | MM | |
| 10 | 2차 평면 방향 | EJ(0-11)0.5° | EJ(0-11)+0.5° | 정도 |
| 길이 | 7+/-1.0 | 7+/-1.0 | MM | |
| 11 | 두께 | 110+/-15 | 110+/-15 | 음 |
| 12 | 앞면 | 우아한 | 우아한 | — |
| 13 | 뒷면 표면 | 우아한 | 우아한 | — |
| 14 | TV | N / A | N / A | 음 |
| 15 | 활 | N / A | N / A | 음 |
| 16 | 경사 | N / A | N / A | 음 |
2. 초박형 GaAs 웨이퍼의 목적
초박형 GaAs 웨이퍼는 전원 스위치 튜브의 온 저항을 줄이고 열 전도성이 떨어지는 것을 방지하며 기판을 통과하는 긴 비아를 제거하여 칩 뒷면과 전기의 상호 연결을 달성합니다. 또한 초박형 GaAs 웨이퍼는 열을 증가시키고 수직 상호 연결을 단순화하여 장치 효율성을 향상시킬 수 있습니다.
자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.victorchan@powerwaywafer.com과powerwaymaterial@gmail.com