極薄GaAsウエハー
PAM-XIAMEN は、通信エレクトロニクスまたはオプトエレクトロニクスのハイエンド製品向けに、両面研磨された超薄型 GaAs ウェーハを提供しています。既存のGaAsウェーハの一般的な厚さは350μm以上であり、極薄研削ディスクの目標厚さは100μmです。次のような n 型およびアンドープの PAM190709-GAAS:
1. 超薄型GaAsウェーハの仕様
1.1N型極薄GaAsウエハ
| アイテム | パラメーター | スペック | サンプルデータ | ユニット |
| 1 | 成長方法 | VGF | VGF | — |
| 2 | 直径 | 50.6土0.2 | 50.6士0.2 | ミリ |
| 3 | タイプドーパント | N/Si | 北/西 | — |
| 4 | 抵抗率 | (0.8-9.0)E-3 | (1.78-5.69)E-3 | Ohm.cm |
| 5 | モビリティ | > 1500 | > 1500 | cm2 / vs |
| 6 | キャリア濃度 | (0.4-4.0)E18 | (0.47-4.00)E18 | /cm3 |
| 7 | EPD | ≦5000 | ≦5000 | / cm 2の |
| 8 | 結晶方位 | (100)2°+/-0.5°オフ | (100).2°+/-0.5°オフ | 程度 |
| -<111>Aa≈0°方向 | <111>Aa=0°方向 | |||
| 9 | 一次平面方向 | EJ(0-1-1)+/-0.5° | EJ(0-1-1)+0.5° | 程度 |
| 長さ | 17+/-1.0 | 17+/-1.0 | ミリ | |
| 10 | 二次平面方向 | EJ(0-11)0.5° | EJ(0-11)+0.5° | 程度 |
| 長さ | 7+/-1.0 | 7+/-1.0 | ミリ | |
| 11 | 厚さ | 110+/-15 | 110+/-15 | ええと |
| 12 | 正面側面 | ポリッシュ | ポリッシュ | — |
| 13 | 裏面 | ポリッシュ | ポリッシュ | — |
| 14 | テレビ | N / A | N / A | ええと |
| 15 | 弓 | N / A | N / A | ええと |
| 16 | ワープ | N / A | N / A | ええと |
1.2 C ドープ超薄ガリウムヒ素ウエハ
| アイテム | パラメーター | スペック | サンプルデータ | ユニット |
| 1 | 成長方法 | VGF | VGF | — |
| 2 | 直径 | 50.6土0.2 | 50.6士0.2 | ミリ |
| 3 | タイプドーパント | N/Cドープ | N/Cドープ | — |
| 4 | 抵抗率 | >=1E7 | >=1E7 | Ohm.cm |
| 5 | モビリティ | > 3000 | > 3000 | cm2 / vs |
| 6 | キャリア濃度 | – | – | /cm3 |
| 7 | EPD | <5000 | <5000 | / cm 2の |
| 8 | 結晶方位 | (100)+/-0.5 | (100)+/-0.5 | 程度 |
| 9 | 一次平面方向 | EJ(0-1-1)+/-0.5° | EJ(0-1-1)+0.5° | 程度 |
| 長さ | 17+/-1.0 | 17+/-1.0 | ミリ | |
| 10 | 二次平面方向 | EJ(0-11)0.5° | EJ(0-11)+0.5° | 程度 |
| 長さ | 7+/-1.0 | 7+/-1.0 | ミリ | |
| 11 | 厚さ | 110+/-15 | 110+/-15 | ええと |
| 12 | 正面側面 | ポリッシュ | ポリッシュ | — |
| 13 | 裏面 | ポリッシュ | ポリッシュ | — |
| 14 | テレビ | N / A | N / A | ええと |
| 15 | 弓 | N / A | N / A | ええと |
| 16 | ワープ | N / A | N / A | ええと |
2. 超薄型GaAsウェーハの目的
超薄型 GaAs ウェハは、パワー スイッチ チューブのオン抵抗を低減し、熱伝導率の低下を回避し、基板を貫通する長いビアを排除して、チップ裏面との電気の相互接続を実現します。さらに、超薄型 GaAs ウェーハは熱を増加させ、垂直方向の相互接続を簡素化してデバイス効率を向上させることができます。
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