極薄GaAsウエハー

極薄GaAsウエハー

PAM-XIAMEN は、通信エレクトロニクスまたはオプトエレクトロニクスのハイエンド製品向けに、両面研磨された超薄型 GaAs ウェーハを提供しています。 既存のGaAsウェーハの一般的な厚さは350μm以上であり、極薄研削ディスクの目標厚さは100μmです。 次のような n 型およびアンドープの PAM190709-GAAS:

1. 超薄型GaAsウェーハの仕様

1.1N型極薄GaAsウエハ
アイテム パラメーター スペック サンプルデータ ユニット
 1 成長方法 VGF VGF —
 2 直径 50.6土0.2 50.6士0.2 ミリ
3 タイプドーパント N/Si 北/西 —
4 抵抗率 (0.8-9.0)E-3 (1.78-5.69)E-3 Ohm.cm
5 モビリティ >1500 >1500 cm2 / vs
 6 キャリア濃度 (0.4-4.0)E18 (0.47-4.00)E18 /cm3
7 EPD ≦5000 ≦5000 / cm 2の
8 結晶方位 (100)2°+/-0.5°オフ (100).2°+/-0.5°オフ 程度
-<111>Aa≈0°方向 <111>Aa=0°方向
9 一次平面方向 EJ(0-1-1)+/-0.5° EJ(0-1-1)+0.5° 程度
長さ 17+/-1.0 17+/-1.0 ミリ
10 二次平面方向 EJ(0-11)0.5° EJ(0-11)+0.5° 程度
長さ 7+/-1.0 7+/-1.0 ミリ
11 厚さ 110+/-15 110+/-15 ええと
12 正面側面 ポリッシュ ポリッシュ —
13 裏面 ポリッシュ ポリッシュ —
14 テレビ N / A N / A ええと
15 弓 N / A N / A ええと
16 ワープ N / A N / A ええと

 

極薄GaAsウエハー

極薄GaAsウエハー

1.2 C doped Ultra Thin Gallium Arsenide Wafer
アイテム パラメーター スペック サンプルデータ ユニット
 1 成長方法 VGF VGF —
 2 直径 50.6土0.2 50.6士0.2 ミリ
3 タイプドーパント N/c doped N/c doped —
4 抵抗率 >=1E7 >=1E7 Ohm.cm
5 モビリティ >3000 >3000 cm2 / vs
 6 キャリア濃度 – – /cm3
7 EPD <5000 <5000 / cm 2の
8 結晶方位 (100)+/-0.5 (100)+/-0.5 程度
9 一次平面方向 EJ(0-1-1)+/-0.5° EJ(0-1-1)+0.5° 程度
長さ 17+/-1.0 17+/-1.0 ミリ
10 二次平面方向 EJ(0-11)0.5° EJ(0-11)+0.5° 程度
長さ 7+/-1.0 7+/-1.0 ミリ
11 厚さ 110+/-15 110+/-15 ええと
12 正面側面 ポリッシュ ポリッシュ —
13 裏面 ポリッシュ ポリッシュ —
14 テレビ N / A N / A ええと
15 弓 N / A N / A ええと
16 ワープ N / A N / A ええと

 

2. 超薄型GaAsウェーハの目的

超薄型 GaAs ウェハは、パワー スイッチ チューブのオン抵抗を低減し、熱伝導率の低下を回避し、基板を貫通する長いビアを排除して、チップ裏面との電気の相互接続を実現します。 さらに、極薄の GaAs ウェハは熱を増加させ、垂直方向の相互接続を簡素化してデバイス効率を向上させることができます。

パワーウェイウェーハ

詳細については、メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.com そしてpowerwaymaterial@gmail.com

2020-05-14

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