PAM-厦門は、より大きな自立半絶縁性GaN基板をゲットできます！

アモイPowerwayアドバンストマテリアル株式会社の大手サプライヤー超高純度結晶窒化ガリウム（窒化ガリウム）とアルミニウム窒化ガリウム（のAlGaN）材料およびその他の関連製品とサービスは2 "サイズの新発売を発表しました天然、半絶縁性窒化ガリウム（GaN系SI）基板、2011年に量産にあるこの新製品は、10ミリメートルX 10ミリメートル、25ミリメートルX 25ミリメートルと38ミリメートルX 38ミリメートルの基板を含むPAM-厦門のネイティブSI GaN系基板生産ラインへの天然添加を表します。

博士シャカは、我々はより大きなネイティブSIを提供して喜んでいる」と述べました窒化ガリウム（GaN）系より良く、より信頼性の高い高周波高出力のGaNトランジスタを開発している多くの人々を含め、お客様に。 私たちの50ミリメートルのdia.native SIのGaN製品が行われ、最近の電気抵抗率マッピング測定によって裏付けとして、私たちの小さなSI GaN基板のような優れた抵抗性を有しています。 大きいサイズと可用性が当社の顧客は今、大きな正方形の基板上に高度なトランジスタを開発する際に予想される増加し、デバイスの歩留まりの恩恵を受けることができます。私たちのネイティブのSI GaNブールの成長及びウエハリングプロセスの改善」と」。 私たちの大きな正方形のSI GaN基板は、現在、我々は継続的に3インチと4インチのネイティブのSI GaN基板の周りを開発するために専念している、当社の継続的な努力の産物による自然です。」

PAM-厦門の改善SIのGaN製品ラインは、強力な技術の恩恵を受けています。 ネイティブの大学と研究所センターからのサポート。

アモイPowerwayアドバンストマテリアル株式会社について

1990年に発見、アモイPowerwayアドバンストマテリアル株式会社（PAM-厦門）は、中国での化合物半導体材料のリーディングカンパニーです。 PAM-厦門は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、操作基板および半導体装置を開発します。 PAM-厦門の技術は、より高いパフォーマンスと半導体ウエハの低コストの製造を可能にします。

2001年に、PAM-厦門は、GaN research.In 2009年に関与している、PAM-アモイUHB-LEDおよびLDのためのものであるサファイア上のGaNエピタキシー及び自立GaN単結晶ウエハ基板の量産されています。 ハイドライド気相成長法（HVPE）技術によって成長し、PAM-厦門の窒化ガリウムウエハは、低欠陥密度を有し、より少ないまたは無料のマクロ欠陥density.Currently PAM-厦門は、以下を含むユーザー定義の向きで低欠陥密度のネイティブ（フリースタンディング）のGaNを提供することができます極性（c面Ga面またはN面）及び（面及びm面）非極性、サファイアとSi又はSiC基板、及び超高純度の多結晶GaN上に成長したGaNとAlNテンプレート。

GaN系について

化合物半導体であるGaN系（窒化ガリウム）が、それは硬い、高融点材料、約1700℃の融点であり、GaNはionizationof III-Vcompound（0.5または0.43）の高度です。 大気圧で、GaN結晶は、一般に、六方晶系ウルツ鉱構造です。 セル4個の原子において、原子量は、GaAsのhalfthat程度です。 あなたは、GaNに関するより多くの情報が必要ならば、ご覧ください。https://www.powerwaywafer.com/What-is-GaN.html

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。www.powerwaywafer.com、で私達に電子メールを送りますsales@powerwaywafer.com若しくはpowerwaymaterial@gmail.com.