電荷感知型プリアンプチップ

電荷感知型プリアンプチップ

PAM-01C は、低ノイズ、高ゲインの電荷に敏感なプリアンプです。 CZTやSiなどの半導体検出器やその他の検出信号読み出しのキーパーツとして使用できます。

電荷感知型プリアンプチップ

1. チャージセンシティブプリアンプチップ仕様比較

ブランド (PAM-01C) グレマ(PAM-110)
寸法 24×15×3mm3 22.7×21×3.4mm3
重さ 5グラム 2.5グラム
パワー <0.3W 0.66W
搭載 ±12V ±12V
動作温度 -20℃-+ 40℃ -20℃-+ 40℃
等価騒音レベル ENC:180e- ENC:260e-
立ち下がりエッジ時間 250-400μs 150-200μs
利得 G=5mv/fc G=3.4mv/fc
入力電荷範囲 <2000fc <2941fc

 

動作原理

 

 

 

 

 

 

 

 

バイアス高電圧を加えると、CZT 結晶は内部電場を生成します。 X/γ線の入射線は電子と正孔の対を生成します。 電場の影響下で、これらのペアは 2 つの極に漂流します。 そして、相対的な極に誘導電荷が発生します。 次に、低ノイズの電荷に敏感なプリアンプ回路がそれらの電荷を指数関数的な減衰パルス信号に変換します。

2. チャージセンシティブプリアンプチップの特徴

ハイゲイン
低ノイズ
センシティブ
変更可能なインターフェース

3. プリアンプチップの用途

半導体信号読み出し
X線検出

パワーウェイウェーハ

詳細については、メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com.

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