超間伐シリコンウェハ

超間伐シリコンウェハ

PAM XIAMEN は薄化されたシリコンウェーハを提供しています! 私たちはそれらを持っています！ 在庫あり、発送準備完了！

フリースタンディングの薄いシリコンウェーハ
当社は、厚さが 5µm から 100µm の範囲で、直径が 5mm から 6 の自立式の超薄型シリコン ウェーハを提供しています。薄いシリコン ウェーハは、真の鏡面仕上げ DSP、優れた表面平坦性、ヘイズフリー、ボイドフリー、および低表面 RMS (典型的な 1-2nm) および超低 TTV は通常 +/-1µm 未満です。

 

 

 

 

パッケージ内の薄いSiの上記の例

以下は、ウェーハの用途のほんの一部です。

ラボオンチップ ELISA

 

 

 

 

 

* より効率的なソーラー ウェーハ、最大 51%!

 

 

 

 

* マイクロカウンター
* マイクロ カンチレバー センシングおよび作動コンポーネント
* フォトダイナミックセラピーレーザー

 

 

 

 

* 携帯情報表示用ライトエンジン、および
* 発光デバイスの動的診断ツール

PAM XIAMEN はパートナーと共に、現在、光学 MEMS と特殊シリコン製品を専門としています。 これらの製品およびサービスには、

· 適応光学用可変ミラー
· デフォーマブル ミラー用のラージ フォーマット ASIC ドライバー
· MEMS、テレコム、計装、圧電
・極薄シリコンウエハーなどの特殊シリコン製品
· 窒化ケイ素 TEM ウィンドウ/グリッド
・光学用PMN-PT/シリコンユニモルフ
・MEMS、計測、圧電産業
· ボンディング、コーティング、研削/ラッピング/研磨、およびウェーハ ダイシングを含むウェーハ サービス

5um、10um、25um、50um、100um などのウェーハ厚
5um、25um、50umなどの超薄型シリコンの在庫が豊富にあります。
当社の極薄シリコン製造は、以下の独自の組み合わせに基づいています。

・ウエハーボンディング
・ラッピング
・研磨
・脱ボン工程

直径/寸法の範囲は <25.4mm ～ 150mm で、それ以上の場合もあります。
薄いウェーハはヘイズやボイドフリーです。 表面粗さが 1 ～ 2 nm と小さく、TTV +/-1um です。

取り扱いが簡単な剛性のあるウェーハリング
また、当社の薄いシリコン ウエハー用のリジッド ウエハー リング付きのアタッチメントも提供できます。 これにより、取り扱いが容易になります。

また、当社の薄ウェーハでは以下のサービスも提供できます。

・ウエハダイシング
・シリコンウエハーのラッピングと5-50um厚までの研磨
・キャビティーウエハーとベアウエハーを接合するウエハーボンディング
· PECVD Nitride、LS Nitride、Oxide、LS Oxide on Silicon 超薄型シリコンウェーハを含む
· 当社の極薄ウエハーを含むウエハー上の金属コーティング (Ti、Cr、Au、Pt、Pd、Al、Cu、Ag など) の電子ビームおよび熱蒸着
・IC組立（ウエハーダイシング、ダイアタッチ、ワイヤーボンディング、フリップチップボンディング）

詳細については、当社のウェブサイトをご覧ください。 https://www.powerwaywafer.com,
で、私達に電子メールを送ります sales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com

1990 年に設立された Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd (PAM-XIAMEN) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。 PAM-Xiamen は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、エンジニアリング基板、および半導体デバイスを開発しています。 PAM-XIAMEN の技術は、半導体ウェーハの高性能化と低コスト製造を可能にします。

PAM-XIAMEN は、第 1 世代のゲルマニウム ウェーハから、基板成長を伴う第 2 世代のガリウム砒素、および Ga、Al、In、As、および P に基づく III-V シリコン ドープ n 型半導体材料のエピタキシーまで、高度な結晶成長およびエピタキシー技術を開発しています。 MBE または MOCVD によって第 3 世代に成長: LED およびパワー デバイス アプリケーション用の炭化ケイ素および窒化ガリウム。

2019-02-14

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