Gaasウェーハ、Germaniumウェーハ、InPウェーハ、InSbウェーハを含む化合物半導体ウェーハ

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在庫がありますが、以下に限定されません。

ウェーハ番号 ウェーハサイズ ポリッシュ タイプ ウェーハ厚さ 数量(個) 転位密度 抵抗率(ohm.cm)
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V1 1 " SSP N100 450±25 9 EPD <700 0.00204-0.00427
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V2 10 * 11セル 平均効率32.72% 56
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V3 2 " SSP 半絶縁性 350um 10 EPD <700
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V4 2 " DSP 半絶縁性 350±20 2 EPD <900
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V5 2 " DSP 半絶縁性 350±20 2 EPD <600
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V6 2 " SSP Nタイプ15° 350um 1 EPD <5000
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V7 2 " SSP Nタイプ15° 350um 35 EPD500-1000
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V8 2 " DSP Nタイプ2° 350um 5 <50
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V9 2 " SSP Nタイプ2° 350um 2 EPD1735-2198
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V10 2 " SSP Nタイプ2° 350um 25 EPD1569-2061
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V11 2 " SSP Nタイプ2° 450um 3
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V12 2 " DSP Nタイプ 400±15 14 EPD <50
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V13 2 " DSP Nタイプ 625±15 4 epd1300-1400
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V14 2 " DSP Nタイプ 625±15 34 EPD50-100
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V15 2 " DSP Nタイプ100 110um 15 JGS2001002、G202001X
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V16 2 " SSP PNP / Nエピウェーハ 4
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V17 2″ GaP SSP 250±20 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V18 3 " SSP 半絶縁性 600um / 625um 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V19 3 " DSP 半絶縁性 586um 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V20 3 " DSP 半絶縁性 600um / 501um 1
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V21 3 " SSP / DSP 半絶縁性 625um 25
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V22 3 " DSP 625±20 20
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V23 3 " DSP 半絶縁性 3500±20 2
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V24 3 " DSP 半絶縁性 625um 35
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V25 3 " SSP / DSP Nタイプ2° 350um 11
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V26 3 " SSP Nタイプ 400±20 14 EPD(50-300) 1.6E-3-4.2E-3
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V27 3 " SSP Nタイプ 400um 5 EPD(600-800)
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V28 3 " SSP Nタイプ 300um 3
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V29 4 " DSP 半絶縁性 600±25 15
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V30 4 " DSP 半絶縁性 575um 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V31 4 " DSP 半絶縁2° 625±25 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V32 4 " 未研磨 1.6ミリメートル 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V33 4 " SSP Nタイプ15° 350um 3
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V34 4 " 未研磨 半絶縁性 1880um 8
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V35 2″ Ge SSP 半絶縁111 400±15 1 >40Ω.cm
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V36 2″ Geドープなし DSP Nタイプ100 400±25 31 0.3-1Ω.cm
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V37 6″ Ge SSP Nタイプ100 625±25 5 47-53Ω.cm
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V38 2″ GaP 未研磨 Nタイプ111 280±10 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V39 2″ InP SSP Nタイプ100 500±25 1
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V40 4 " DSP 半絶縁性 600±20 4 EPD700-800 1.0E8-1.2E8Ω.cm
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V41 4 " DSP 半絶縁性 600±20 10 EPD600 1.0E8-3.0E8Ω.cm
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V42 4 " DSP 半絶縁性 600±20 10 EDP​​800-1200 1.0E8-2.7E8Ω.cm
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V43 2″ GaP DSP / SSP Nタイプ111 280±10 1
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V44 2″ GaP SSP P111 280±10 14
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V45 3 " DSP 半絶縁性 550±25 26 EPD500-700 3.9E7-8.1E7Ω.cm
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V46 4″ Ge SSP P1009° 175±15 10
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V47 2″ GaP DSP P111 280±10 10
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V48 4 " SSP Nタイプ15° 350um 15
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V49 2 " SSP Nタイプ111BSide 350±25 61 EPD≤5000 0.8×10-3〜9×10-3
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V50 2 " SSP N111Aサイド 350±25 71 EPD≤5000 0.8×10-3〜9×10-3
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V51 2 " SSP 半絶縁111 350±25 103 EPD≤5000 > 1E7
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V52 2 " SSP Nタイプ15° 350um 25
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V53 6 " DSP 半絶縁2° 625±25 39 1.2E8-1.7E8
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V54 2 " DSP 半絶縁性 500±25 13
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V55 2″ InP SSP 半絶縁性 350±25 2 EPD <50
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V56 2 " DSP 半絶縁性 500±20 26 EPD200-300 1E8-1.13E8
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V57 2 " DSP 半絶縁性 500±20 77 EPD600-301 1.72E8-1.83E8
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V58 6 " DSP Nタイプ15° 550±25 23 EPD200-500 0.4E18-0.9E18
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V59 2 " SSP Nタイプ15° 350±15 18 EPD1000-1200 1.87E-03〜3.50E-03
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V60 4 " SSP Nタイプ2° 640±25 15 EPD73-441 1.25E-03〜4.00E-03
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V61 2 " DSP Pタイプ 350±25 14 EPD600-900 4.3E-3〜6.0E-3
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V62 2 " SSP Nタイプ 350±15 78 EPD100
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V63 3 " SSP N1004° 330±20 3 EPD100-300 1.1E-3〜2.0E-3
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V64 2″ Ge DSP 半絶縁性N型 475-525 16 57.4-63.12Ω.cm
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V65 2 " SSP 半絶縁性N100 350±20 7 EPD1400-1600 0.5E8〜0.6E8
PAM-厦門-ウェーハ-#III-V66 2 " SSP 半絶縁性N100 350±20 3 EPD1300-1500 1.5E8〜2.8E8
PAM-XIAMEN-WAFER-#III-V67 2″ InSb DSP 半絶縁性N100 500±25 1 EPD <200

 

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