ハイライト • ZnO/サファイア テンプレート上での p-GaN/i-InGaN/n-GaN (PIN) 太陽電池の MOCVD 成長。 •ZnOのバックエッチングがないことを示す詳細な構造特性評価。 • フロートガラス上の構造の化学的リフトオフとウェーハ接着。 •ガラス上のデバイスの構造特性評価。要約 p-GaN/i-InGaN/n-GaN (PIN) 構造は、ZnO バッファー c サファイア基板上に、有機金属気相エピタキシーによってエピタキシャル成長されました。
ハイライト •N 極性 InAlN 薄膜を分子線エピタキシーによって GaN 基板上に成長させました。 •高温では表面形態が準 3D からステップフローに移行しました。・高温でインジウムフラックスが増加すると、インジウムの飽和が観察されました。 •アルミニウムフラックスの増加により、インジウムの取り込み効率が向上しました。 • 0.19 nm rms 粗さの N 極性 InAlN 膜が実証されました。抽象的な N 極性 InAlN 薄層...
GaN ウェーハ アモイ パワーウェイ アドバンスト マテリアル株式会社 (PAM-XIAMEN) は、化合物半導体結晶およびウェーハの大手開発および供給業者であり、GaN ウェーハ シリーズを提供しています。 GaN 基板ウェーハ サファイア上の GaN シリコン上の GaN HEMT ウェーハ サファイア上の AlN/GaN AlGaN/サファイア上の GaN ここでは、GaN ウェーハの相対情報を示します: GaN ウェーハの価格/GaN ウェーハのコスト: しかし、LED およびパワー エレクトロニクス メーカーは...
