평면 또는 PSS Sapphire 기질에 Gan LED 구조 에피 택시
나노 스케일 패턴에서 성장한 Gan LED 구조사파이어 (al2영형3) 기판광 발광 및 전기 발광의 고효율이 제공 될 수 있습니다. 그러나 Ingan/Gan-Quantum Wells 기반 LED 이종 구조에서 에피 택셜 프로세스의 높은 사용자 정의로 인해 패턴 화 된 사파이어 기판에 대한 최적의 솔루션을 얻을 수 없습니다. 패턴의 설계는 끊임없이 변화하고 있으며 앞으로 패턴 화 된 사파이어 기판의 설계에는 수렴이 없을 것입니다. 전형적인 패턴 모양에는 원뿔, 돔, 사각형 콘 또는 삼각 원뿔이 포함됩니다. 학술 연구에 따르면 패턴 크기 (100-1000NM)가 작을수록 광 효율이 높을수록 LED 산업은 여전히 Ingan/GAN LED 구조를 성장시키고 질화물 마이크로 LED 장치 작업을위한 3-4UM 패턴으로 지배적입니다. 이중면의 사양간 PSS 웨이퍼아래와 같이 Pam-Xiamen에서 :
1. 사파이어 기판에 잉간 /가 LED 구조의 사양
PAM160506 주도
| 1
|
PSS (패턴 사파이어 기판) 더블 사이드 광택 사파이어 기판에서 2 인치 LED 간 에피 택셜 웨이퍼의 공급 및 전달
|
| 1-1 | 성장 기술 - MOCVD, Item3에 표시된 구조 |
| 1-2 | 파장 범위 : 450-460nm |
| 1-3 | 기판 재료 : |
| 1-4 | 평평한 사파이어 기판 (AL2O3) -PSS 기판 |
| 1-5 | 앞면 : PSS 패턴 |
| 1-6 | 뒷면 : 미세 접지 또는 에피 폴란드 거칠기 ≤ 0.3um |
| 1-7 | 기판 전도 : 단열 |
| 1-8 | 기판 배향 : C- 평면 (0001) 0.2 ° ± 0.1 ° |
| 1-9 | 직경 : 50.8mm ± 0.15mm |
| 1-10 | 두께 : 430UM ± 20UM |
| 1-11 | 아래에 나열된 높은 밝기 및 LED 칩 사양 |
사파이어 개략도의 질화물 기반 LED 구조
풍모:
높은 균일 성과 좋은 반복성
2. GaN 기반 LED 칩
위의 칩을 사용하여 LED 칩간 웨이퍼다음 사양이 있어야합니다.
(10mil*23mil 칩, ito 프로세스 기반)
| 매개 변수 | 조건 | 상징 | 투기. | 수율 |
| 전방 전압 | = 20mA하는 경우 | Vf | ≤3.4V | ≥90 % |
| 레브
SE 누출 전류 |
Vr= -8V | IR | ≤1μA | ≥90 % |
| 역전 전압 | Ir=10μA | VR | ≥15V | ≥90 % |
| 지배적 인 파장의 범위 | = 20mA하는 경우 | △λd | ≤7.5nm | ≥70 % |
| 빛나는 플럭스 | = 20mA하는 경우 | 포 | ≥23mW@455nm | ≥70 % |
| ESD(HBM) | —— | ESDV | ≥2000V | ≥70 % |
LED 칩 제조 프로세스는 다음과 같습니다.
a) 깨끗한 인듐 볼 : 웨이퍼를 얻은 후에는 다음 과정을 위해 Indium Ball을 청소해야합니다.
b) ICP 에칭;
c) 에칭, 전극 제작;
d) 증발;
e) 거친 연삭; 미세 연삭 (사파이어 기판을 100UM으로 연삭);
f) 레이저 절단;
g) 점 측정; 테스트 (주로 테스트 파장/광 강도/VF).
3. Ingan/Gan Quantum Well Blue LED 구조의 에피 택셜 성장
마른 에칭 마스크는 사파이어 기판에서 성장하고 마스크에는 표준 포토 리소그래피 공정으로 패턴 화됩니다. 사파이어는 ICP 에칭 기술을 사용하여 에칭되며 마스크는 제거됩니다. 그런 다음 GAN 재료의 수직 에세 택시가 수평 에피 택시가되도록 GAN 재료가 자라게됩니다. 에칭에 관해서는 (C 평면 사파이어의 드라이 에칭/습식 에칭)는 GAN LED 장치의 출력 광 형태를 제어하기 위해 사파이어 기판의 특정 규칙을 갖는 미세 수준 또는 나노 레벨 패턴을 설계하고 생산하는 데 사용됩니다. 실제로, 사파이어 기판의 오목-컨버드 패턴은 광 산란 또는 굴절 효과를 생성하여 광 출력을 증가시킵니다. 동시에, 패턴 화 된 사파이어 기판에서 자란 GAN 박막은 측면 에피 택셜 효과를 생성하고, GAN과 사파이어 사이의 갭 결함을 감소시키고, 에피 택시의 품질을 향상 시키며, LED의 내부 양자 효율을 향상시키고 광 추출 효율을 향상시킬 것이다. 평평한 사파이어 기판에서 자란 LED와 비교하여 PSS는 LED 나노 구조화 된 장치의 밝기를 70%이상 증가시킬 수 있습니다.
4. 패턴 화 된 기판은 LED 광 추출 효율을 어떻게 개선합니까?
PSS는 총 반사 원뿔 외부의 광자를 총 반사 콘에 산란시킬 수 있으므로 특히 광 추출 효율을 향상시킬 수 있습니다.그림 가). 이 효과는그림 b). 연구에 따르면 PSS에서 성장한 GAN 기반 광 방출 다이오드는 광 추출 효율을 최대 30%증가시킬 수 있습니다.
패턴 화 된 사파이어 기판은 부적합 탈구를 줄임으로써 질화물 LED의 에피 택셜 성장을 향상 시키며,이 부적합 탈구의 감소는 패턴 화 된 사파이어 기판에 의해 발생합니다. 부적절한 탈구는 일반적으로 전통적인 플랫 사파이어 기판 또는 패턴 사파이어를 통과합니다.
기질은 핵 생성 단계의 초기 에피 택셜 성장 동안 발생한다. 많은 연구자들은 투과 전자 현미경을 사용하여 패턴 화 된 사파이어 기판에서 GAN LED 구조 에피 택셜 성장의 측면 조성을 개선함으로써 MISFIT 탈구를 감소시킬 수 있음을 발견했습니다.
전자 및 구멍 (조합)은 탈구 라인에서 비 방사성 재조합을 겪기 때문에 활성 층에서의 부적합 탈구 감소는 광 변환 효율을 향상시키는 가장 중요한 요소 중 하나입니다 (내부 양자 효율이라고도 함). 일반적으로, 에피 택셜 양자의 품질을 개선함으로써, 패턴 화 된 사파이어 기판은 Gan-on-Sapphire LED에 대해 내부 양자 효율을 약 30% 증가시킬 수있다. 물론, 패턴의 크기, 형상, 품질 및 GAN LED 구조 에피 택셜 성장 성능의 최적화는 모두 패턴 화 된 사파이어 기판의 내부 양자 효율의 개선에 큰 영향을 미칩니다.
5. LED에 대한 질화물 에피 택시 웨이퍼에 대한 FAQ
질문 1:MQW 아래에 슈퍼 라트가있는 청색/녹색 질화물 웨이퍼 구조가 있습니까?
:그렇습니다. 표준 질화물 구조는 초대형으로 자라야합니다. 그렇지 않으면 전기가 약해집니다.
질문 2:또한 P- 접촉으로 Nillealed Ito를 사용하여 질화물 에피 택시 웨이퍼를 제공합니까?
:우리는 GAN LED 웨이퍼를 P- 접촉으로 어닐링 된 ITO와 함께 제공 할 수 있지만> = 35wafers가 필요합니다.
질문 3:당신이 제공하는 GAN LED EPI 스택의 경우 PGAN과 NGAN의 이상적인 금속 화 방식은 무엇입니까?
:LED 에피 택셜 웨이퍼의 PGAN 및 NGAN을위한 이상적인 전극 재료는 금이어야합니다.
질문 4:또한 PGAN : MG 및 NGAN : SI LED 웨이퍼의 SI 층이 이미 활성화되어 있습니까?
:아니요, PGAN : MG 및 NGAN : SI LED EPIWAFER의 SI 층을 XX ℃에서 xx ℃ 분 동안 고온 장비를 사용하여 활성화 할 수 있습니다. 특정 가치는 영업 팀에 문의하십시오[email protected].
질문 5:GAN LED 웨이퍼의 특정 조명 방법을 기술 담당자에게 확인해 주시겠습니까? 웨이퍼를 사용하여 이전에 불을 밝히지 않았기 때문에 확실하지 않습니다. 프로브 스테이션을 사용하는 경우 어떻게 P 및 N 층 모두에 전압을 적용 할 수 있습니까?
:사파이어 기판이 GAN LED 웨이퍼에서 레이저를 들어 올린 후, UGAN 두께는 약 2 마이크로 미터 씩 제거하여 N 층을 나타냅니다. 조명의 원리는 pn 접합을 만드는 것인데, 여기서 p는 양수에 연결되고 n이 네거티브에 연결됩니다. 스트리핑 후 특정 두께의 우간을 제거하고 N 층을 노출하십시오.
자세한 내용은 이메일로 문의하십시오[email protected] 과 [email protected].