InGaAs構造ウェーハ

インジウムガリウムヒ素（InGaAs）は、ガリウムインジウムヒ素とも呼ばれ、インジウム、ガリウム、ヒ素という3つの化学元素の化合物のファミリーの一般名です。 インジウムとガリウムはどちらもホウ素族元素であり、しばしば「III族」と呼ばれますが、ヒ素はプニクトゲンまたは「V族」元素です。 半導体物理学では、これらのグループの元素の化合物はしばしば「III-V」化合物と呼ばれます。 インジウムとガリウムは同じグループに属しているため、化学結合において同様の役割を果たし、InG​​aAsはガリウムヒ素とインジウムヒ素の合金と見なされることが多く、その特性は2つの中間であり、ガリウムとインジウムの比率に依存します。 。 典型的な条件下では、InGaAsは半導体であり、オプトエレクトロニクス技術において特に重要であるため、広く研究されてきました。

現在、次のように新しい2インチInGaAs構造ウェーハを提供しています。

構造1：

構造2：

構造3

：構造4：

：構造5：

出典：PAM-厦門

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