Q：以下にお願いしたいのですが。
（001）+/- 0.5o方向
半絶縁、ドープなし
抵抗率≤1– 10 x108オーム-cm3
EPD≤5000cm-2
片面研磨（Ra <10Å）、EPI対応、裏面エッチング
米国のセミスタンダードフラット、レーザーマーキングなし
N2ガスで密封された個々のスパイダースタイルのウェーハカセット、
クラス1000クリーンルームパッキング、パッキング内にラベルなし
直径50.8mm（+/- 0.4 mm）x≤350ミクロン
A：上記に供給できます GaAs基板.
Q:I want to know the dopant concentration of SiC substrate that you normally provide ? What is the maximum Nitrogen dopant concentration that you can provide? I am looking for heavily nitrogen doped SiC wafers? A: Our Nitrogen dopant concentration is 1E18/cm3-1E19/cm3, which belongs to heavy dopant.
Q：SiCウェーハの再生、表面粗さ<= 0.3nmを保証できますか？ A：もちろん、問題ありません。
Q: Please let us know if you could supply below wafer, qty 25/50/300. Gallium Arsenide wafers, P/P 150.00±0.25 mm) 6″Ø×650±25µm, VGF SI undoped GaAs:-[100-2.0°towards[110]]±0.5°, u > 4,000cm²/Vs, Both-sides-polished, 1 Flat 57.5±2.5 mm @ 110±°1, TTV<7µm, BOW<4µm, Warp<10µm, TIR<6µm, Certificate: obligatory, Sealed under nitrogen in single wafer cassette A: Yes, will check the [...]
Q:In your web site, the picture of the SiC wafer does not look like regular, transparent-light green color SiC wafer. Why is that? A: Good question, the picture in website is Polarized light image.In regular, it is green color or grey color.
Q:Our application is for microwave annealing. Therefore, the silicon carbide must be able to absorb microwaves? A:Since the dielectric constant of 6H and 4H are large, so if SiC wafer is as absorbing materials, mainly to achieve through the structure design of Electromagnetic match.I don’t [...]
