ガリウム砒素ウェーハ、GaAs、VGF、半絶縁性、ドープなし

ガリウム砒素ウェーハ、GaAs、VGF、半絶縁性、ドープなし

Q：以下にお願いしたいのですが。
（001）+/- 0.5o方向
Semi Insulating, C doped
抵抗率≤1– 10 x108オーム-cm3
EPD≤5000cm-2
片面研磨（Ra <10Å）、EPI対応、裏面エッチング
米国のセミスタンダードフラット、レーザーマーキングなし
N2ガスで密封された個々のスパイダースタイルのウェーハカセット、
クラス1000クリーンルームパッキング、パッキング内にラベルなし
直径50.8mm（+/- 0.4 mm）x≤350ミクロン

A：上記に供給できます GaAs基板.

2018-07-17

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