PAM XIAMEN は直径 2 インチまでの InAs ウェーハを供給しています。

InAs <100> ドープ

InAs (100)、P タイプ、Zn ドープ 10×10 x 0.5 mm、片面研磨
InAs (100)、P タイプ、Zn ドープ 5×5 x 0.5 mm、片面研磨
InAs (100)、S ​​ドープ 2 インチ径 x 0.5 mm、片面研磨、cc:(1-2)E18/ cm^3
InAs (100)、S ​​ドープ 2 インチ径 x 0.5 mm、片面研磨、cc:(1-30)E17/ cm^3
InAs (100)、S ​​ドープ 10x10x0.5mm、1sp
InAs (100)、P タイプ、Zn ドープ 直径 2 インチ x 0.5 mm、片面研磨
InAs、(100)、Sn ドープ、N タイプ、10mm x10mm x 0.5mm 1sp

InAs <100> アンドープ

InAs (100)、アンドープ 2 インチ径 x 0.5mm、片面研磨
InAs (100)、アンドープ 10x10x0.45mm、2sp
InAs (100)、アンドープ 10x10x0.5mm、1sp
InAs (100)、アンドープ直径 30mm ウェーハ 1sp
InAs (100)、アンドープ 5x5x0.45mm、2sp
InAs (100)、アンドープ 5x5x0.5mm、1sp
InAs (100)、ドープなし、直径 2 インチ x 0.45 mm、両面研磨

インアス<111>

InAs (111)A、P タイプ、Zn ドープ、直径 2 インチ x 0.45 mm、片面研磨
InAs (111)A、N タイプ、アンドープ、直径 2 インチ x 0.45mm、1sp
InAs (111)B、N タイプ、アンドープ、直径 2 インチ x 0.45 mm、1sp
InAs (111)A、アンドープ、N タイプ、10mm x10mm x 0.45mm 1sp
InAs (111)A、アンドープ、N タイプ、5mm x5mm x 0.45mm 1sp

インアス<411>

InAs (411)、S ドープ楕円形ウェーハ (面積 > 30mm 直径) 1sp

インアス<511>

InAs (511)、S ドープ楕円形ウェーハ (面積 > 30mm 直径) 1sp

詳細については、当社の Web サイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com、
にメールを送ってくださいsales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com

1990 年に設立された Xiamen Powerway Advanced Materials Co., Ltd (PAM-XIAMEN) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。PAM-XIAMEN は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、加工基板および半導体デバイスを開発しています。PAM-XIAMEN の技術により、半導体ウェーハの高性能化と低コストの製造が可能になります。

1990 年以前は、私たちは物性物理学研究センターを所有していました。 1990 年に、同センターはアモイ パワーウェイ アドバンスト マテリアル Co., Ltd (PAM-XIAMEN) を設立し、現在では中国の化合物半導体材料の大手メーカーとなっています。