LPCVDによる窒化ケイ素ウェーハSi3N4薄膜
在庫はありますが、以下に限定されません。
ウェーハ番号 | ウェーハサイズ | 研磨面 | タイプ/向き | Si3N4 の厚さ | ウェーハの厚さ(um) | 抵抗率(オーム・センチメートル) | 数量(個) |
PAM-厦門-WAFER-#N1 | 2 " | DSP、両方 Si3N4 | N100 | 200nm | 400±15 | 3-6 | 25 |
PAM-厦門-WAFER-#N2 | 2 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 200nm | 400±15 | <0.0015 | 24 |
PAM-厦門-WAFER-#N3 | 2 " | Cu を含む Si3N4 | 48.8×3mm | — | — | — | 1 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N4 | 3 " | DSP、両方 Si3N4 | — | 150nm | — | — | 2 |
PAM-厦門-WAFER-#N5 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | N100 | 40nmの | 500±10 | <0.02 | 2 |
PAM-厦門-WAFER-#N6 | 4 " | DSP、両方 Si3N4 | N100 | 50nm | 510-540 | 2-4 | 9 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N7 | 4 " | DSP、両方 Si3N4 | Pタイプ | 50nm | 200±10 | <0.02 | 5 |
PAM-厦門-WAFER-#N8 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | N100 | 95nm | 525±15 | 1-10 | 22 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N9 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | N100 | 100nm | 500±10 | <0.05 | 7 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N10 | 4 " | DSP、両方 Si3N4 | P100 | 200±20nm | 300±10 | 5-10 | 50 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N11 | 4 " | DSP、両方 Si3N4 | N100 | 100nm | 200±15 | 1-15 | 19 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N12 | 4 " | DSP、両方 Si3N4 | P100 | 150nm | 500±25 | 10-20 | 1 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N13 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 200nm | 525±25 | 10-20 | 25 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N14 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | Pタイプ | 200nm | 500±10 | <0.05 | 15 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N15 | 4 " | DSP、両方 Si3N4 | N100 | 800nm(830nm) | 400±10 | 0.01-0.02 | 2 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N16 | 4 " | DSP、両方 Si3N4 | P100 | 300nm | 300±20 | 0.01-0.02 | 6 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N17 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 800nm(830nm) | 475-525 | 0.01-0.02 | 25 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N18 | 6 " | SSP、両方Si3N4 | N100 | 120nm | 510±10 | 6-8 | 45 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N19 | 6 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 100nm | 625±15 | — | 25 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N20 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 1um | 500±10 | 0.08-0.01 | 50 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N21 | 6 " | SSP、両方Si3N4 | N100 | 120nm | 625±15 | 0.008-0.02 | 45 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N22 | 4 " | SSP、シングル Si3N4 | P100 | 50nm | 500±10 | 0.04-0.5 | 11 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N23 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 500nm | 525±10 | 1-100 | 13 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N24 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 500nm | 512±15 | 1-1000 | 6 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N25 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 500nm | 525±20 | 1-50 | 9 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N26 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 500nm | 500-550 | 1-30 | 10 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N27 | 4 " | DSP、両方 Si3N4 | N100 | 50nm | 200±15 | 1-15 | 25 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N28 | 2 " | DSP、両方 Si3N4 | P100 | 1um | 500±15 | 1-10 | 45 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N29 | 4 " | DSP、両方 Si3N4 | P100 | 500nm | 500±15 | >2000 | 21 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N30 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 500nm | 525±25 | 0-100 | 10 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N31 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 800nm | 525±25 | 6-8.5 | 13 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N32 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 100nm | 500±10 | >10 | 20 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N33 | 6 " | SSP、両方Si3N4 | P100 | 20nmSiO2+120nmSi3N4 | 600±25 | >1 | 25 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N34 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | N100 | 330nmSiO2+120nmSi3N4 | 500±20 | <0.1 | 25 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N35 | 4 " | DSP、両方 Si3N4 | P100 | 500nm | 300±10 | 0.1-0.3 | 45 |
PAM-XIAMEN-WAFER-#N36 | 4 " | SSP、両方Si3N4 | N100 | 400nm | 360-390 | 3-7 | 25 |
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