ファブリペローレーザー (FP-LD) は、最も一般的な半導体レーザーです。 現在、光ファイバー通信に使用されるFP-LDの製造技術はかなり成熟しており、二重ヘテロ接合多重量子井戸活性層、キャリアおよび光制限構造の構造が広く使用されています。 主要なエピタキシー サプライヤーの 1 つである PAM-XIAMEN は、FP を提供できます。レーザーダイオードウェーハ698nmのレーザースペクトル。 より具体的な構造を下表に示します。 さらに、お客様のニーズに合わせて、特定の波長を持つ特定の FP レーザー構造を成長させることができます。
1. 698nm GaInAsP / AlGaInP FP レーザーチップウエハーの仕様
PAM180911 – FPLD
| レイヤー番号 | 材料 | モル分率（x） | モル分率（y） | 厚さ（UM） | ドーパント | タイプ | PL（nm） | ひずみ (ppm) | CVレベル（センチ-3) | グループ | 繰り返す |
| 13 | GaAsの | – | – | P | >2E19 | ||||||
| 12 | ゲイン（X）P | 0.49 | 0.05 | – | – | – | – | ||||
| 11 | ら（X）のInP | – | – | – | – | – | – | ||||
| 10 | ら（X）のInP | – | – | 亜鉛 | – | – | – | ||||
| 9 | Al(x)GaIn(y)P | 0.6 | 0.49 | – | アンドープ | – | – | ||||
| 8 | Al(x)GaIn(y)As | 未定 | 未定 | 未定 | – | – | 未定 | 未定 | – | – | |
| 7 | GaIn（x）As（y）P | 未定 | 未定 | 未定 | – | U / D | 690nm | 未定 | – | – | |
| 6 | Al(x)GaIn(y)As | 未定 | 未定 | 未定 | – | – | 未定 | 未定 | – | – | |
| 5 | Al(x)GaIn(y)P | 0.6 | 0.49 | 0.05 | – | – | 800 | ||||
| 4 | ら（X）のInP | – | – | シ | – | – | – | ||||
| 3 | ら（X）のInP | – | – | – | – | – | 1.00E + 18 | ||||
| 2 | ゲイン（X）P | – | – | – | – | 800 | – | ||||
| 1 | GaAsの | 0.5 | – | N | |||||||
| 0 | 基板 |
2. ファブリペロー半導体レーザーとは？
FPレーザダイオードは半導体発光素子で、FP共振器を共振器として設計され、マルチ縦モードのコヒーレント光を出射します。 FP共振器、すなわち平面平行共振器（共振器）は、2つの平行平面ミラーで構成され、半導体レーザーでよく使用される一種の光共振器です。 これは、レーザー技術開発の歴史の中で最初に提案された光共振器であり、ファブリペロー干渉計の基礎となっています。
FPレーザーの波長は可視光から中赤外、遠赤外まで非常に広い。 最長の出力波長については、量子カスケード レーザーとして実現できます。
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
詳細については、電子メールでお問い合わせください。victorchan@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com.