GaN 계 LED 에피 택셜 웨이퍼
PAM-XIAMEN의 질화 갈륨 (질화 갈륨) LED 에피 택셜 웨이퍼는 초 고휘도 청색 및 녹색 발광 다이오드 (LED) 및 레이저 다이오드 (LD) 기반 애플리케이션이다.
- 기술
제품 설명
LED 에피 택셜 웨이퍼는 적절한 온도로 가열 된 기판입니다. LED 웨이퍼 소재는 반도체 조명 산업 기술 개발의 초석입니다. 기판 재료에 따라 LED 에피 택셜 웨이퍼 성장 기술, 칩 처리 기술 및 디바이스 패키징 기술이 필요합니다. LED 에피 웨이퍼 용 기판은 반도체 조명 기술의 개발 경로를 결정합니다. 발광 효율을 달성하기 위해 에피 택셜 웨이퍼 공급 업체는 에피 택셜 웨이퍼 가격이 저렴하고 에피 웨이퍼 결함 밀도가 작기 때문에 GaN 기반 LED 에피 택셜 웨이퍼에 더 많은주의를 기울입니다. GaN 기판에서 LED 에피 웨이퍼의 장점은 고효율, 대 면적, 단일 램프 및 고전력의 실현으로, 공정 기술을 단순화하고 큰 수율을 향상시킵니다. LED 에피 웨이퍼 시장의 개발 전망은 낙관적입니다.
1. LED 웨이퍼 목록
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LED 에피 택셜 웨이퍼 |
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| 크기 | 정위 | 방사 | 파장 | 두께 | 기판 | 표면 | 사용 가능 지역 | |
| PAM-50-LED- 파랑 -F | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | 425um +/- 25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED- 파랑 -PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | 425um +/- 25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED- 파랑 -F | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED- 파랑 -PSS | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-150-LED- 파랑 | 150mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED- 파랑-실 | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED- 파랑-실 | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-150-LED- 파랑-실 | 150mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-200-LED- 파랑-실 | 200mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 445 ~ 475nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED- 녹색 -F | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | 425um +/- 25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED- 녹색 -PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | 425um +/- 25um | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED- 녹색 -F | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED- 녹색 -PSS | 100mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-150-LED- 녹색 | 150mm | 0 ° ± 0.5 ° | 초록불 | 510 ~ 530nm | / | 사파이어 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-100-LED-RED-GAAS-620 | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | 빨간불 | 610 ~ 630nm | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM210527-LED-660 | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | 빨간불 | 660 | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-210414-850nm-LED | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | IR | 850NM | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAMP21138-940LED | 100mm | 15 ° ± 0.5 ° | IR | 940nm | / | 갈륨 비소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UVA | 365nm | 425um +/- 25um | 사파이어 | ||
| PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UVA | 405nm | 425um +/- 25um | 사파이어 | ||
| PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UVC | 275nm | 425um +/- 25um | 사파이어 | ||
| PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | UV | 405nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
| PAM-50-LD-BLUE-450-SIL | 50mm | 0 ° ± 0.5 ° | 푸른 빛 | 450nm | / | 규소 | P / L | > 90 %의 |
LED 에피택시 웨이퍼 제조업체인 PAM-XIAMEN은 마이크로 LED 또는 초박형 웨이퍼 또는 UV LED 연구 또는 LED 제조업체와 같은 LED 및 레이저 다이오드(LD) 애플리케이션을 위한 활성화 및 비활성화 GaN Epi LED 웨이퍼를 제공할 수 있습니다. GaN의 LED 에피택셜 웨이퍼는 InGaN/GaN 활성 영역 및 GaN 우물/AlGaN이 있는 AlGaN 층을 포함하여 청색 또는 녹색 또는 적색 방출을 포함하는 LCD 백라이트, 모바일, 전자 또는 UV(자외선)용 평면 사파이어 또는 PSS가 있는 MOCVD에 의해 성장됩니다. 다양한 칩 크기에 대한 장벽.
2. InGaN/질화 갈륨(질화 갈륨) 기반 LED 에피 택셜 웨이퍼
GaN으로 Al2O3-2에 "에피 웨이퍼 사양 (LED 에피 택셜 웨이퍼)
| 화이트 : 445 ~ 460 nm의 |
| 블루 : 465 ~ 475 nm의 |
| 녹색 : 510 ~ 530 nm의 |
1. 성장 기술 - MOCVD
2.Wafer 직경 :이 50.8mm
3.Wafer 기판 재료 : 무늬 사파이어 기판 (의 Al2O3) 또는 평면 사파이어
4.Wafer 패턴의 크기 : 3X2X1.5μm
3. 웨이퍼 구조 :
| 구조 층 | 두께 (μm의) |
| p 형 질화 갈륨 | 0.2 |
| P-AlGaN으로 | 0.03 |
| 된 InGaN / GaN으로 (활성 영역) | 0.2 |
| n 형 GaN으로 | 2.5 |
| U-의 GaN | 3.5 |
| Al2O3를 (기판) | 430 |
4. 칩을 만드는 웨이퍼 매개 변수 :
| 여자 이름 | 색 | 칩 크기 | 형질 | 외관 | |
| PAM1023A01 | 블루 | 10 밀 X 23mil |  |
조명 | |
| VF = 2.8 ~ 3.4V | LCD 백라이트 | ||||
| 포 = 18 ~ 25MW | 모바일 기기 | ||||
| WD = 450 ~ 460 ㎚ | 소비자 전자 | ||||
| PAM454501 | 블루 | X 45mil 45mil | VF = 2.8 ~ 3.4V |  |
일반 조명 |
| 포 = 250 ~는 300mW | LCD 백라이트 | ||||
| WD = 450 ~ 460 ㎚ | 야외 디스플레이 |
5. LED epitaixal 웨이퍼의 응용 :
* Blue LED Epitaxial Wafer에 대한 자세한 정보가 필요한 경우 당사 영업 부서에 문의하십시오.
조명
LCD 백라이트
모바일 기기
소비자 전자
6. LED Epi Wafer의 사양 예 :
사양 PAM190730-LED
– 크기 : 4 인치
– WD : 455 ± 10nm
– 밝기 :> 90mcd
– VF : <3.3V
– n-GaN 두께 : <4.1㎛
– u-GaN 두께 : <2.2㎛
– 기판 : 패턴 사파이어 기판 (PSS)
7. GaAs (Gallium arsenide) 기반 LED 웨이퍼 재질 :
LED의 GaAs 웨이퍼에 관해서는, 이들이 MOCVD에 의해 성장되고, GaAs로 파장 LED 웨이퍼 아래 참조 :
레드 : 585nm 정격, 615nm, 620 ~ ~ 630㎚
황색 : 587 ~ 592nm
황색 / 녹색 : 568 ~ 573nm
8. LED 에피택셜 웨이퍼의 정의:
우리가 제공하는 것은 베어 LED 에피 웨이퍼 또는 리소그래피 공정이없는 처리되지 않은 웨이퍼, n- 및 금속 접점 등입니다. 그리고 나노 광전자 연구와 같은 다양한 응용 분야를위한 제조 장비를 사용하여 LED 칩을 제조 할 수 있습니다.
주목:
중국 정부는 반도체 칩을 만드는 데 사용되는 갈륨 재료(예: GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs 및 GaSb) 및 게르마늄 재료의 수출에 대한 새로운 제한을 발표했습니다. 2023년 8월 1일부터 이러한 자료의 수출은 중국 상무부로부터 허가를 받은 경우에만 허용됩니다. 여러분의 이해와 협조를 바랍니다!
웨이퍼 사양을 LED 이러한 세부 갈륨 비소를 참조하시기 바랍니다 :LED에 대한 갈륨 비소 에피 웨이퍼
UV는 웨이퍼 사양을 LED를 참조하시기 바랍니다 :UV LED 에피 웨이퍼
실리콘 사양에 LED 웨이퍼를 참조하시기 바랍니다 :실리콘에 LED 웨이퍼
블루의 GaN LD 웨이퍼 사양은 다음 페이지를 참조하세요 블루의 GaN LD 웨이퍼
Violet GaN LD 웨이퍼의 경우 다음을 방문하십시오.405nm GaN 레이저 다이오드 웨이퍼
850-880nm 및 890-910nm 적색 적외선 AlGaAs /GaAs LED 에피 웨이퍼
평면 또는 PSS 사파이어 기판의 GaN LED 구조 에피택시
금속 유기 화학 증착에 의해 성장한 질화물 필름에서 V자형 피트의 형성
더 많은 파운드리 서비스를 보려면 다음을 방문하십시오.LED 제조를 위한 GaN 파운드리 서비스
당신은 또한 같은 수 있습니다 ...
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InSb를 웨이퍼
PAM-XIAMEN은 LEC (Liquid Encapsulated Czochralski)에 의해 n 유형, p 유형 또는 다른 방향 (111) 또는 (100)으로 반 절연 된 기계적 등급으로 LEC (Liquid Encapsulated Czochralski)에 의해 성장 된 컴파운드 반도체 InSb 웨이퍼를 제공합니다. N 도핑과 같은 등 전자로 도핑 된 안티몬 인듐은 안티몬 인듐 박막 제조 공정에서 결함 밀도를 감소시킬 수 있습니다.
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의 GaN 템플릿
PAM-XIAMEN의 템플릿 제품은 사파이어 상에 증착된다 (질화 갈륨) 질화 갈륨 템플릿 (질화 알루미늄)의 AlN 템플릿 (질화 알루미늄 갈륨)을 AlGaN 템플릿 (인듐 갈륨 나이트 라이드)의 InGaN 템플릿의 결정질 층으로 이루어져 -
갈륨 비소 에피 웨이퍼
PAM-XIAMEN은 MBE 또는 MOCVD에 의해 성장 된 Ga, Al, In, As 및 P를 기반으로 다양한 유형의 에피 웨이퍼 III-V 실리콘 도핑 된 n 형 반도체 재료를 제조하고 있습니다. 고객 사양을 충족하기 위해 맞춤형 GaAs 에피 웨이퍼 구조를 제공합니다. 자세한 내용은 당사에 문의하십시오.
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창 (게르마늄) 싱글 수정 및 웨이퍼
PAM-XIAMEN은 2”, 3”, 4”및 6”게르마늄 웨이퍼를 제공하며, 이는 VGF / LEC로 성장한 Ge 웨이퍼의 약자입니다. 가볍게 도핑 된 P 및 N 유형 게르마늄 웨이퍼는 홀 효과 실험에도 사용할 수 있습니다. 실온에서 결정 성 게르마늄은 부서지기 쉬우 며 가소성이 거의 없습니다. 게르마늄은 반도체 특성을 가지고 있습니다. 고순도 게르마늄은 3가 원소 (예 : 인듐, 갈륨, 붕소)로 도핑되어 P 형 게르마늄 반도체를 얻습니다. 5가 원소 (안티몬, 비소, 인 등)를 도핑하여 N 형 게르마늄 반도체를 얻는다. 게르마늄은 높은 전자 이동도 및 높은 정공 이동 도와 같은 우수한 반도체 특성을 가지고 있습니다. -
프리 스탠딩 GaN 기판
PAM-XIAMEN는 UHB-LED 및 LD위한 (질화 갈륨), GaN 기판 웨이퍼를 자립의 제조 기술을 확립했다. 수 소화물 기상 성장 (HVPE) 기술에 의해 성장 우리 GaN 기판은 낮은 결함 밀도를 갖는다.
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의 GaN HEMT 에피 택셜 웨이퍼
질화 갈륨 (GaN) HEMT (고 전자 이동성 트랜지스터)는 차세대 RF 전력 트랜지스터 기술입니다. GaN 기술 덕분에 PAM-XIAMEN은 이제 사파이어 또는 실리콘에 AlGaN / GaN HEMT Epi Wafer를 제공하고 사파이어 템플릿에 AlGaN / GaN을 제공합니다.
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CZ 단결정 실리콘
단결정 벌크 실리콘 생산 업체 인 PAM-XIAMEN은 CZ 방식으로 성장한 N & P 도펀트가 포함 된 <100>, <110> 및 <111> 단결정 실리콘 웨이퍼를 76.2 ~ 200mm로 제공 할 수 있습니다. Czochralski 방법은 CZ 방법이라고하는 결정 성장 방법입니다. 흑연 저항에 의해 가열 된 직선 튜브 열 시스템에 통합되어 고순도 석영 도가니에 포함 된 폴리 실리콘을 용융 한 다음 용융물 표면에 종자 결정을 삽입하여 용접합니다. 그 후 회전하는 종자 결정이 낮아지고 녹습니다. 몸에 스며 들고 만지고, 점차적으로 들어 올려지고, 네킹, 네킹, 숄더 링, 동일한 직경 제어 및 마무리 단계를 통해 마무리되거나 당겨집니다.
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의 SiC 웨이퍼 기판
이 회사는 결정 성장, 결정 처리, 웨이퍼 처리, 연마, 세척 및 테스트를 통합하는 완전한 SiC(탄화규소) 웨이퍼 기판 생산 라인을 보유하고 있습니다. 요즘 우리는 축상 또는 축외에서 반절연 및 전도성을 갖춘 상용 4H 및 6H SiC 웨이퍼를 공급합니다. 사용 가능한 크기: 5x5mm2,10x10mm2, 2",3",4", 6" 및 8", 다음과 같은 핵심 기술을 통해 돌파 결함 억제, 종결정 가공 및 급속 성장으로 실리콘 카바이드 에피택시, 소자 등과 관련된 기초 연구 및 개발을 촉진합니다.
