갈륨 비소 에피 웨이퍼
PAM-XIAMEN은 MBE 또는 MOCVD로 성장한 Ga, Al, In, As 및 P를 기반으로 하는 다양한 유형의 에피 웨이퍼 III-V 실리콘 도핑 n형 반도체 재료를 제조하고 있습니다. 우리는 고객 사양을 충족하기 위해 맞춤형 GaAs 에피웨이퍼 구조를 공급합니다. 자세한 내용은 당사에 문의하십시오.
- 기술
제품 설명
GaAs 에피 웨이퍼
선도적인 GaAs 에피 웨이퍼 파운드리로서 PAM-XIAMEN은 MBE 또는 MOCVD로 성장한 Ga, Al, In, As 및 P를 기반으로 하는 다양한 유형의 에피웨이퍼 III-V 실리콘 도핑 n형 반도체 재료를 제조하고 있습니다. 에피 웨이퍼 결함. 우리는 고객 사양을 충족하기 위해 맞춤형 GaAs 에피웨이퍼 구조를 공급합니다. 자세한 내용은 당사에 문의하십시오.
우리는 미국 Veeco의 GEN2000, GEN200 대규모 에피택셜 장비 생산 라인, XRD 풀 세트를 보유하고 있습니다. PL-매핑; Surfacescan 및 기타 세계적 수준의 분석 및 테스트 장비. 이 회사는 세계적 수준의 초청정 반도체와 젊은 세대의 청정 실험실 시설에 대한 관련 연구 개발을 포함하여 12,000평방미터 이상의 지원 공장을 보유하고 있습니다.
MBE III-V 화합물 반도체 에피택셜 웨이퍼의 모든 신규 및 주요 제품 사양:
기판 재료 | 재료 기능 | 신청 |
갈륨 비소 | 저온의 GaAs | 테라 헤르츠 |
갈륨 비소 | 의 GaAs / GaAlAs / 갈륨 비소 / 갈륨 비소 | 쇼트 키 다이오드 |
InP를 | InGaAs로 | PIN 검출기 |
InP를 | InP를 /의 InP / InGaAsP로 / InP의 / InGaAs로 | 레이저 |
갈륨 비소 | 갈륨 비소 /의 AlAs / GaAs로 | |
InP를 | 의 InP / InAsP /의 InGaAs / InAsP | |
갈륨 비소 | 갈륨 비소 / InGaAsN / AlGaAs로 | |
/의 GaAs / AlGaAs로 | ||
InP를 | 의 InP / InGaAs로 / InP를 | 광 검출기 |
InP를 | 의 InP / InGaAs로 / InP를 | |
InP를 | 의 InP / InGaAs로 | |
갈륨 비소 | 갈륨 비소 / 인듐 갈륨 / 갈륨 비소 / AlInP | 태양 전지 |
/ 인듐 갈륨 / AlInP / 인듐 갈륨 / AlInP | ||
갈륨 비소 | 갈륨 비소 / GaInP로 / 게이 나스 / 갈륨 비소 / AlGaAs로 / GalnP / GalnAs | 태양 전지 |
/ GalnP /의 GaAs / AlGaAs로 / AllnP / GalnP / AllnP / GalnAs | ||
InP를 | InP를 / GaInP로 | |
갈륨 비소 | 갈륨 비소 / AlInP | |
갈륨 비소 | 갈륨 비소 / AlGaAs로 / GalnP / AlGaAs로 / 갈륨 비소 | 703nm 레이저 |
갈륨 비소 | 갈륨 비소 / AlGaAs로 / 갈륨 비소 | |
갈륨 비소 | 갈륨 비소 / AlGaAs로 / 갈륨 비소 / AlGaAs로 / 갈륨 비소 | HEMT |
갈륨 비소 | 갈륨 비소 / AlAs로 / 갈륨 비소 /의 AlAs / GaAs로 | MHEMT |
갈륨 비소 | 갈륨 비소 / DBR / AlGaInP로 / MQW / AlGaInP로 / 유격 | LED 웨이퍼, 고체 조명 |
갈륨 비소 | 갈륨 비소 / GalnP / AlGaInP로 / GaInP로 | 635 ㎚, 660, 808, 780, 785 ㎚, |
/ 하나로 이루어질 / 갈륨 비소 / 갈륨 비소 기판 | 950nm, 1300nm, 1550nm의 레이저 | |
GaSb 및 | AlSb를 / 된 GaInSb / InAs로 | IR 검출기, PIN, 감지, 적외선 cemera |
규소 | 실리콘에서의 InP 또는 갈륨 비소 | 고속 IC / 마이크로 프로세서 |
InSb를 | 베릴륨은 InSb를 도핑 | |
/이 된 InSb / 테가 된 InSb 도핑 도핑 / |
갈륨비소는 현재 가장 성숙한 에피 웨이퍼 기술을 갖춘 가장 중요한 화합물 반도체 재료 중 하나입니다. GaAs 재료는 큰 금지 밴드 폭, 높은 전자 이동도, 직접 밴드 갭, 높은 발광 효율 등의 특성을 가지고 있습니다. 이러한 모든 에피 웨이퍼의 장점으로 인해 GaAs 에피택시는 현재 광전자공학 분야에서 사용되는 가장 중요한 재료입니다. 한편, 이는 중요한 마이크로 전자 재료이기도 합니다. GaAs 에피웨이퍼 소재는 전기전도도의 차이에 따라 반절연(SI) GaAs와 반도체(SC) GaAs로 구분된다.
에피택셜 웨이퍼 분야에서 RF 및 레이저 애플리케이션의 에피 웨이퍼 시장 점유율은 매우 큽니다.
더 상세 사양은 다음을 참조하시기 바랍니다 :
의 InP 기판 위에 InGaAsP로 / InGaAs로
에피 택셜 갈륨 비소 또는 InP의 웨이퍼에 InGaAsN
태양 전지에 대한 AlGaP / 갈륨 비소 에피 웨이퍼
1550nm GaInAsP/InP PIN 포토다이오드 구조
의 GaAs / AlGaAs로 / GaAs로 에피 웨이퍼
이제 우리는 일부 사양을 나열합니다 :
GaAs HEMT 에피웨이퍼, 크기:2~6inch | ||
명세서 | 말 | |
매개 변수 | Al 조성 / 인 조성물 / 면저항 | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
홀 이동성 / 2 DEG 농도 | ||
측정 기술 | X 선 회절 / 와전류 | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
유엔 접촉 홀 | ||
일반적인 밸브 | Struture 의존 | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
5000 ~ 6,500cm2 / V · S / 0.5 ~ 1.0 배 1,012cm-2 | ||
표준 오차 | 0.01 / ± 3 % / 없음 없음 ± | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
갈륨 비소 (갈륨 비소) pHEMT 에피웨이퍼, 사이즈:2~6inch | ||
명세서 | 말 | |
매개 변수 | Al 조성 / 인 조성물 / 면저항 | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
홀 이동성 / 2 DEG 농도 | ||
측정 기술 | X 선 회절 / 와전류 | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
유엔 접촉 홀 | ||
일반적인 밸브 | Struture 의존 | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
5000 ~ 6,800cm2 / V · S / 2.0 ~ 3.4 배 1,012cm-2 | ||
표준 오차 | 0.01 / ± 3 % / 없음 없음 ± | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
비고: GaAs pHEMT: GaAs HEMT와 비교하여 GaAs PHEMT에는 InxGa1-xAs도 포함되어 있습니다. 여기서 InxAs는 GaAs 기반 장치의 경우 x < 0.3으로 제한됩니다. HEMT와 동일한 격자 상수로 성장했지만 밴드 갭이 다른 구조를 간단히 격자 일치 HEMT라고 합니다. | ||
GaAs mHEMT 에피웨이퍼, 크기:2~6inch | ||
명세서 | 말 | |
매개 변수 | 조성물 / 면저항 | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
홀 이동성 / 2 DEG 농도 | ||
측정 기술 | X 선 회절 / 와전류 | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
유엔 접촉 홀 | ||
일반적인 밸브 | Struture 의존 | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
8000~10000cm2/V·S/2.0~3.6x 1012cm-2 | ||
표준 오차 | / 없음 ± 3 % | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
InP HEMT 에피웨이퍼, 크기:2~4inch | ||
명세서 | 말 | |
매개 변수 | 구성 / 시트 저항 / 홀 이동성에서 | 우리의 기술 부서에 문의하시기 바랍니다 |
비고: GaAs(갈륨비소)는 갈륨(Ga)과 비소(As)라는 두 가지 원소의 혼합물인 화합물 반도체 재료입니다. 갈륨 비소의 용도는 다양하며 LED/LD, 전계 효과 트랜지스터(FET) 및 집적 회로(IC)에 사용되는 것을 포함합니다.
장치 응용 프로그램
RF 스위치,전력 및 저잡음 증폭기,홀 센서,광학 변조기
무선 : 휴대 전화 또는 기지국
자동차 레이더,MMIC, RFIC,광섬유 통신
LED / IR 세리 갈륨 비소 에피 웨이퍼 :
1. 일반 설명 :
1.1 성장 방법 : MOCVD
1.2 무선 네트워킹을 위한 GaAs 에피 웨이퍼
1.3LED 용의 GaAs 에피 웨이퍼/ IR 및 LD / PD
2.Epi 웨이퍼 사양 :
2.1 웨이퍼의 크기 : 2 "직경
2.2 GaAs Epi 웨이퍼 구조(위에서 아래로):
P + GaAs
P 갭
P-AlGaInP로
MQW-AlGaInP로
n 형 AlGaInP로
DBR n-ALGaAs / AlAs
완충기
GaAs 기판
3.Chip의 sepcification (자료 9mil에 * 9mil 칩)
3.1 매개 변수
칩 크기 9mil의 *의 9mil
두께 190 ± 10um
전극 직경 90um ± 5um
3.2 광학 - elctric 문자 (IR = 20mA, 22 ℃)
파장 620 ~ 625nm
순방향 전압 1.9 ~ 2.2V
역 전압 ≥10v
역 현재 0-1uA
3.3 광도 문자 (IR = 20mA, 22 ℃)
IV(MCD) 80-140
3.4 에피웨이퍼 길이
|
단위 |
레드 |
노란색 |
연두색 |
설명 |
웨이브 길이 (λD) |
나노 |
585,615,620 ~ 630 |
587 ~ 592 |
568 ~ 573 |
= 20mA IF |
성장 방법 : MOCVD, MBE
에피 = 막과 기판 사이의 관계를 결정 막의 성장 호모 에피 택시 (autoepitaxy, isoepitaxy) = 막 및 기판은 동일한 재료 헤테로 = 막 및 기판은 다른 재료로되어있다. 에 대한성장 방법의 자세한 내용은 다음을 클릭하십시오 :https://www.powerwaywafer.com/technology.html
주목:
중국 정부는 갈륨 재료(GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, GaSb 등)와 반도체 칩 제조에 사용되는 게르마늄 재료의 수출에 대한 새로운 제한을 발표했습니다. 2023년 8월 1일부터 이러한 자재의 수출은 중국 상무부로부터 허가를 받은 경우에만 허용됩니다. 여러분의 이해와 협력을 바랍니다!
InGaAs 에피택시 센서/검출기:
단일 광자 검출기용 InGaAs/InAlAs 표면 구조
광자 통합 칩용 에피웨이퍼: