GaN系LED用のエピタキシャルウエハ
PAM-XIAMEN者のGaN（窒化ガリウム）は、LED用のエピタキシャルウエハは、超高輝度青色及び緑色の発光ダイオード（LED）及びレーザーダイオード（LD）アプリケーションのためのものであるベース。
- 説明
製品の説明
LEDエピタキシャルウェーハは、適切な温度に加熱された基板です。 LEDウェーハ材料は、半導体照明業界の技術開発の要です。 基板材料が異なれば、必要なLEDエピタキシャルウェーハ成長技術、チップ処理技術、デバイスパッケージング技術も異なります。 LEDエピウェーハの基板は、半導体照明技術の開発ルートを決定します。 エピタキシャルウェーハの価格は低コストであり、エピウェーハの欠陥密度は小さいため、発光効率を達成するために、エピタキシャルウェーハのサプライヤはGaNベースのLEDエピタキシャルウェーハにさらに注意を払っています。 GaN基板上のLEDエピウェーハの利点は、高効率、大面積、シングルランプ、および高出力の実現であり、これによりプロセス技術が簡素化され、大きな歩留まりが向上します。 LEDエピウェーハ市場の開発見通しは楽観的です。
1.LEDウェーハリスト
|
LEDエピタキシャルウェーハ |
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| アイテム | サイズ | 方向付け | エミッション | 波長 | 厚さ | 基板 | 表面 | 使用可能な領域 |
| PAM-50-LED-BLUE-F | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | 425um +/- 25um | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-50-LED-BLUE-PSS | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | 425um +/- 25um | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-BLUE-F | 100ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-BLUE-PSS | 100ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-150-LED-BLUE | 150ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-BLUE-SIL | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-BLUE-SIL | 100ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
| PAM-150-LED-BLUE-SIL | 150ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
| PAM-200-LED-BLUE-SIL | 200ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 445〜475 nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
| PAM-50-LED-GREEN-F | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 緑の光 | 510-530nm | 425um +/- 25um | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-50-LED-GREEN-PSS | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 緑の光 | 510-530nm | 425um +/- 25um | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-GREEN-F | 100ミリメートル | 0°±0.5° | 緑の光 | 510-530nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-GREEN-PSS | 100ミリメートル | 0°±0.5° | 緑の光 | 510-530nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-150-LED-GREEN | 150ミリメートル | 0°±0.5° | 緑の光 | 510-530nm | / | サファイア | P / L | > 90％で |
| PAM-100-LED-RED-GAAS-620 | 100ミリメートル | 15°±0.5° | 赤信号 | 610-630nm | / | GaAsの | P / L | > 90％で |
| PAM210527-LED-660 | 100ミリメートル | 15°±0.5° | 赤信号 | 660nmの | / | GaAsの | P / L | > 90％で |
| PAM-210414-850nm-LED | 100ミリメートル | 15°±0.5° | IR | 波長850nm | / | GaAsの | P / L | > 90％で |
| PAMP21138-940LED | 100ミリメートル | 15°±0.5° | IR | 940nm | / | GaAsの | P / L | > 90％で |
| PAM-50-LED-UV-365-PSS | 50ミリメートル | 0°±0.5° | UVA | 365 nm | 425um +/- 25um | サファイア | ||
| PAM-50-LED-UV-405-PSS | 50ミリメートル | 0°±0.5° | UVA | 405 nm | 425um +/- 25um | サファイア | ||
| PAM-50-LED-UVC-275-PSS | 50ミリメートル | 0°±0.5° | UVC | 275nm | 425um +/- 25um | サファイア | ||
| PAM-50-LD-UV-405-SIL | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 紫外 | 405nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
| PAM-50-LD-BLUE-450-SIL | 50ミリメートル | 0°±0.5° | 青色光 | 450nm | / | シリコン | P / L | > 90％で |
LEDエピタキシャルウェーハメーカーとして、PAM-XIAMENは、マイクロLED、超薄型ウェーハ、UV LED研究、LEDメーカーなど、LEDおよびレーザーダイオード（LD）アプリケーション向けのアクティブ化および非アクティブ化GaNEpiLEDウェーハを提供できます。 GaN上のLEDエピタキシャルウェーハは、PSSまたはフラットサファイアを使用したMOCVDにより、LCDバックライト、モバイル、電子、またはUV（紫外線）用に成長し、InGaN /GaNアクティブエリアおよびGaNウェル/AlGaNを備えたAlGaN層を含む青または緑または赤の発光を示しますさまざまなチップサイズのバリア。
2. InGaN /GaN系（窒化ガリウム）ベースのLEDエピタキシャルウェーハ
Al2O3-2” 上のGaNエピウェハ仕様（LED用のエピタキシャルウエハ）
| 白：445〜460 nm |
| 青：465〜475 nm |
| 緑：510〜530 nm |
1.成長技術 - MOCVD
2.Wafer直径：50.8ミリメートル
3.ウェーハ基板材料：パターン化サファイア基板（Al2O3）またはフラットサファイア
4.Waferパターンサイズ：3X2X1.5μm
3.ウェーハ構造：
| 構造層 | 厚み（μm） |
| p型GaN | 0.2 |
| p型AlGaN | 0.03 |
| InGaN / GaNの（アクティブ領域） | 0.2 |
| n型GaN | 2.5 |
| GaN系U- | 3.5 |
| Al 2 O 3（基板） | 430 |
4.チップを作るためのウェーハパラメータ：
| 全角 | 色 | チップサイズ | 特性 | 外観 | |
| PAM1023A01 | ブルー | 10ミルのx 23mil |  |
照明 | |
| VF = 2.8〜3.4V | LCDバックライト | ||||
| ポー= 18〜25MW | モバイル機器 | ||||
| WD = 450〜460nmで | 民生電子 | ||||
| PAM454501 | ブルー | 45milのx 45mil | VF = 2.8〜3.4V |  |
一般照明 |
| ポー= 250〜300mWの | LCDバックライト | ||||
| WD = 450〜460nmで | 屋外ディスプレイ |
5. LEDエピタイクサルウェーハの用途：
※青色LEDエピタキシャルウェーハの詳細については、営業部までお問い合わせください。
点灯
LCDバックライト
モバイル機器
民生電子
6.例としてのLEDエピウェーハの仕様：
仕様PAM190730-LED
–サイズ：4インチ
– WD：455±10nm
–明るさ：> 90mcd
– VF：<3.3V
– n-GaNの厚さ：<4.1㎛
– u-GaNの厚さ：<2.2㎛
–基板：パターン化されたサファイア基板（PSS）
7.GaAs（ガリウムヒ素）ベースのLEDウェーハ材料：
GaAsのLEDウェハについて、それらはMOCVDによって成長されたGaAs LEDウェハの波長以下を参照してください。
赤：585nm、615nm、620〜630nmの
黄：587〜592nm
黄/緑：568〜573nm
8. LED エピタキシャルウェーハの定義:
私たちが提供するのは、裸のLEDエピウェーハまたはリソグラフィプロセス、n-および金属接点などのない未処理ウェーハです。また、ナノオプトエレクトロニクス研究などのさまざまなアプリケーション用の製造装置を使用してLEDチップを製造できます。
Remark：
The Chinese government has announced new limits on the exportation of Gallium materials (such as GaAs, GaN, Ga2O3, GaP, InGaAs, and GaSb) and Germanium materials used to make semiconductor chips. Starting from August 1, 2023, exporting these materials is only allowed if we obtains a license from the Chinese Ministry of Commerce. Hope for your understanding and cooperation!
ウェーハの仕様をLEDこれらの詳細のGaAsの場合は、以下を参照してください。LED用のGaAsエピウエハ
UV LEDウエハの仕様については、以下をご覧ください。UV LEDエピウエハ
シリコン仕様のLEDウエハについて、ご覧ください。シリコン上のLEDウェハー
ブルーGaN系LDウエハーの仕様については、以下をご覧ください。 ブルーGaN系LDウエハー
Violet GaN LD Wafer については、次のサイトをご覧ください。405nm GaNレーザーダイオードウエハー
850-880nmおよび890-910nm赤色赤外線AlGaAs/GaAsLEDエピウェーハ
フラットまたはPSSサファイア基板上のGaNLED構造エピタキシー
有機金属化学蒸着によって成長させた窒化物膜におけるV字型ピットの形成
その他の鋳造サービスについては、次のサイトをご覧ください。LED製造のためのGaNファウンドリーサービス
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