이 편지는 이종에피택시에 대해 설명합니다.Si 상의 InPMOCVD로. 얇은 두께의 새로운 에피택셜 구조GaAs 중간층(InP/GaAs/Si)은 InP와 Si 사이의 큰 격자 불일치(8.4%)를 완화하기 위해 제안되었습니다. 이 구조를 사용하여 거울 같은 표면과 우수한 두께 균일성(Δd/d=±10%)을 갖는 4인치 InP 단결정을 얻었습니다. InP 필름의 잔류 응력은 InP/GaAs/Si 구조의 경우 5.7±108dyn/cm2였으며, Si 위에 직접 성장한 InP의 경우 8.3×108dyn/cm2였습니다. 이는 GaAs 중간층이 소자의 잔류응력 감소에도 효과적임을 보여준다.InP 에피층.
출처:IOP과학
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