As one of leading silicon carbide wafer manufacturers, PAM-XIAMEN offers you SiC substrate with 1mm or 2mm thickness. Silicon carbide (SiC) substrate is the cornerstone of the application of gallium nitride (GaN) and silicon carbide in the third generation of semiconductor materials. In recent years, with the maturity of the silicon carbide substrate preparation processes and the reduction of production costs, SiC wafer application continues to penetrate in the field of new energy and 5G communications. More about thick bulk silicon carbide wafer please see below:
1. Spécifications du substrat en carbure de silicium épais
Plaquettes SiC épaisses PAM20200622-SIC |
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Capacité de plaquette | TAILLE | Épaisseur | Surface |
Substrats SiC de type azote | 4 " | 1mm, 2mm | comme coupé |
4 " | 1mm, 2mm | poli double face | |
Substrats SiC semi-isolants | 4 " | 1mm, 2mm | comme coupé |
4 " | 1mm, 2mm | poli double face |
Remarques:
Conductivité thermique (type n) a~4,2 W/cm • K à 298 K, c~3,7 W/cm • K à 298 K
Conductivité thermique (semi-isolant) a~4,9 W/cm • K @ 298 K, c~3,9 W/cm • K @ 298 K
2. Caractéristiques du carbure de silicium
Le substrat en carbure de silicium monocristallin présente les excellentes caractéristiques suivantes :
Caractéristiques du carbure de silicium |
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Propriété physique | haute dureté (dureté Kjeldahl : 3000kg/mm2) |
haute résistance à l'usure, juste derrière le diamant | |
la conductivité thermique dépasse celle du cuivre métallique | |
haute stabilité thermique | |
bonne performance de dissipation thermique, très importante pour les appareils à haute puissance | |
Propriété chimique | très forte résistance à la corrosion |
la bande interdite de 4H-SiC et 6H-SiC est d'environ 3 fois celle de Si et 2 fois celle de GaAs ; Le 4H-SiC a une bande interdite plus large que le 6H-SiC |
Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à victorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.