Substrat épais en carbure de silicium

Substrat épais en carbure de silicium

As one of leading silicon carbide wafer manufacturers, PAM-XIAMEN offers you SiC substrate with 1mm or 2mm thickness. Silicon carbide (SiC) substrate is the cornerstone of the application of gallium nitride (GaN) and silicon carbide in the third generation of semiconductor materials. In recent years, with the maturity of the silicon carbide substrate preparation processes and the reduction of production costs, SiC wafer application continues to penetrate in the field of new energy and 5G communications. More about thick bulk silicon carbide wafer please see below:

substrat de carbure de silicium

1. Spécifications du substrat en carbure de silicium épais

Plaquettes SiC épaisses PAM20200622-SIC

Capacité de plaquette TAILLE Épaisseur Surface
Substrats SiC de type azote 4 " 1mm, 2mm comme coupé
4 " 1mm, 2mm poli double face
Substrats SiC semi-isolants 4 " 1mm, 2mm comme coupé
4 " 1mm, 2mm poli double face

 

Remarques:

Conductivité thermique (type n) a~4,2 W/cm • K à 298 K, c~3,7 W/cm • K à 298 K

Conductivité thermique (semi-isolant) a~4,9 W/cm • K @ 298 K, c~3,9 W/cm • K @ 298 K

2. Caractéristiques du carbure de silicium

Le substrat en carbure de silicium monocristallin présente les excellentes caractéristiques suivantes :

Caractéristiques du carbure de silicium

Propriété physique haute dureté (dureté Kjeldahl : 3000kg/mm2)
haute résistance à l'usure, juste derrière le diamant
la conductivité thermique dépasse celle du cuivre métallique
haute stabilité thermique
bonne performance de dissipation thermique, très importante pour les appareils à haute puissance
Propriété chimique très forte résistance à la corrosion
la bande interdite de 4H-SiC et 6H-SiC est d'environ 3 fois celle de Si et 2 fois celle de GaAs ; Le 4H-SiC a une bande interdite plus large que le 6H-SiC

 

powerwaywafer

Pour plus d'informations, veuillez nous contacter par e-mail à victorchan@powerwaywafer.com et powerwaymaterial@gmail.com.

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