6인치 비도핑 GaAs 기판, 프라임 및 기계 등급

6인치 비도핑 GaAs 기판, 프라임 및 기계 등급

PAM-XIAMEN supplies 6 inch c-doped semi-insulating GaAs substrates, which are prime grade and mechanical grade grown by VGF. For wafer details, please view specifications listed below:

InGaAsN

1. Prime Grade C-doped Semi-insulating GaAs

PAM220704-GaAs-Un

매개 변수 GaAs-Un-6in-625um-PP UOM
성장 방법 VGF  
학년 프라임 등급(Epi 지원)  
도펀트 C doped
정위 (100) ±0.5°
방향 각도 N / A °
지름 150.0±0.2 MM
두께 625±25 또는 675±25
노치 ± 2°
노치 깊이 1.00-1.25 MM
노치 각도 89-95 °
CC N / A /센티미터3
저항력@ 22°C ≥1E8 옴·cm
유동성 ≥5000 센티미터2/v·s
EPD-AVE ≤7000 /센티미터2
TTV ≤10
TIR ≤10
≤10
경사 ≤10
레이저 마킹 N / A
전면 광택, 에피 준비
뒷면 표면 우아한
입자 수 ≥0.3um≤50/웨이퍼
포장 카세트(1개의 카세트에 2개의 잉곳 허용)

2. Mechanical GaAs Substrate, C doped

PAM220704-GaAs-Un

매개 변수 GaAs-Un-6in-625um-PE(기계식) UOM
성장 방법 VGF  
학년 기계 등급, Epi 지원  
도펀트 C doped
정위 N / A
방향 각도 N / A °
직경 150.0±0.25 MM
두께 600±25 또는 625±25
노치 ± 2°
노치 깊이 1.00-1.25 MM
노치 각도 89-95 °
CC N / A /센티미터3
저항력@ 22°C >1E17 옴·cm
유동성 >4000 센티미터2/v·s
EPD-AVE N / A /센티미터2
TTV ≤15
TIR N / A
N / A
경사 N / A
레이저 마킹 N / A
표면 마감 단면 광택
입자 수 N / A
포장 카세트(1개의 카세트에 2개의 잉곳 허용)


자세한 내용은 이메일로 문의해 주세요.victorchan@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com.

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