GaSb Wafer

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – gallium antimonide which are grown by LEC(Liquid Encapsulated Czochralski) as epi-ready or mechanical grade with n type, p type or semi-insulating in different orientation(111)or(100)

  • Descrizione

Descrizione del prodotto

PAM-XIAMEN offers Compound Semiconductor GaSb wafer – gallio antimonide che vengono coltivati ​​da LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) come grado epi-ready o meccanico di tipo n, p o semi-isolante diverso orientamento (111) o (100).

Antimoniuro di gallio (GaSb) è un composto semiconduttore di gallio e antimonio del family.It III-V ha una costante reticolare di circa 0,61 nm. GaSb può essere utilizzato per i rilevatori a infrarossi, LED a infrarossi e laser e transistor e sistemi thermophotovoltaic.

Ecco la specifica di particolare:

2 "(50,8 millimetri) GaSb Wafer Specifica

3 "(50,8 millimetri) GaSb Wafer Specifica

4 "(100mm) GaSb Wafer Specifica

 

2″ GaSb Wafer Specification

tem Specificazioni
drogante non drogato Zinc Tellurium
Tipo conduzione Di tipo P Di tipo P Tipo N
Wafer Diameter 2″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 500±25um
Primaria Lunghezza piatto 16±2mm
Secondaria Lunghezza piatto 8±1mm
Concentrazione Carrier (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobility 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <10um
ARCO <10um
WARP <12um
Marcatura laser su richiesta
Suface Finish P/E, P/P
Epi Ready
Pacchetto Contenitore o cassetta per wafer singolo

 

 3″ GaSb Wafer Specification

tem Specificazioni
Tipo conduzione Di tipo P Di tipo P Tipo N
drogante non drogato Zinc Tellurium
Wafer Diameter 3″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 600±25um
Primaria Lunghezza piatto 22±2mm
Secondaria Lunghezza piatto 11±1mm
Concentrazione Carrier (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobility 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <12um
ARCO <12um
WARP <15um
marcatura laser su richiesta
Suface finish P/E, P/P
Epi pronto
Pacchetto Contenitore o cassetta per wafer singolo

 

4″ GaSb Wafer Specification

tem Specificazioni
drogante non drogato Zinc Tellurium
Tipo conduzione Di tipo P Di tipo P Tipo N
Wafer Diameter 4″
Wafer Orientation (100)±0.5°
Wafer Thickness 800±25um
Primaria Lunghezza piatto 32.5±2.5mm
Secondaria Lunghezza piatto 18±1mm
Concentrazione Carrier (1-2)x1017cm-3 (5-100)x1017cm-3 (1-20)x1017cm-3
Mobility 600-700cm2/V.s 200-500cm2/V.s 2000-3500cm2/V.s
EPD <2×103cm-2
TTV <15um
ARCO <15um
WARP <20um
marcatura laser su richiesta
Suface finish P/E, P/P
Epi pronto
Pacchetto Contenitore o cassetta per wafer singolo

 

1) 2 "(50,8 millimetri), 3" (76,2 millimetri) GaSb wafer

Orientation:(100)±0.5°
Thickness(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:P/undoped;P/Si;P/Zn
Nc(cm-3):(1~2)E17
Mobility(cm2/V ·s):600~700
Growth Method:CZ
Polish:SSP

2) 2 "(50,8 millimetri) GaSb wafer
Orientation:(100)±0.5°
Thickness(μm):500±25;600±25
Type/Dopant:N/undoped;P/Te
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

3) 2 "(50,8 millimetri) GaSb wafer
Orientation:(111)A±0.5°
Thickness(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

4) 2 "(50,8 millimetri) GaSb wafer
Orientation:(111)B±0.5°
Thickness(μm):500±25;450±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

5) 2 "(50,8 millimetri) GaSb wafer
Orientation:(111)B 2deg.off
Thickness(μm):500±25
Type/Dopant:N/Te;P/Zn
Nc(cm-3):(1~5)E17
Mobility(cm2/V ·s):2500~3500;200~500
Growth Method:LEC
Polish:SSP

prodotti relativi:
InAs wafer
InSb wafer
InP wafer
GaAs wafer
GaSb wafer
GaP wafer

Antimoniuro di gallio (GaSb) può essere fornito come wafer con as-taglio, finiture incise o lucidate e sono disponibili in un'ampia gamma di concentrazione di portatori, diametro e spessore.

materiale GaSb presenta proprietà interessanti per i dispositivi a giunzione singola thermophotovoltaic (TPV). GaSb: Te monocristallo cresciuto con Czochralski (Cz) o metodi modificato Czochralski (Mo-Cz) sono rappresentati e il problema di Te omogeneità discusso. La mobilità vettore è uno dei punti chiave per il cristallo bulk, misurazioni Hall sono effettuate. Presentiamo qui alcuni sviluppi complementari sulla base del punto di trasformazione di vista materiale: la crescita bulk cristallo, la preparazione di wafer, e il wafer incisione. passi successivi dopo questi sono legati alla / no elaborazione giunzione rn / p p. Alcuni risultati ottenuti per i diversi approcci di elaborazione su strato sottile sono presentati. Così dal semplice processo di diffusione fase vapore o il processo di epitassia in fase liquida fino al processo di deposizione di vapore chimico organico metallo riportiamo alcune specificità del materiale.

We also offer GaSb wafer epi service, take below as an example:

2”size GaSb epi wafer:
Epi layer: Thikness 0.5 um, undoped/p type GaSb epi layer (undoped InP epi layer also available),
Substrate:2” semi-insulating GaAs

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