PAM XIAMEN はシリコンインゴットを提供しています。
| 材質の説明 |
| FZ SCRAP 材料 n 型、Ro: 1,000-10,000 Ohmcm |
| FZ SCRAP 材料 n 型、Ro: 1-1,000 Ohmcm |
| FZ SCRAP 材料固有、Ro: >10,000 Ohmcm |
| 6''Ø インゴット p 型 Si:B[100]、Ro: 1-10 Ohmcm、(1 インゴット: 21mm) |
| 6''Ø インゴット p 型 Si:B[100] ±2.0°、Ro: 0.001-0.005 Ohmcm、接地、(1 インゴット: 188mm) |
| 6''Ø インゴット p 型 Si:B[100]、Ro: 10-15 Ohmcm、接地、(2 インゴット: 120mm、290mm) |
| 6''Ø インゴット p 型 Si:B[110]、Ro: >10 Ohmcm、(1 インゴット: 183mm) |
| 6 インチØ インゴット p 型 Si:B[110]、Ro: 18.5-23.5 Ohmcm、平面から 165°のグラファイト レール上、(1 インゴット: 137mm) |
| 6''Ø インゴット p 型 Si:B[111] ±2.0°、Ro: 0.010-0.025 Ohmcm |
| 6”Ø×(20+300)mm、n型Si:As[100]、研磨、Crysteco#6450製 (2本: 28a(NoF)、28c(135°F)) |
| 6''Øx114mm インゴット n 型 Si:As[100]、Ro=~0.0025Ohmcm、SEMI フラット (2)、Crysteco 製 #9035-56、注: 二次フラットは一次から 135° |
| 6インチØx50mmインゴットn型Si:As[100]、Ro=(0.0033-0.0037)Ohmcm |
| 6''Ø×318mm インゴット n 型 Si:As[100]、Ro=(0.0037-0.0052)Ohmcm |
| 6インチØx254mmインゴットn型Si:As[100]、Ro=(0.0038-0.0049)Ohmcm |
| 6''Ø×330mm インゴット n 型 Si:As[100]、Ro=(0.0040-0.0054)Ohmcm |
| 6''Ø×140mm インゴット n 型 Si:As[100]、Ro=(0.0048-0.0055)Ohmcm、SEMI フラット (2)、Crysteco 製 #1450-1017、注: 二次フラットは一次から 135° |
| 6インチØ×12mmインゴット、n型Si:P[100]、(6.76-10.28)Ωcm |
| 6''Ø インゴット n 型 Si:P[100]、Ro: 10-35 Ohmcm、研磨済み、(4 つのインゴット: 181mm、190mm、230mm、164mm) |
| 6”Ø インゴット n 型 Si:Sb[100] ±2.0°、Ro: 0.01-0.02 Ohmcm、(1 インゴット: 250mm) |
| 6”Ø インゴット n 型 Si:P[111] ±2°、Ro: 20-30 Ohmcm、(1 インゴット: 257mm) |
| 6”Ø インゴット n 型 Si:P[111] ±2°、Ro: 20-30 Ohmcm、(1 インゴット: 50mm) |
詳細については、当社の Web サイトをご覧ください。https://www.powerwaywafer.com,
send us email at sales@powerwaywafer.com と powerwaymaterial@gmail.com
1990 年に設立された厦門パワーウェイ先端材料有限公司 (PAM-厦門) は、中国の半導体材料の大手メーカーです。PAM-厦門は、高度な結晶成長およびエピタキシー技術、製造プロセス、加工基板および半導体デバイスを開発しています。PAM-厦門のテクノロジーにより、半導体ウェーハの高性能化と低コストの製造が可能になります。
品質は私たちの最優先事項です。 PAM-XIAMENはISO9001:2008を取得しており、顧客のさまざまなニーズを満たす広範囲の認定製品を提供できる4つの近代的な工場を所有および共有しており、すべての注文は当社の厳格な品質システムを通じて処理されなければなりません。テストレポートが提供されます。出荷ごとに保証され、ウェーハごとに保証されます。