私たちが提供します。
| アイテム | アンドープN- | SiはN +ドープ | 半絶縁性 | P+ |
| 自立GaN基板 | はい | はい | はい | |
| サファイア基板上のGaN | はい | はい | はい | はい |
| サファイア基板上のInGaN | はい | *** | ||
| サファイア基板上のAlN | はい | |||
| LEDウエハ | （p +型のGaN / MOW / N +のGaN / N型AlGaN / GaN系N + / N型GaN /サファイア） | |||
自立GaN基板/サファイア/ LEDウェハ上のGaN：
自立GaN基板/サファイア/ LEDウェハ上のGaNの仕様については、ご覧ください窒化ガリウムウエハ:
http://www.qualitymaterial.net/products_7.html
サファイア上のInGaN：
サファイアテンプレート上のInGaNの仕様については、嘆願を見ますInGaNの基板:
https://www.powerwaywafer.com/InGaN-Substrates.html
サファイア上のAlN：
サファイアテンプレート上のAlNの仕様については、嘆願を見ますAlN基板:
http://www.qualitymaterial.net/AlN-Substrate.html
サファイア上のAlGaN / GaN：
サファイアテンプレート上のAlGaN / GaNについては、ご覧くださいAlGaN / GaN:
https://www.powerwaywafer.com/GaN-HEMT-epitaxial-wafer.html
GaN基板の格子定数
窒化ガリウムの格子パラメータを高分解能X線回折を用いて測定しました。
GaN系、ウルツ鉱sructure。 格子は、対温度定数。
GaN系、ウルツ鉱sructure。 格子定数C対温度
の性質GaN基板
| PROPERTY / MATERIAL | キュービック（ベータ版）のGaN | 六角（アルファ）のGaN |
| . | . | . |
| 構造 | 閃亜鉛鉱 | ウルツ鉱 |
| 空間群 | F BAR4 3メートル | C46V（= P63MC) |
| 安定 | 準安定 | 安定した |
| 300Kにおける格子パラメータ（複数可） | 0.450 nmの | A0 = 0.3189 nmの |
| C0 = 0.5185 nmの | ||
| 300Kでの密度 | 6.10 g.cm-3 | 6.095 g.cm-3 |
| 300 Kでの弾性率 | 。 。 。 | 。 。 。 |
| 線熱膨張COEFF。 | 。 。 。 | 沿っA0：5.59×10-6K-1 |
| 300 Kで | 沿っC0：7.75×10-6K-1 | |
| 計算された自発的な偏光 | 適用できません | - 0.029 C M-2 |
| ベルナルら、1997 | ||
| ベルナル＆フィオレンティーニ1999 | ||
| 計算された圧電係数 | 適用できません | E33 = + 0.73 C M-2 |
| E31 = - 0.49 C M-2 | ||
| ベルナルら、1997 | ||
| ベルナル＆フィオレンティーニ1999 | ||
| A1（TO）：66.1 meVで | ||
| E1（TO）：69.6 meVで | ||
| フォノンエネルギー | TO：68.9 meVで | E2：70.7 meVで |
| LO：91.8 meVで | A1（LO）：91.2 meVで | |
| E1（LO）：92.1 meVで | ||
| デバイ温度 | 600K（推定） | |
| スラック、1973 | ||
| 。 。 。 | 単位：WCM-1K-1 | |
| 1.3, | ||
| Tansleyら1997b | ||
| 2.2±0.2 | ||
| 厚い、自立GaN系について | ||
| Vaudoら、2000年 | ||
| 2.1（0.5） | ||
| LEO材料について | ||
| どこ数（多くの）転位 | ||
| 熱伝導率 | Florescuら、2000年、2001年 | |
| 近く300K | ||
| 年頃1.7から1.0 | ||
| N = 1×10174×10まで18cm-3 | ||
| HVPE材料で | ||
| Florescu、モルナールら、2000 | ||
| 2.3±0.1 | ||
| FeドープHVPE材料で | ||
| CAの 2 X108オームcm、 | ||
| ＆転位密度の約 105CM-2 | ||
| （T＆転位密度の影響も与えられます）。 | ||
| MIONら、2006A、2006B | ||
| 融点 | 。 。 。 | 。 。 。 |
| 誘電率 | 。 。 。 | 沿っA0：10.4 |
| 低/ Lowish周波数で | 沿っC0：9.5 | |
| 屈折率 | が3eVで2.9 | 3.38eVで2.67 |
| Tansleyら1997b | Tansleyら1997b | |
| エネルギーギャップEgの自然 | 直接 | 直接 |
| 1237KでのエネルギーギャップEg | 2.73 eVの | |
| チン・華蘇ら、2002 | ||
| 293-1237 KにおけるエネルギーギャップEg | 3.556から9.9×10-4T2 /（T + 600）eVの | |
| チン・華蘇ら、2002 | ||
| 300 KでのエネルギーギャップEg | 3.23 eVの | 3.44 eVの |
| ラミレス・フローレスら、1994 | Monemar 1974 | |
| . | . | |
| 3.25 eVの | 3.45 eVの | |
| Logothetidisら1994 | 小出ら、1987 | |
| . | ||
| 3.457 eVの | ||
| チン・華蘇ら、2002 | ||
| 約におけるエネルギーギャップEg 0 K | 3.30 eVの | 3.50 eVの |
| ラミレス・フローレスらal1994 | ディングルら1971 | |
| Ploogら1995 | Monemar 1974 | |
| 真性キャリアコンク。 300 Kで | 。 。 。 | 。 。 。 |
| のイオン化エネルギー。 。 。 ドナー | 。 。 。 。 | 。 。 。 。 |
| 電子の有効質量くれ*/ M0 | 。 。 。 | 0.22 |
| Mooreら、2002 | ||
| 300 Kでの電子移動度 | 。 。 。 | . |
| N = 1×1017CM-3: | 約 500センチメートル2V-1s-1 | |
| N = 1×1018CM-3: | 約 240センチメートル2V-1s-1 | |
| N = 1×1019CM-3: | 約 150センチメートル2V-1s-1 | |
| 乗っ＆Gaskill、1995 | ||
| Tansleyら1997a | ||
| 77 Kでの電子移動度 | 。 。 。 。 | 。 。 。 。 |
| 以下のためのn =。 。 | ||
| アクセプタのイオン化エネルギー | 。 。 。 | MG：160 meVで |
| 天野ら1990 | ||
| MG：171 meVで | ||
| Zolperら1995 | ||
| カルシウム：169 meVで | ||
| Zolperら1996 | ||
| 300 Kでのホールホール移動度 | 。 。 。 | 。 。 。 。 |
| p =について。 。 。 | ||
| 77 Kでのホールホール移動度 | 。 。 。 。 | 。 。 。 |
| p =について。 。 。 | ||
| . | キュービック（ベータ版）のGaN | 六角（アルファ）のGaN |
GaN基板の応用
3.4eVでの直接バンドギャップを有する窒化ガリウム（GaN）は、短波長の発光デバイスの開発に有望な材料です。 GaN系のためのその他の光学デバイスの用途は、半導体レーザと光検出器を含みます。