|
自立窒化ガリウム |
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|||||||
|
商品番号。 |
タイプ |
方向付け |
厚さ |
グレード |
微小欠陥密度 |
表面 |
使用可能な領域 |
|
|
|
N型 |
|
||||||
|
PAM-FS-GaN50-N |
2″ Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN45-N |
φ45mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN40-N |
φ40mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN38-N |
φ38mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN25-N |
φ25.4mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN15-N |
14mm * 15mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN10-N |
10mm * 10.5mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN5-N |
5mm * 5.5mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
|
半絶縁性 |
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||||||
|
PAM-FS-GaN50-SI |
2″ Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN45-SI |
φ45mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN40-SI |
φ40mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN38-SI |
φ38mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN25-SI |
φ25.4mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN15-SI |
14mm * 15mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN10-SI |
10mm * 10.5mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-FS-GaN5-SI |
5mm * 5.5mm、Nタイプ |
0°±0.5° |
300±25um |
A / B |
0 / <2 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
窒化ガリウムテンプレート、AlNテンプレート、InGaNテンプレート、AlGaNテンプレート |
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|
商品番号。 |
タイプ |
方向付け |
厚さ |
グレード |
転位密度 |
表面 |
使用可能な領域 |
|
|
PAM-76-GaN-TN |
GaNテンプレート、Nタイプ |
0°±0.5° |
20/30 / 40um |
/ |
<1×10 ^ 8 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-50-GaN-TN |
GaNテンプレート、Nタイプ |
0°±0.5° |
20/30 / 40um |
/ |
<1×10 ^ 8 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-50-GaN-TP |
GaNテンプレート、Pタイプ |
0°±0.5° |
2um |
/ |
/ |
P / PまたはP / L |
> 91％ |
|
|
PAM-50-GaN-T-SI |
GaNテンプレート、半絶縁 |
0°±0.5° |
30 / 90um |
/ |
<1×10 ^ 8 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-50-AlN-T-SI |
AlNテンプレート、半絶縁 |
0°±0.5° |
1um |
/ |
/ |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-50-INGaN-T-SI |
InGaNテンプレート |
0°±0.5° |
100-200nm |
/ |
10 ^ 8 / cm2 |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
PAM-50-AlGaN-T-SI |
AlGaNテンプレート |
0°±0.5° |
1-5um |
/ |
* |
P / PまたはP / L |
> 90％で |
|
|
窒化ガリウムEpiウェーハ（LEDウェーハ） |
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|||||||
|
商品番号。 |
タイプ |
方向付け |
厚さ |
グレード |
波長 |
表面 |
使用可能な領域 |
|
|
|
N型 |
|
||||||
|
PAM-50-GaN-EPI-BLUE-F |
/ |
0°±0.5° |
436um |
/ |
445〜475 nm |
P / L |
> 90％で |
|
|
PAM-50-GaN-EPI-BLUE-PSS |
/ |
0°±0.5° |
436um |
/ |
445〜475 nm |
P / L |
> 90％で |
|
|
PAM-50-GaN-EPI-GREEN-F |
/ |
0°±0.5° |
436um |
/ |
510-530nm |
P / L |
> 90％で |
|
|
PAM-50-GaN-EPI-GREEN-PSS |
/ |
0°±0.5° |
436um |
/ |
510-530nm |
P / L |
> 90％で |
|
|
窒化ガリウムUV LED |
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商品番号。 |
PKG |
出力パワー |
順方向電圧 |
グレード |
波長 |
Deg。 |
FWHM |
|
|
PAM-GaN-LED-UV-265 |
03WG / SMD / TO39 |
/ |
/ |
/ |
265nm +/- 3nm |
/ |
10nm |
|
|
PAM-GaN-LED-UV-280 |
03WG / SMD / TO39 |
/ |
6.8-7.5 |
/ |
280nm +/- 3nm |
140/60 |
10nm |
|
|
PAM-GaN-LED-UV-310 |
03WG / SMD / TO39 |
/ |
6.5-7.2 |
/ |
310nm +/- 3nm |
140/60 |
10nm |
|
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