Vous pouvez acheter du cristal de lingot de silicium de type P ou de type N auprès de PAM-XIAMEN, qui est une entreprise de fabrication de lingots de silicium. Pour obtenir un lingot de silicium monocristallin, le matériau de silicium est fondu dans un four monocristallin, puis subit une série de processus pour se transformer en tiges de silicium monocristallin, puis usinage des tiges de silicium monocristallin, et enfin obtenir le cristal de boule de silicium.
1. Liste des lingots de silicium
| Numéro de lingot | Diamètre du lingot | Type, orientation | Longueur de lingot (mm) | Résistivité | Durée de vie | Quantité |
| PAM-XIAMEN-INGOT-24 | 103.4 | N111 | 167 | 15000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-25 | 103.5 | N111 | 196 | 17000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-LINGOT-62 | 105 | N100 | 165 | 810 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-LINGOT-67 | MC200 | P110 | 243 | 0.313 | 3,51% | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-89 | 200 | P110 | 186 | 1.61 | 10,56 % | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-93 | 86 | N100 | 76 | 4700 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-94 | 82 | N100 | 75 | 6800 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-LINGOT-95 | 79 | N100 | 102 | 13000 | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-LINGOT-100 | 8 " | — | 300mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-108 | 4 " | — | 95mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-109 | 6 " | — | 252mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-113 | 2 " | — | 195mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-114 | 3 " | — | 95mm | — | — | 1 |
| PAM-XIAMEN-INGOT-127 | Côté A 140 mm et côté B 170 mm | — | 100mm | — | — | 1 |
2. Classification du cristal de silicium selon la méthode de croissance
Le silicium monocristallin est un matériau de silicium cristallin très important. Selon différentes méthodes de croissance de lingots de silicium par l'usine de lingots de silicium, il peut être divisé en silicium monocristallin fondu par zone et en silicium monocristallin Czochralski.
* Le silicium monocristallin fondu en zone est préparé par la méthode de fusion en zone flottante, il est donc également appelé monocristal de silicium FZ. Le lingot de silicium FZ est principalement utilisé dans les appareils à haute puissance et ne représente qu'une petite partie du marché du silicium monocristallin.
* Le silicium monocristallin de Czochralski est préparé par la méthode Czochralski, appelée silicium monocristallin CZ. Le lingot de silicium CZ est principalement utilisé dans les circuits intégrés microélectroniques et les cellules solaires.
3. Normes de l'industrie pour le lingot de silicium cristallin CZ ou FZ
Les lingots de silicium pour l'énergie solaire, les appareils électriques ou d'autres domaines sont de haute qualité et à un prix compétitif. De plus, les paramètres de lacristal de silicium monocristallinrépondre aux normes telles que stipulées. De plus, vous pouvez personnaliser la pureté du lingot de silicium.
3.1 Résistivité du monocristal de silicium et durée de vie des porteurs
La plage de résistivité et la durée de vie des porteurs minoritaires des lingots de Si à haute résistance FZ doivent répondre aux exigences du tableau suivant :
| Type de conductivité | dopant | Diamètre/mm | Plage de résistivité/(Ω-cm) | Durée de vie du transporteur minoritaire/nous |
| p | B | 30~200 | 3 000~20 000 | >500 |
| n | p | 30~200 | 800~10 000 | >1 000 |
| La valeur de résistivité est la résistivité du monocristal de silicium mesurée avec deux sondes. | ||||
La plage de résistivité et la variation de résistivité radiale du lingot de cristal de silicium de notre part répondent aux exigences du tableau suivant.
La durée de vie du support du lingot CZ Si doit être déterminée par négociation entre le fournisseur et l'acheteur.
| Type de conductivité | Élément dopant | Plage de résistivité/(Ω-cm) | Variation de résistivité radiale b/% | ||||||
| <50,8 mm (100)/(111) | 50,8 mm (100)/(111) | 76,2 mm (100)/(111) | 100mm (100)/(111) | 125mm (100)/(111) | 150mm (100)/(111) | 200 mm (100) | |||
| p | B | 0,001~0,1 | ≤8 | ≤8 | ≤8 | ≤6/≤6 | ≤6/≤9 | ≤5/≤8 | ≤12 |
| >0.1~60 | ≤8 | ≤8 | ≤8 | ≤8/≤9 | ≤6/≤9 | ≤5/≤8 | ≤5 | ||
| n | P | 0,001~0,1 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15/≤25 | ≤15 |
| >0.1~60 | ≤12/≤20 | ≤12/≤20 | ≤12/≤20 | ≤12/≤25 | ≤12/≤25 | ≤12/≤25 | ≤15 | ||
| n | Sb | ≤0.02 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/≤25 | ≤10/≤25 | ≤10/≤35 | ≤12 |
| Comme | ≤0.006 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/20 | ≤12/≤25 | ≤12/≤30 | ≤12/≤30 | ≤12 | |
* La valeur de résistivité est mesurée sur la section transversale d'un monocristal de silicium à l'aide d'un quadripôle droit ;
* La valeur de la variation de résistivité radiale est mesurée sur la face d'extrémité spécifiée du lingot de silicium à l'aide d'une rangée droite de quatre aiguilles.
3.2 Méthode standard pour tester l'orientation des lingots de silicium
L'écart d'orientation cristalline CZ doit être </= 2° et l'écart d'orientation cristalline du lingot de silicium FZ doit être </= 5 °. Il existe 2 méthodes principales pour tester l'orientation du lingot de silicium :
a) Méthode d'orientation par diffraction des rayons X
Les atomes d'un lingot de silicium disposés dans une structure cristalline périodique tridimensionnelle peuvent être considérés comme les atomes disposés dans une série de plans parallèles avec une distance verticale de d dans l'espace. Lorsqu'un rayon X monochromatique parallèle frappe le plan et que la différence de chemin optique entre les plans adjacents des rayons X est un multiple entier de sa longueur d'onde, une diffraction (réflexion) se produit.
b) Orientation du motif lumineux
Une fois que la surface du lingot de silicium est meulée et préférentiellement gravée, de nombreuses petites piqûres apparaîtront. Ces piqûres sont contraintes sur le plan lié à la direction principale de la boule du matériau, et ces plans limites déterminent la forme des piqûres de la surface gravée. Le motif lumineux du petit plan composé de piqûres est lié à la direction cristallographique du plan mesuré, de sorte que le motif lumineux peut être utilisé pour déterminer la direction cristallographique de surface et son angle de déviation.
4. Plus d'articles sur le lingot de silicium, veuillez lire :
Lingot de silicium FZ 1 ″ avec diamètre 25 mm
Lingot de silicium FZ 2 ″ avec diamètre 50 mm
Cristal de silicium de type P ou N avec une orientation A de (100), (110) ou (111)
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